巨量转移方法技术

本发明专利技术涉及一种巨量转移方法，包括步骤：提供一暂存基底，所述暂存基底具有若干阵列排布的支撑结构；将粘附胶至少设置在各所述支撑结构中的第一表面上，以形成粘附胶层；将处于衬底的多个发光二极管芯片通过所述粘附胶层与所述暂存基底粘接；粘接后的所述发光二极管芯片的两个电极分别处于相邻的两个支撑结构上；去除所述衬底；将与暂存于所述暂存基底的各个发光二极管芯片转移至一背板上。在所述暂存基底上预先设置有用于支撑发光二极管芯片的支撑结构，支撑结构的结构尺寸可方便统一设置，当各个发光二极管芯片与所述支撑结构粘接时，各个发光二极管芯片与所述支撑结构之间的粘附力的差异较小，可提高发光二极管芯片的转移良率。移良率。移良率。

【技术实现步骤摘要】
巨量转移方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管芯转移
，尤其涉及巨量转移方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管芯片是新兴的显示技术，相对比常规的显示技术，微型发光二极管芯片具有响应速度快，自主发光、对比度高、使用寿命长、光电效率高等特点。
[0003]在多个的发光二极管芯片由生长基板转移至暂存基底，再由暂存基底转移至背板的过程中，会对制备相应支撑结构，传统的转移方法中，先转移发光二极管芯片至暂存基底，再在暂存基底制备支撑结构，导致支撑结构在制备过程中容易出现结构尺寸不统一，各个发光二极管芯片与粘附力值存在较大差异，会导致发光二极管芯片的转移良率降低。
[0004]因此，如何提高发光二极管芯片的转移良率是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种巨量转移方法，旨在解决发光二极管芯片的转移良率较低的技术问题。
[0006]一种巨量转移方法，其包括步骤：
[0007]提供一暂存基底，所述暂存基底具有若干阵列排布的支撑结构。
[0008]将粘附胶至少设置在各所述支撑结构中的第一表面上，以形成粘附胶层。
[0009]将处于衬底的多个发光二极管芯片通过所述粘附胶层与所述暂存基底粘接；其中，粘接后的所述发光二极管芯片的两个电极分别处于相邻的两个支撑结构上。
[0010]去除所述衬底。
[0011]将与暂存于所述暂存基底的各个发光二极管芯片转移至一背板上。
[0012]在所述暂存基底上预先设置有用于支撑发光二极管芯片的支撑结构，支撑结构的结构尺寸可统一设置，当各个发光二极管芯片与所述支撑结构粘接时，各个发光二极管芯片与所述支撑结构之间的粘附力的差异较小，可提高发光二极管芯片的转移良率。
[0013]可选的，在提供一暂存基底之前，包括步骤：
[0014]提供一基底，所述基底包括相背设置的第二表面和第三表面。
[0015]刻蚀所述基底的第二表面，使得至少所述若干支撑结构被保留而形成所述暂存基底。
[0016]通过直接刻蚀所述基底形成暂存基底，简化了形成暂存基底的工艺。
[0017]可选的，所述刻蚀所述基底的第二表面，包括步骤：
[0018]在所述基底的第二表面形成光刻胶层。
[0019]图案化所述光刻胶层以在所述光刻胶层中形成图案。
[0020]基于所述图案刻蚀所述基底，以形成若干支撑结构。
[0021]通过在光刻胶上形成图案，以便于各个支撑结构的形成，便于在形成各个支撑结构时，控制各个支撑结构的尺寸。
[0022]可选的，在提供一暂存基底之前，包括步骤：
[0023]提供一基底，所述基底包括相背设置的第二表面和第三表面。
[0024]在所述基底的第二表面形成二氧化硅层。
[0025]刻蚀所述二氧化硅层，使得所述二氧化硅层中被保留的部分形成所述若干支撑结构，其中，所述基底和所述若干支撑结构形成所述暂存基底。
[0026]通过在所述基底上设置二氧化硅层，并刻蚀所述二氧化硅层形成所述若干支撑结构，刻蚀所述二氧化硅层而形成所述若干支撑结构可适配多种刻蚀工艺，蚀刻形成所述若干支撑结构的工艺周期较短。
[0027]可选的，所述刻蚀所述二氧化硅层，包括步骤：
[0028]在所述二氧化硅层中远离所述基底的表面形成光刻胶层。
[0029]图案化所述光刻胶层以在所述光刻胶层中形成图案。
[0030]基于所述图案刻蚀所述二氧化硅层，以形成所述的若干支撑结构。
[0031]通过在光刻胶上形成图案，以便于各个支撑结构的形成，便于在形成各个支撑结构时，控制各个支撑结构的尺寸。
[0032]可选的，各个所述支撑结构中的第一表面平齐，使得当支撑结构与所述发光二管芯片粘接时，各个发光二极管芯片可平整的暂存于所述暂存基底上，同时利于发光二极管芯片与支撑结构的键合。
[0033]可选的，所述将粘附胶至少设置在各所述支撑结构中的第一表面上，以形成粘附胶层，包括步骤：
[0034]将粘附胶填充到各个所述支撑结构之间，且粘附胶覆盖于各所述支撑结构中的第一表面，以形成所述粘附胶层；在暂存基底上直接填充粘附胶，直到粘附胶覆盖所述的各个支撑结构，可便于支撑结构与发光二极管芯片粘接。
[0035]将处于衬底的多个发光二极管芯片通过所述粘附胶层与所述暂存基底粘接，包括步骤：
[0036]将每个所述发光二极光芯片的两个电极分别对应两个所述支撑结构；
[0037]使所述发光二极管芯片的两个电极陷入所述粘附胶层中，并分别与两个所述支撑结构贴合。
[0038]可选的，在将处于衬底的多个发光二极管芯片通过所述粘附胶层与所述暂存基底粘接之后，且在将与暂存于所述暂存基底的各个发光二极管芯片转移至一背板上之前，去除相邻支撑结构之间的所述粘附胶层，使各个发光二极管芯片的电极与各个支撑结构之间的所述粘附胶层被保留。
[0039]通过去除粘附胶层中相邻支撑结构之间的所述粘附胶层，避免粘附胶层中相邻支撑结构之间的所述粘附胶层影响到各个发光二极管芯片与暂存基底的粘附力。
[0040]可选的，将与暂存于所述暂存基底的各个发光二极管芯片转移至一背板上，包括步骤：
[0041]提供一转移头；
[0042]将所述转移头与暂存于所述暂存基底的各个发光二极管芯片粘接；通过所述转移头拾取各个所述发光二极管芯片，并将各个发光二极管芯片转移到所述背板上。
附图说明
[0043]图1为本申请实施例提供的巨量转移方法的流程示意图；
[0044]图2为图1的其中一个流程中的结构示意图；
[0045]图3为图1的其中一个流程中的结构示意图；
[0046]图4为图1的其中一个流程中的结构示意图；
[0047]图5为图1的其中一个流程中的结构示意图；
[0048]图6为图1的其中一个流程中的结构示意图。
[0049]附图标记说明：
[0050]10
‑
基底；11
‑
第二表面；12
‑
第三表面；
[0051]20
‑
光刻胶层；
[0052]30
‑
二氧化硅层；
[0053]100
‑
暂存基底；110
‑
支撑结构；111
‑
第一表面；
[0054]200
‑
粘附胶层；
[0055]300
‑
衬底；
[0056]400
‑
发光二极管芯片；410
‑
电极；
[0057]500
‑
背板；
[0058]600
‑
转移头。
具体实施方式
[0059]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括步骤：提供一暂存基底，所述暂存基底具有若干阵列排布的支撑结构；将粘附胶至少设置在各所述支撑结构中的第一表面上，以形成粘附胶层；将处于衬底的多个发光二极管芯片通过所述粘附胶层与所述暂存基底粘接；其中，粘接后的所述发光二极管芯片的两个电极分别处于相邻的两个支撑结构上；去除所述衬底；将与暂存于所述暂存基底的各个发光二极管芯片转移至一背板上。2.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在提供一暂存基底之前，包括步骤：提供一基底，所述基底包括相背设置的第二表面和第三表面刻蚀所述基底的第二表面，使得至少所述若干支撑结构被保留而形成所述暂存基底。3.如权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述刻蚀所述基底的第二表面，包括步骤：在所述基底的第二表面形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层以在所述光刻胶层中形成图案；基于所述图案刻蚀所述基底，以形成若干支撑结构。4.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在提供一暂存基底之前，包括步骤：提供一基底，所述基底包括相背设置的第二表面和第三表面；在所述基底的第二表面形成二氧化硅层；刻蚀所述二氧化硅层，使得所述二氧化硅层中被保留的部分形成所述若干支撑结构，其中，所述基底和所述若干支撑结构形成所述暂存基底。5.如权利要求4所述的巨量转移方法，其特征在于，所述刻蚀所述二氧化硅层，包括步骤：在所述二氧化硅层中远离所述基底的表面形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层以在所述光刻胶层中形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，萧俊龙，汪楷伦，蔡明达，詹蕊绮，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：