提供了一种能够通过保护膜来保护发光器件并且能够防止发光器件的性能下降从而维持良好的显示特性的显示装置，所述保护膜具有良好的密封特性以及侧壁阶梯覆盖。包括在基板２上设置的并且通过保护膜４保护的有机电致发光器件３的显示装置１的特征在于，保护膜４由氮化硅膜４ａ、４ｂ和４ｃ构成，所述氮化硅膜４ａ、４ｂ和４ｃ是通过使用氨气的化学气相沉积方法以层的方式形成的，高密度氮化硅膜４ｃ被设置在保护膜４的表层中，并且密度低于高密度氮化硅膜４ｃ的低密度氮化硅膜４ｂ被设置在高密度氮化硅膜４ｃ下面。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示装置，并且更具体地涉及包括被保护膜覆盖的有机电 致发光器件的显示装置。
技术介绍
作为能够通过低电压DC驱动来实现高辉度发光的发光器件，包括有 机层的有机电致发光器件受到关注，所述有机电致发光器件被设置在阳极 和阴极之间，并且其中层积了有机孔传输层和有机发光层。然而，有机电 致发光器件具有随时间逝去稳定性降低的问题，例如由于吸湿导致的辉度 降低和发光不稳定。因此，在使用有机电致发光器件的显示装置中，所述 有机电致发光器件被覆盖保护膜以防止湿气到达所述有机电致发光器件。作为这样的保护膜，例如氮化硅膜的有机材料膜被使用。为了形成该 氮化硅膜，已经提出使用仅将SiH4 (硅垸)气和N2 (氮)气用作原料气而 不使用氨(NH3)气的等离子体CVD方法。当如上所述地形成的这样的氮 化硅膜被用作保护膜时，在该保护膜中不会出现开裂或分离，并且有机电 致发光器件的操作也是稳定的(参见日本未经审査的专利申请公开No. 2000-223264 (具体地，段落0021—0022))。此外，已经提出了一种构造，其中在将SiH4 (硅烷)气、N2 (氮)气 和112 (氢)气用作原料气的沉积方法中，通过改变氮气浓度来控制膜密度 以形成包括在低密度氮化硅膜之间具有的高密度氮化硅层的三层结构，从 而减小保护膜中的残余应力并且防止膜分离(参见日本未经审查的专利申 i青公开No. 2004-63304 (具体地，段落0014—0015))。然而，如上所述的不使用氨(NH3)气作为原料气所形成的氮化硅膜 表现出针对波长接近450 nm的蓝光的较低透射率。因此，在所谓的顶部 发光型(t叩emission-type)显示装置中，蓝光的发光效率降低，因此全色显示装置的颜色再现能力降低，在所述顶部发光型显示装置中从有机电致 发光器件中发出的光通过保护膜被透射并且从与基板相对的一侧被射出。另一方面，当通过将氨(NH3)气用作原料气的CVD方法所形成的氮 化硅膜被用作保护膜时，必须通过减小沉积速率来增大所述氮化硅膜的密 度。然而，这样的高密度氮化硅膜具有较低侧壁阶梯覆盖(step coverage)并且导致暗点(dark spot)，因此导致有缺陷的产品。此外，因 为沉积速率较低，所以制造成本增大。此外，当沉积速率被设置为较高值时，氮化硅膜的密封属性变弱导致 器件的发光寿命縮短、色品降低并且驱动电功率增大。此外，存在这样的 问题，其中50 nm到300 nm的杂质黏附到膜的表面，因此不能维持保护 膜的质量稳定性。因此，本专利技术的目的在于提供一种显示装置，其中可以通过具有较高 密封特性和侧壁阶梯覆盖的并且没有任何物质黏附于其表面的保护膜来保 护发光器件，从而使得发光器件的性能下降以及暗点的出现可以被防止， 从而维持由从保护膜一侧射出的辐射光决定的良好的显示特性。
技术实现思路
为了实现所述目的，本专利技术的显示装置被配置为包括在基板上设置的 并且通过保护膜保护的发光器件，并且具体地该显示装置的特征在于，保 护膜是由氮化硅膜的层构成的，所述氮化硅膜具有不同的膜密度并且通过 使用氨气的化学气相沉积(chemical vapor deposition)方法来沉积，并且 保护膜的表层的氮化硅膜被配置为具有比下一层的氮化硅膜的密度更高的 密度。在具有上述结构的显示装置中，通过使用氨气的化学气相沉积方法形 成的氮化硅膜被用作保护膜，因此从发光器件发出的蓝光从保护膜一侧被 射出而不会被削弱。此外，构成保护膜的表层的氮化硅膜具有比下一层的 密度更高的密度，从而改善了密封特性。另一方面，较低氮化硅膜具有比 较高层的密度更低的密度。这样的低密度膜主要通过气相反应来形成，因 此具有良好的侧壁阶梯覆盖。因此，发光器件被具有良好的密封特性以及良好的侧壁阶梯覆盖的保护膜所保护。此外，因为保护膜的表层由高密度 氮化硅膜(即，主要通过表面反应而形成的膜)构成，所以与在主要以较 高沉积速率进行气相反应的条件下终止膜沉积的情况相比较而言，可以防 止杂质黏附于表面。如上所述，本专利技术的显示装置具有良好的密封特性以及良好的侧壁阶 梯覆盖，并且能够通过没有任何杂质黏附于膜表面的保护膜来保护发光器 件，从而防止发光器件的特性下降以及暗点的出现，并且维持由从保护膜 一侧射出的辐射光决定的良好的显示特性。附图说明图1是示出根据一个实施例的显示装置的轮廓的示图，图1 (A)是 示意性框图，并且图l (B)是像素电路的框图。图2是示出根据一个实施例的显示装置的主要部分的配置的剖视图。图3是示出根据一个实施例的显示装置的主要部分的另一配置的剖视图。图4是示出具有应用了本专利技术的密封配置的模块形状显示装置的配置 的示图。图5是示出应用了本专利技术的电视机的透视图。图6是示出应用了本专利技术的数字相机的透视图，图6 (A)是从前方 的透视图，并且图6 (B)是从后方的透视图。图7是示出应用了本专利技术的笔记本大小的个人计算机的透视图。 图8是示出应用了本专利技术的摄像机的透视图。图9是示出应用了本专利技术的移动终端设备的示图，图9 (A)是在打 开状态的前视图，图9 (B)是侧视图，图9 (C)是在闭合状态的前视 图，图9 (D)是左侧视图，图9 (E)是右侧视图，图9 (F)是俯视图， 并且图9 (G)是仰视图。图10是主要部分的配置的剖视图，其示出对比示例中的每个样本1 到4的配置。图11是示出构成对比示例的每个样本的单一氮化硅膜的氧化率的图表。图12是示出示例1的显示装置和对比示例的样本的每个的辉度的性 能下降速率(发光寿命)的图表。具体实施方式以下，将参考附图描述本专利技术的实施例。图1是示出根据一个实施例的显示装置的示例的示图，图1 (A)是 示意性框图，并且图1 (B)是像素电路的框图。在此，对如下的实施例 进行描述，其中本专利技术被应用于将有机电致发光器件3用作发光器件的有 源矩阵型显示装置l。如图1 (A)所示，显示区域2a和外围区域2b被设置在显示装置l的 基板2上。在显示区域2a中，以栅格形式配置多条扫描线9和多条信号线 11，并且与扫描线和信号线的每个交叉点相对应地设置像素a以形成像素 阵列。在每个像素a上设置有机电致发光元件。在外围区域2b中，配置了 用于扫描并驱动扫描线9的扫描线驱动电路13和用于根据辉度信息将视 频信号(即，输入信号)供应到信号线11的信号线驱动电路15。如图1 (B)所示，例如，在每个像素a上设置的像素电路由有机电致 发光器件3、驱动晶体管Trl、写晶体管(采样晶体管)Tr2和存储电容器 Cs组成。因此，通过扫描线驱动电路13的驱动，经由写晶体管Tr2从信 号线11输入的视频信号被保存在存储电容器Cs中，与保存信号的数量相 对应的电流被供应给有机电致发光元件3，导致以根据电流值的辉度从有 机电致发光器件3发光。此外，上述的像素电路的配置仅是一个示例，并且电容器元件可以根 据需求被设置在像素电路中，或者还可以设置多个晶体管来配置像素电 路。此外，根据像素电路中的改变来添加必要的驱动电路。接下来，基于图2来描述显示装置1的主要部分的剖面配置。图2是 主要部分的配置的剖视图，其示出与在显示区域中设置的一个有机电致发 光器件3相对应的部分。如该图所示，显示装置1被配置使得在基板2本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，包括设置在基板上的通过保护膜保护的发光器件，所述显示装置的特征在于，所述保护膜是通过层积氮化硅膜而形成的，所述氮化硅膜具有不同的膜密度并且通过使用氨气的化学气相沉积方法来沉积，并且所述保护膜的表层的氮化硅膜被配置为具有比所述表层下面的氮化硅膜的密度更高的密度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：今井利明，安部薰，久保田绅治，森川慎一郎，西村贞一郎，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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