量子点及其制备方法、显示面板技术

技术编号:36894942 阅读:25 留言:0更新日期:2023-03-15 22:22
本申请提供一种量子点及其制备方法、显示面板。该量子点的制备方法包括步骤:将锌源、第一溶剂和铟源混合搅拌,得到第一混合溶液;加热并搅拌第一混合溶液至第一预设温度,向第一混合溶液中加入磷源,进行内核生长,得到含有内核的内核混合液,内核的材料包括InP;向内核混合液中加入第二溶剂以及硫前驱体和硒前驱体,并升温至第二预设温度,在第一预设时间内于内核的表面生长壳层,壳层的材料包括ZnSeS。该制备方法制得的量子点环保、量子点效率高。量子点效率高。量子点效率高。

【技术实现步骤摘要】
量子点及其制备方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种量子点及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展,量子点(Quantum Dot,QD)因色彩饱和度高、量子转换效率高等优势,逐步渗透与现有的显示技术中,以实现图像的全彩化显示。
[0003]在现有技术中,硒化镉(CdSe)量子点因高量子点转换效率以及窄半峰宽等性能优势,成为该领域内的首选。但随着环保法规的出台,限制重金属在产品中的运用,因此,其他环境友好型量子点材料逐步被研发以替代含铬量子点材料,例如磷化铟(InP)、钙钛矿、碳量子等。
[0004]然而,现有技术中的不含镉的量子点易受外界环境影响导致量子点效率下降。

技术实现思路

[0005]本申请提供的量子点及其制备方法,旨在解决现有不含镉量子点易受外界环境影响导致量子点效率下降的问题。
[0006]为解决上述技术问题,本申请采用的第一个技术方案是:提供一种量子点的制备方法。该量子点的制备方法包括以下步骤:
[0007]将锌源、第一溶剂和铟源混合搅拌,得到第一混合溶液;
[0008]加热并搅拌所述第一混合溶液至第一预设温度,向所述第一混合溶液中加入磷源,进行内核生长,得到含有所述内核的内核混合液;其中,所述内核的材料包括InP;
[0009]向所述内核混合液中加入第二溶剂以及硫前驱体和硒前驱体,并升温至第二预设温度,在第一预设时间内于所述内核的表面生长壳层;其中,所述壳层的材料包括ZnSeS
[0010]其中,所述将锌源、第一溶剂和铟源混合搅拌,得到第一混合溶液的步骤具体包括:
[0011]将锌源溶于所述第一溶剂中,在惰性气体环境中升温至第三预设温度并搅拌第二预设时间,形成第一溶液;
[0012]向所述第一溶液中加入所述第三溶剂,形成第二溶液;
[0013]向所述第二溶液中加入所述铟源,以得到所述第一混合溶液。
[0014]其中,所述锌源为醋酸锌,所述第一溶剂为油酸,所述第三溶剂为十八烯,所述铟源为氯化铟,所述磷源为三甲基膦和/或三辛基膦;所述第一预设温度为250~300℃,所述第三预设温度为100~140℃,所述第二预设时间为1~4h。
[0015]其中,所述向所述内核混合液中加入第二溶剂以及硫前驱体和硒前驱体,并升温至第二预设温度,在第一预设时间内于所述内核的表面生长壳层的步骤具体包括:
[0016]向所述内核混合液中加入清洗试剂,以清洗纯化所述内核;
[0017]向清洗纯化后的所述内核混合液中加入所述第二溶剂,并在第四预设温度下搅拌第三预设时间,形成第三溶液;
[0018]向所述第三溶液中加入所述硫前驱体和所述硒前驱体,在惰性气体环境中升温至所述第二预设温度,在所述第一预设时间内于所述内核的表面生长壳层。
[0019]其中,所述硫前驱体为硫

三辛基混合溶液,所述硒前驱体为硒

三辛基混合溶液,所述清洗试剂为三氯甲烷,所述第二溶剂为十八烯;所述第二预设温度为280~320℃,所述第四预设温度为120~160℃,所述第一预设时间为2~4h,所述第三预设时间为1.5~2.5h。
[0020]为解决上述技术问题,本申请采用的第二种技术方案是:提供一种量子点。该量子点为通过上述技术方案中所涉及的量子点的制备方法所制备的量子点,所述量子点的所述壳层的厚度为5~20nm。
[0021]为解决上述技术问题,本申请采用的第三种技术方案是:提供一种量子点。该量子点包括内核和课程,所述壳层包覆于所述内核的表面,所述内核的材料包括InP,所述壳层的材料包括ZnSeS,所述壳层的厚度为5~15nm。
[0022]其中,所述量子点由所述内核和所述壳层组成,所述内核的材料为InP,所述壳层的材料为ZnSeS;所述量子点能够吸收蓝色光并受激发射绿色光。
[0023]其中,所述壳层为单层,所述内核的材料为InP,所述壳层的材料为ZnSeS,所述量子点能够吸收蓝色光并受激发射绿色光;所述量子点的粒径范围为10~25nm,所述量子点的吸收波长范围为440~460nm,所述量子点的发射波长范围为500~570nm;所述量子点的发射半峰宽小于或等于55nm。
[0024]为解决上述技术问题,本申请采用的第一个技术方案是:提供一种显示面板。该显示面板包括如上述技术方案所涉及的量子点。
[0025]本申请实施例的有益效果:区别于现有技术,本申请实施例提供的量子点及其制备方法,该量子点的制备方法通过将锌源、第一溶剂和铟源混合搅拌,得到第一混合溶液的步骤,和加热并搅拌第一混合溶液至第一预设温度,向第一混合溶液中加入磷源,进行内核生长,得到含有内核的内核混合液的步骤,以获得量子点的内核,且使得内核的材料包括InP;然后通过向内核混合液中加入第二溶剂以及硫前驱体和硒前驱体,并升温至第二预设温度,在第一预设时间内于内核的表面生长壳层的步骤,以使内核的表面被壳层包覆,且使得壳层的材料包括ZnSeS,从而获得InP/ZnSeS核壳结构的量子点,不仅符合国家环保政策要求,对环境友好,而且可通过调控第一预设时间的长短对壳层的厚度进行调整,从而获得最佳厚度的壳层的量子点,从而获得最佳厚度的壳层的量子点,能够有效减少量子点淬灭,即使应用于等离子共振时也可有效减少量子点淬灭,从而有效提高量子效率,并且使得量子点在吸收波段具有较强且较宽的吸收峰,从而提高该量子点的转换效率;同时,通过使一定厚度的壳层包覆于内核,能够有效减少因外界水氧侵蚀造成量子点效率下降的问题,并且在该量子点的制备方法中所使用的原料的种类较少,制备工艺流程较少,可有效减少该量子点的生产成本,以及提高产率。
附图说明
[0026]为更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本申请一实施方式提供的量子点的制备方法的流程示意图;
[0028]图2是图1中步骤S1的流程示意图;
[0029]图3是图1中步骤S3的流程示意图;
[0030]图4是本申请一实施方式提供的量子点的透射电镜图;
[0031]图5是本申请一实施方式提供的量子点的吸收光谱示意图;
[0032]图6是本申请一实施方式提供的量子点发射光谱示意图;
[0033]图7是本申请一实施例提供的量子点的结构示意图。
[0034]附图标记:
[0035]10

量子点;11

内核;12

壳层。
具体实施方式
[0036]下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将锌源、第一溶剂和铟源混合搅拌,得到第一混合溶液;加热并搅拌所述第一混合溶液至第一预设温度,向所述第一混合溶液中加入磷源,进行内核生长,得到含有所述内核的内核混合液;其中,所述内核的材料包括InP;向所述内核混合液中加入第二溶剂以及硫前驱体和硒前驱体,并升温至第二预设温度,在第一预设时间内于所述内核的表面生长壳层;其中,所述壳层的材料包括ZnSeS。2.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述将锌源、第一溶剂和铟源混合搅拌,得到第一混合溶液的步骤具体包括:将锌源溶于所述第一溶剂中,在惰性气体环境中升温至第三预设温度并搅拌第二预设时间,形成第一溶液;向所述第一溶液中加入第三溶剂,形成第二溶液;向所述第二溶液中加入所述铟源,以得到所述第一混合溶液。3.根据权利要求2所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述锌源为醋酸锌,所述第一溶剂为油酸,所述第三溶剂为十八烯,所述铟源为氯化铟,所述磷源为三甲基膦和/或三辛基膦;所述第一预设温度为250~300℃,所述第三预设温度为100~140℃,所述第二预设时间为1~4h。4.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述向所述内核混合液中加入第二溶剂以及硫前驱体和硒前驱体,并升温至第二预设温度,在第一预设时间内于所述内核的表面生长壳层的步骤具体包括:向所述内核混合液中加入清洗试剂,以清洗纯化所述内核;向清洗纯化后的所述内核混合液中加入所述第二溶剂,并在第四预设温度下搅拌第三预设时间,形成第三溶液;向所述第三溶液中加入所述硫前驱体和所述硒前驱体,在惰性气体环境...

【专利技术属性】
技术研发人员:王然龙袁海江
申请(专利权)人:惠科股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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