一种浪涌保护和掉电延迟电路制造技术

本发明专利技术公开了一种浪涌保护和掉电延迟电路，包括：浪涌保护模块和掉电延迟模块，其中，浪涌保护模块包括第一电容、第一二极管、第一电阻、第一光耦合器、第一MOS管和第二二极管；掉电延迟模块包括第三二极管、第二MOS管、第二电容、第二电阻和第四二极管。第一电容的第一端与正极输入端、第一光耦合器的发射端正极、第一光耦合器的接收端集电极、第二MOS管的源极、第四二极管的负极和正极输出端连接；第一电容的第二端与第一二极管的正极、第一MOS管的漏极、第三二极管的正极、第二电容的第一端和第一电阻的第一端连接。本申请的技术方案将电路中的后级电容分开充电，在满足浪涌电流小、脉冲宽度小的同时，不增加设备启动时间。不增加设备启动时间。不增加设备启动时间。

【技术实现步骤摘要】
一种浪涌保护和掉电延迟电路


[0001]本专利技术涉及电子
，特别是涉及一种浪涌保护和掉电延迟电路。

技术介绍

[0002]在电路中，通电瞬间会先给后级电容充电使得电容两端电压升高。在电容充电瞬间，电容相当于开路。电路会在极短的时间内(微秒级)产生极大的瞬时电流，造成电压骤降，对电路中的设备产生不可逆损伤会的同时还会导致同一电源供电的其他设备故障。
[0003]目前一般通过在电路中加入功率电阻对后级电容产生的浪涌电流进行吸收。但是电流是热损坏，对于很短时间的浪涌电流，对电子元器件一般不会造成损害，若长时间的浪涌电流则容易烧坏电子元器件，造成供电设备和产品本身损坏。电路后级的电容容量一般较大，因此在电容充电过程中，浪涌电流的脉冲宽度(大电流持续时间)大，在持续的工作中，功率电阻会产生难以承受的损耗。虽然降低功率电阻的阻值可以缩短脉冲宽度，但是会引起浪涌电流的升高，较大的浪涌电流也会对供电设备和产品本身早上损坏；而若增大功率电阻的阻值，虽然一定程度上可以减少浪涌电流，但是会增大脉冲宽度，进而增大产品的启动。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种浪涌保护和掉电延迟电路，将电路中的后级电容分开充电，在满足浪涌电流小、脉冲宽度小的同时，不增加启动时间。
[0005]第一方面，本申请提供了一种浪涌保护和掉电延迟电路，包括浪涌保护模块和掉电延迟模块，具体为：
[0006]所述浪涌保护模块包括第一电容、第一二极管、第一电阻、第一光耦合器、第一MOS管和第二二极管；
[0007]所述掉电延迟模块包括第三二极管、第二MOS管、第二电容、第二电阻和第四二极管；
[0008]所述第一电容的第一端与正极输入端、所述第一光耦合器的发射端正极、所述第一光耦合器的接收端集电极、所述第二MOS管的源极、所述第四二极管的负极和正极输出端连接；
[0009]所述第一电容的第二端与所述第一二极管的正极、所述第一MOS管的漏极、所述第三二极管的正极、所述第二电容的第一端和所述第一电阻的第一端连接；
[0010]所述第一二极管的负极与所述第一光耦合器的发射端负极连接；
[0011]所述第一MOS管的栅极与所述第一光耦合器的接收端发射极、所述第二二极管的负极连接；
[0012]所述第二二极管的正极与所述第一MOS管的源极、所述第一电阻的第二端和负极输入端连接；
[0013]所述第三二极管的负极与所述第二MOS管的栅极连接；
[0014]所述第二MOS管的漏极与所述第二电阻的第一端连接；
[0015]所述第二电阻的第二端与所述第二电容的第一端、所述第四二极管的正极连接。
[0016]这样，通过第一电阻限制上电瞬间的浪涌电流，并将上电瞬间的浪涌电流吸收。当第一电容两端具有一定电压后，第一电容的充电电容就会大幅度减小，此时第一MOS管导通，电路回复正常工作状态，起到了浪涌保护的作用。进一步的，将第二电容的充电回路与第一电容的充电回路分开，在上电瞬间先给第一电容充电，浪涌保护模块仅需要考虑第一电容的浪涌电流，因此浪涌电流和脉冲宽度均较小，不会额外增加设备的启动时间。
[0017]在一种实现方式中，所述浪涌保护模块还包括第三电容、第三电阻、第四电阻和第五电阻，具体为：
[0018]所述第三电容的第一端与所述第一MOS管的栅极、所述第五电阻的第一端、所述第二二极管的负极和所述第一光耦合器的接收端发射极连接；
[0019]所述第三电容的第二端与所述第一MOS管的源极、所述第五电阻的第二端、所述第二二极管的正极和负极输入端连接；
[0020]所述第三电阻的第一端与所述正极输入端、所述第四电阻的第一端和所述第一电容的第一端连接；
[0021]所述第三电阻的第二端与所述第一光耦合器的接收端集电极连接；
[0022]所述第四电阻的第二端与所述第一光耦合器的发射端正极连接。
[0023]在一种实现方式中，所述掉电延迟模块还包括第六电阻、第七电阻、第八电阻、第五二极管、第四电容和第五电容，具体为：
[0024]所述第六电阻的第一端与所述第一电容的第一端、所述第五二极管的负极、所述第七电阻的第一端、所述第四电容的第一端和所述第二MOS管的源极连接；
[0025]所述第六电阻的第二端与所述第一电容的第二端、所述第一二极管的正极、所述第三二极管的正极、所述第五电容的第二端、所述第二电容的第二端和负极输出端连接；
[0026]所述第七电阻的第二端与所述第五二极管的正极、所述第八电阻的第一端、所述第四电容的第二端和所述第二MOS管的栅极连接；
[0027]所述第八电阻的第二端与所述第三二极管的负极连接；
[0028]所述第二MOS管的漏极与第五电容的第一端、所述第二电阻的第一端连接。
[0029]在一种实现方式中，所述第一MOS管为NMOS管，所述第二MOS管为PMOS管。
[0030]在一种实现方式中，所述第一电阻和所述第二电阻为功率电阻；
[0031]所述第二电容为储能电容。
[0032]在一种实现方式中，所述第一二极管、第二二极管和所述第三二极管为稳压二极管。
[0033]在一种实现方式中，所述第三电阻和所述第五电阻为分压电阻。
[0034]在一种实现方式中，所述第六电阻为泄放电阻；
[0035]所述第五二极管为稳压二极管；
[0036]所述第五电容为滤波电容。
附图说明
[0037]图1是本专利技术实施例提供的一种浪涌保护和掉电延迟电路的连接关系示意图。
具体实施方式
[0038]下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。
[0039]本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0040]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0041]首先，对本申请中的部分用语进行解释说明，以便于本领域技术人员理解。
[0042](1)功率电阻：功率电阻是一种保险电阻，用于电路的电源中。它控制着某一电路中的电源电压和电流，一但过流、过压，功率电阻就烧坏，电路中就没有电流，对电路起着保护作用。
[0043](2)滤波电容：滤波电容是指安装在整流电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浪涌保护和掉电延迟电路，其特征在于，包括浪涌保护模块和掉电延迟模块，具体为：所述浪涌保护模块包括第一电容、第一二极管、第一电阻、第一光耦合器、第一MOS管和第二二极管；所述掉电延迟模块包括第三二极管、第二MOS管、第二电容、第二电阻和第四二极管；所述第一电容的第一端与正极输入端、所述第一光耦合器的发射端正极、所述第一光耦合器的接收端集电极、所述第二MOS管的源极、所述第四二极管的负极和正极输出端连接；所述第一电容的第二端与所述第一二极管的正极、所述第一MOS管的漏极、所述第三二极管的正极、所述第二电容的第一端和所述第一电阻的第一端连接；所述第一二极管的负极与所述第一光耦合器的发射端负极连接；所述第一MOS管的栅极与所述第一光耦合器的接收端发射极、所述第二二极管的负极连接；所述第二二极管的正极与所述第一MOS管的源极、所述第一电阻的第二端和负极输入端连接；所述第三二极管的负极与所述第二MOS管的栅极连接；所述第二MOS管的漏极与所述第二电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端与所述第二电容的第一端、所述第四二极管的正极连接。2.如权利要求1所述的一种浪涌保护和掉电延迟电路，其特征在于，所述浪涌保护模块还包括第三电容、第三电阻、第四电阻和第五电阻，具体为：所述第三电容的第一端与所述第一MOS管的栅极、所述第五电阻的第一端、所述第二二极管的负极和所述第一光耦合器的接收端发射极连接；所述第三电容的第二端与所述第一MOS管的源极、所述第五电阻的第二端、所述第二二极管的正极和负极输入端连接；所述第三电阻的第一端与所述正极输入端、所述第四电阻的第一端和所述第一电容的第一端连接；所述第三电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李斌，李刚，王磊，陈俊言，董国良，
申请(专利权)人：上海军陶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：