本发明专利技术实施例提供一种500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置，属于500kV变电站高压断路器电磁屏蔽技术领域。包括吸收层，用于对变电站内部工频磁场的电磁波进行吸收透入；第一屏蔽层，设置在所述吸收层的一侧，用于对所述电磁波进行初步的屏蔽衰减；本发明专利技术提供的500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置通过吸收层能够允许工频磁场产生的电磁波的进入，该电磁波依次经过第一屏蔽层、第二屏蔽层、第三屏蔽层以及第四屏蔽层进行屏蔽衰减，进而大大降低了工频磁场产生的电磁波对高压断路器的闭合回路的影响，有效地保障了高压断路器性能测试的准确性。测试的准确性。测试的准确性。
【技术实现步骤摘要】
500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置
[0001]本专利技术涉及500kV变电站高压断路器电磁屏蔽
，具体地涉及一种500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置。
技术介绍
[0002]500kV变电站是指最高电压等级为500kV的变电站，其输入电能和输出电能的电压分一般为500kV和220kV。为了维护变电站中电网的安全运行，一般会设置有多个高压断路器，以对变电站的输入输出线路进行保护，且也会经常对高压断路器的分合闸的性能进行测试。
[0003]目前，对于高压断路器的性能测试，一般是采用信号发生装置对高压断路器的一侧的接地线上耦合出感应电流，在高压断路器另一侧的接地线上识别感应电流，以此来确定高压断路器的分合闸性能。但是该种方式会受到变电站内部多个带电导线或者导体等产生的工频磁场的影响，进而会导致对高压断路器的性能测试的效果差。
[0004]本申请专利技术人在实现本专利技术的过程中发现，现有技术的上述方案具有变电站中工频磁场会对高压断路器的性能测试效果差的缺陷。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例的目的是提供一种500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置，该500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置具有降低变电站外部工频磁场对高压断路器闭合回路的影响。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术实施例提供一种500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置，包括：
[0007]吸收层，用于对变电站内部工频磁场的电磁波进行吸收透入；
[0008]第一屏蔽层，设置在所述吸收层的一侧，用于对所述电磁波进行初步的屏蔽衰减；
[0009]第二屏蔽层，与所述第一屏蔽层贴合设置，且与所述第一屏蔽层远离所述吸收层的一侧，用于对所述电磁波进行二次屏蔽衰减；
[0010]第三屏蔽层，与所述第二屏蔽层远离所述第一屏蔽层的一侧贴合设置，用于对所述电磁波进行三次屏蔽衰减；
[0011]第四屏蔽层，设置在所述第三屏蔽层的侧面，且位于所述第三屏蔽层远离所述第二屏蔽层的一侧，用于对所述电磁波进行四次屏蔽衰减。
[0012]可选地，所述第一屏蔽层包括金属材料。
[0013]可选地，所述第二屏蔽层包括非晶态合金材料。
[0014]可选地，所述第三屏蔽层包括导电高聚物材料。
[0015]可选地，所述第四屏蔽层包括碳系材料。
[0016]可选地，所述碳系材料包括环氧树脂基碳纳米复合材料。
[0017]可选地，所述第一屏蔽层、所述第二屏蔽层、所述第三屏蔽层以及所述第四屏蔽层
的内部均开设有多个泡孔。
[0018]可选地，多个所述泡孔均匀分布。
[0019]可选地，所述环氧树脂基碳纳米复合材料的内部填充有导电填料，所述导电填料形成导电网络。
[0020]可选地，所述导电填料设置有多种，多种所述导电填料分层或者按梯度分布。
[0021]通过上述技术方案，本专利技术提供的500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置通过吸收层能够允许工频磁场产生的电磁波的进入，该电磁波依次经过第一屏蔽层、第二屏蔽层、第三屏蔽层以及第四屏蔽层进行屏蔽衰减，进而大大降低了工频磁场产生的电磁波对高压断路器的闭合回路的影响，有效地保障了高压断路器性能测试的准确性。
[0022]本专利技术实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0023]附图是用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术实施例，但并不构成对本专利技术实施例的限制。在附图中：
[0024]图1是根据本专利技术的一个实施方式的500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置的结构框图；
[0025]图2是根据本专利技术的一个实施方式的500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置中泡孔结构的示意图。
[0026]附图标记说明
[0027]01、吸收层
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02、第一屏蔽层
[0028]03、第二屏蔽层
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04、第三屏蔽层
[0029]05、第四屏蔽层
具体实施方式
[0030]以下结合附图对本专利技术实施例的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术实施例，并不用于限制本专利技术实施例。
[0031]图1是根据本专利技术的一个实施方式的500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置的结构框图。在图1中，该电磁屏蔽装置可以包括吸收层01、第一屏蔽层02、第二屏蔽层03、第三屏蔽层04以及第四屏蔽层05。
[0032]吸收层01用于对变电站内部工频磁场的电磁波进行吸收透入，第一屏蔽层02设置在吸收层01的一侧，用于对电磁波进行初步的屏蔽衰减。第二屏蔽层03与第一屏蔽贴合设置，且与第一屏蔽层02远离吸收层01的一侧，用于对电磁波进行二次屏蔽衰减。第三屏蔽层04与第二屏蔽层03远离第一屏蔽层02的一侧贴合设置，用于对电磁波进行三次屏蔽衰减。第四屏蔽层05设置在第三屏蔽层04的侧面，且位于第三屏蔽层04远离第二屏蔽层03的因此而，用于对电磁波进行第四次屏蔽衰减。
[0033]在需要对变电站的高压断路器进行性能测试时，将屏蔽装置设置在高压断路器的外侧。工频磁场的电磁波沿着吸收层01进入，并依次经过第一屏蔽层02、第二屏蔽层03、第三屏蔽层04以及第四屏蔽层05。对于信号较弱的电磁波，在第一屏蔽层02、第二屏蔽层03或
者第三屏蔽层04就被屏蔽掉，但是对于信号较强的电磁波，会进入第四屏蔽层05的内部。第一屏蔽层02、第二屏蔽层03、第三屏蔽层04以及第四屏蔽层05能够对电磁波进行逐级屏蔽衰减，进而能够实现对工频磁场电磁波的有效屏蔽。
[0034]传统的高压断路器在进行性能测试的过程中，一般是采用信号发生装置对高压断路器的一侧的接地线上耦合出感应电流，在高压断路器另一侧的接地线上识别感应电流，以此来确定高压断路器的分合闸性能。但是该种方式会受到变电站内部多个带电导线或者导体等产生的工频磁场的影响，进而会导致对高压断路器的性能测试的效果差。在本专利技术的该实施方式中，采用四层屏蔽层配合衰减电磁波的方式，能够大大降低了工频磁场产生的电磁波对高压断路器的闭合回路的影响，有效地保障了高压断路器性能测试的准确性。
[0035]在本专利技术的该实施方式中，对于第一屏蔽层02的具体材质，包括但不限于金属材料。具体地，电磁屏蔽主要是利用对电磁波的反射和吸收来消除或减弱电磁波。电磁屏蔽理论认为，当电磁波传播到屏蔽材料表面时，通常有三种不同机理进行衰减：
[0036]1、入射表面的反射损耗；
[0037]2、未被反射而进入屏蔽体内的吸收损耗；
[0038]3、屏蔽体内部的多重反射损耗。
[0039]金属是传统电磁屏蔽材料，因有良好的导电性和高磁导率而被大量使用。金属材料的导电能力比大多数高分子材料好，因此可以通过在高分本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种500kV变电站高压断路器的电磁屏蔽装置，其特征在于，包括：吸收层(01)，用于对变电站内部工频磁场的电磁波进行吸收透入；第一屏蔽层(02)，设置在所述吸收层(01)的一侧，用于对所述电磁波进行初步的屏蔽衰减；第二屏蔽层(03)，与所述第一屏蔽层(02)贴合设置，且与所述第一屏蔽层(02)远离所述吸收层(01)的一侧，用于对所述电磁波进行二次屏蔽衰减；第三屏蔽层(04)，与所述第二屏蔽层(03)远离所述第一屏蔽层(02)的一侧贴合设置，用于对所述电磁波进行三次屏蔽衰减；第四屏蔽层(05)，设置在所述第三屏蔽层(04)的侧面，且位于所述第三屏蔽层(04)远离所述第二屏蔽层(03)的一侧，用于对所述电磁波进行四次屏蔽衰减。2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽装置，其特征在于，所述第一屏蔽层(02)包括金属材料。3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽装置，其特征在于，所述第二屏蔽层(0...
【专利技术属性】
技术研发人员：晏松，张晓明，章海斌，王志鹍，张学友，黄道均，马欢，马凯，袁露，
申请(专利权)人：国网安徽省电力有限公司超高压分公司，
类型：发明
国别省市：
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