一种基于流延技术的陶瓷基板制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于流延技术的陶瓷基板制备方法，包括步骤：制备流延浆料、流延成型、低温烘干和烧结；低温烘干中，首先生瓷带进入35℃

【技术实现步骤摘要】
一种基于流延技术的陶瓷基板制备方法


[0001]本专利技术属于陶瓷基板成型领域，更具体的说涉及一种基于流延技术的陶瓷基板制备方法。

技术介绍

[0002]陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。现有技术中，陶瓷基板的制备主要还是通过流延成型的方法。现有技术中，在流延成型工艺的烘干过程中，易出现生瓷带各处受热不均或出现局部变形等问题，影响成型的生瓷片的平整度，影响陶瓷基板的质量和性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种基于流延技术的陶瓷基板制备方法，解决现有技术中流延成型中存在的问题。
[0004]本专利技术技术方案一种基于流延技术的陶瓷基板制备方法，
[0005]S1、制备流延浆料，按照重量分数将50
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80粉的微米陶瓷粉体浆料和20
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30份的溶剂进行充分混合，得到第一浆料；然后向第一浆料中加入0.5
‑
5份分散剂，进行第一次球磨，第一次球磨时间20
‑
40小时，得到第二浆料，向第二浆料中加入3<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于流延技术的陶瓷基板制备方法，其特征在于，S1、制备流延浆料，按照重量分数将50
‑
80粉的微米陶瓷粉体浆料和20
‑
30份的溶剂进行充分混合，得到第一浆料；然后向第一浆料中加入0.5
‑
5份分散剂，进行第一次球磨，第一次球磨时间20
‑
40小时，得到第二浆料，向第二浆料中加入3
‑
5份的粘结剂和2
‑
5份的增塑剂，进行第二次球磨，第二次球磨时间为20
‑
40小时，得到第三浆料；向第三浆料中加入0.01
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0.8份消泡剂，进行充分缓慢搅拌，搅拌速度60
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80转/分，搅拌时间为10
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20分钟，获得流延浆料；S2、流延成型，将S1中制备的流延浆料至于流延机内，进行流延，获得生瓷带，在流延中保持浆料缓慢搅拌，搅拌速度60
‑
80转/分；S3、低温烘干，将S2中获得的生瓷带至于烘干机中进行低温烘干，烘干后进行切割，获得生瓷片；烘干中，首先生瓷带进入35℃
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55℃区域烘干，然后进入50℃
‑
70℃区域烘干，最后进入68℃
‑
90℃区域烘干；S4、烧结，将生瓷片经过电路图形印刷和层积成型后再至于石墨烧结炉中进行烧结；进行流动性氮气气氛正压烧结，气压15KPa～50KPa，烧结温度为1680℃～1750℃；快速升温至1680℃～1750℃并保持恒温2
‑
5小时；烧结完成后在流动性氮气气氛常压下自热冷却至室温，获得成品。2.根据权利要求1所述的基于流延技术的陶瓷基板制备方法，其特征在于，S1中，所述微米陶瓷粉体浆料中含有质量份数30％
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60％的微米陶瓷粉体以及质量份数5％
‑
10％的GaO
‑
Al2O3‑
SiO2；所述溶剂为无水乙醇、异丙醇、正丁醇、磷酸三乙酯和二甲苯中任意两种的混合物，混...

【专利技术属性】
技术研发人员：严回，
申请(专利权)人：上海晶讯通新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：