【技术实现步骤摘要】
半导体器件和包括该半导体器件的电子装置
[0001]本公开涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子装置,更具体地,涉及具有拥有小厚度的防扩散阻挡物的半导体器件和包括该半导体器件的电子装置。
技术介绍
[0002]晶体管是执行电开关作用的半导体器件,并且用于各种集成电路器件,包括存储器、驱动集成电路(IC)、逻辑器件等。为了增加集成电路器件的集成度,由在其中提供的晶体管占据的空间急剧减小。由于减小的空间,随着构成晶体管的层的厚度变薄,在形成源极/漏极电极期间或之后,用于形成源极/漏极电极的气体或金属倾向于扩散到其它周围层中。因此,已经进行了在保持性能的同时减小晶体管的尺寸的研究。
技术实现思路
[0003]提供了具有高性能同时进一步减小其尺寸的半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。
[0004]附加方面将部分地在以下描述中阐述,部分地将从描述显而易见,或者可以通过本公开的所呈现的实施方式的实践而了解。
[0005]根据一实施方式,一种半导体器件可以包括:第一源极/漏极结构,包括第一半导体区域和与第一半导体区域电接触的第一电极;第二源极/漏极结构,包括第二半导体区域和与第二半导体区域电接触的第二电极;在第一半导体区域和第二半导体区域之间的沟道;以及栅极结构,包括覆盖沟道的栅极绝缘膜和覆盖栅极绝缘膜的栅电极。第一源极/漏极结构可以进一步包括硅化物膜和导电阻挡物。硅化物膜可以在第一半导体区域和第一电极之间。导电阻挡物可以在硅化物膜和第一电极之间。导电阻挡物可以包括导电的二维材料。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,包括:第一源极/漏极结构,包括第一半导体区域和与所述第一半导体区域电接触的第一电极;第二源极/漏极结构,包括第二半导体区域和与所述第二半导体区域电接触的第二电极;在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域之间的沟道;以及栅极结构,包括覆盖所述沟道的栅极绝缘膜和覆盖所述栅极绝缘膜的栅电极,其中所述第一源极/漏极结构进一步包括硅化物膜和导电阻挡物,所述硅化物膜在所述第一半导体区域和所述第一电极之间,所述导电阻挡物在所述硅化物膜和所述第一电极之间,以及所述导电阻挡物包括导电的二维材料。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述导电阻挡物的厚度在0.3nm到2nm的范围内。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一电极包括与所述导电阻挡物相同的二维材料,以及所述第一电极与所述导电阻挡物一体地形成。4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一电极包括W、Co、Cu、Ru、Mo、Rh、Ir和其合金中的至少一种。5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述硅化物膜包括硅与W、Ti、Co、Ni、Pt和其合金中的至少一种的混合物。6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述导电的二维材料包括石墨烯、黑磷、非晶氮化硼、二维六方氮化硼(h
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BN)和磷烯中的至少一种。7.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括:基板,其中所述第一半导体区域和所述第二半导体区域从所述基板的上表面突出。8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中所述第一电极包括位于所述第一半导体区域内的第一部分和突出于所述第一半导体区域的上表面之上的第二部分。9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中所述导电阻挡物围绕所述第一电极的所述第一部分,所述导电阻挡物在所述第一半导体区域与所述第一电极的所述第一部分之间,所述硅化物膜围绕所述导电阻挡物,以及所述硅化物膜在所述第一半导体区域和所述导电阻挡物之间。10.根据权利要求8所述的半导体器件,其中所述第一电极的所述第二部分的直径大于所述第一电极的所述第一部分的直径,使得所述第一电极的所述第二部分覆盖所述导电阻挡物的上表面的至少一部分。11.根据权利要求7所述的半导体器件,其中所述沟道从所述基板的所述上表面突出,并具有在第一方向上延伸的形状。
12.根据权利要求11所述的半导体器件,其中所述第一电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。13.根据权利要求11所述的半导体器件,其中所述栅极绝缘膜围绕所述沟道的侧表面和所述沟道的上表面,以及所述栅电极设置成围绕所述栅极绝缘膜的侧表面和所述栅极绝缘膜的上表面。14.根据权利要求13所述的半导体器件,其中所述栅极结构进一步包括设置在所述栅极绝缘膜和所述栅电极之间的二维半导体材料层,所述二维半导体材料层围绕所述栅极绝缘膜的所述侧表面和所述栅极绝缘膜的所述上表面,以及所述栅电极围绕所述二维半导体材料层的侧表面和所述二维半导体材料层的上表面。15.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:金昌炫,南胜杰,申建旭,李到玹,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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