基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置，其中方法包括：对位标志设置：在第一光学掩膜版上设置n组对位标志，在衬底上设置与所述对位标志相对应的对位标志层，其中n≥2；第一次光刻：在所述衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，使用所述第一光学掩膜版的n组对位标志分别与所述衬底进行对位并曝光，再对所述衬底进行显影；第二次光刻：在所述第一次光刻后的所述衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对所述衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对所述衬底进行曝光；再对所述衬底进行显影并热烘焙固化，得到超分辨率孔图案。本发明专利技术可简单快速实现超过光刻机分辨率的图案。光刻机分辨率的图案。光刻机分辨率的图案。

【技术实现步骤摘要】
基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置。

技术介绍

[0002]目前，半导体制造工艺中光刻机的分辨率都有相应的极限，例如200nm，当工艺需要的图形是低于200nm的线宽或者孔时，光刻机便不能很好的将图形曝光出来，这时候用的较多的是双重曝光。然而现有自对准双重曝光工艺步骤有光刻
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沉积
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刻蚀等工艺步骤，相对繁琐且对设备要求较高，例如申请号为202110728156.1的专利技术专利申请《一种改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法及装置》，申请号为201610596339.1的专利技术专利《自对准双重曝光显影工艺的方法以及半导体器件》，这两篇专利文献就是针对自对准双重曝光工艺制作超分辨率线宽或者孔图案的一些问题进行改进和创新，但工艺仍比较繁琐。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本专利技术提出一种基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置，结合设计改变，使用两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法，其特征在于，包括以下步骤：对位标志设置：在第一光学掩膜版上设置n组对位标志，在衬底上设置与所述对位标志相对应的对位标志层，其中n≥2；第一次光刻：在所述衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，使用所述第一光学掩膜版的n组对位标志分别与所述衬底进行对位并曝光，再对所述衬底进行显影；第二次光刻：在所述第一次光刻后的所述衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对所述衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对所述衬底进行曝光，所述第二光学掩膜版包括部分露出或全部露出所述第一次光刻形成的图案的光学掩膜版；再对所述衬底进行显影并热烘焙固化，得到超分辨率孔图案。2.根据权利要求1所述的基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法，其特征在于，所述第二次光刻中，若在所述第一次光刻后的所述衬底上涂覆负性光刻胶，则能够使用第三光学掩膜版对所述衬底进行曝光，所述第三光学掩膜版包括部分露出或全部露出所述第一次光刻形成的图案且在其他区域形成第二图案的光学掩膜版。3.根据权利要求1所述的基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法，其特征在于，所述第二次光刻中，在所述第一次光刻后的所述衬底上涂覆的非光敏性光刻胶或负性光刻胶的厚度，不超过使用所述第一光学掩膜版的n组对位标志分别与所述衬底进行对位并曝光显影后的厚度。4.根据权利要求1所述的基于对位差与双重光刻的超分...

【专利技术属性】
技术研发人员：余巨峰，杨荣，余明斌，
申请(专利权)人：上海铭锟半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：