避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法及其结构技术

本发明专利技术提供一种避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法及其结构，包括以下步骤：根据再分布层生长应力光学薄膜应力模型的假设，当再分布层厚度≥10μm时，再分布层生长应力与再分布层厚度成正比，再分布层内应力随再分布层厚度的增加而增大，将再分布层厚度从10μm减小至3

【技术实现步骤摘要】
避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法及其结构


[0001]本专利技术涉及FC封装
，具体涉及一种避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法及其结构。

技术介绍

[0002]随着更轻、更薄、小尺寸、可靠性更高的低成本电子设备的需求继续增长，以及倒装芯片(FC，F l i p Ch i p)本身固有的低信号自感应和较快的传输速度，使得FC封装技术在芯片封装中被大量采用。FC封装可达到相对于传统表面贴装元件包装，能获得更大的成本效益。
[0003]然而，现有的FC封装存在以下技术问题：
[0004]1)芯片在客户产线失效率高，失效分析发现芯片表面固定位置有裂纹现象，见说明书附图1所示异常现象；该异常现象产生的主要原因是再分布层(RDL，Red i str i but i on Layer)设计在边角有勾角的形貌，在回流高温应力下，导致芯片在后工序受热后应力不均导致芯片meta l(金属)层crack(裂纹)异常导致失效；
[0005]2)对芯片表面应力影响最大的是再分布层(RDL，Red i str i but i本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法，其特征在于，包括以下步骤：根据再分布层生长应力光学薄膜应力模型的假设，当再分布层厚度≥10μm时，再分布层生长应力与再分布层厚度成正比，再分布层内应力随再分布层厚度的增加而增大，将再分布层厚度从10μm减小至3
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8μm以能够减少对芯片线路层的应力。2.根据权利要求1所述的避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法，其特征在于，所述再分布层与氧化层的线路连接处无拐角。3.根据权利要求1所述的避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的解决方法，其特征在于，所述再分布层为在硅基体上电沉积的铜薄膜。4.一种避免FC封装因应力产生芯片层裂纹的结构，其特征在于，包括：硅基体，在所述硅基体上设有再分布层，所述再分布层的厚度为3
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【专利技术属性】
技术研发人员：李争，王三虎，董渊博，王井强，张胡博，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：