微光学器件和成像装置制造方法及图纸

技术编号:36838985 阅读:13 留言:0更新日期:2023-03-15 15:17
本实用新型专利技术提供了一种微光学器件和成像装置。微光学器件包括:基底层;准直层,准直层与基底层的一侧表面连接,且准直层远离基底层一侧的表面为弧面;胶水层;微结构层,微结构层通过胶水层连接在基底层远离准直层一侧的表面上。本实用新型专利技术解决了现有技术中的微光学器件存在难以实现小型化的问题。件存在难以实现小型化的问题。件存在难以实现小型化的问题。

【技术实现步骤摘要】
微光学器件和成像装置


[0001]本技术涉及光学成像设备
,具体而言,涉及一种微光学器件和成像装置。

技术介绍

[0002]由于vcsel等光源光线通常呈一定角度的发散(如20
°
左右),不利于微光学器件对光束进行整形,大大增加了微光学器件的设计难度并影响光束整形效果。一般在光学系统中都会引入单独的准直镜,对光线做准直以后再进行光学设计。但对于现有的单独准直镜,其制造流程复杂,成本较高,且器件厚度较大。
[0003]也就是说,现有技术中的微光学器件存在难以实现小型化的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种微光学器件和成像装置,以解决现有技术中的微光学器件存在难以实现小型化的问题。
[0005]为了实现上述目的,根据本技术的一个方面,提供了一种微光学器件,包括:基底层;准直层,准直层与基底层的一侧表面连接,且准直层远离基底层一侧的表面为弧面;胶水层;微结构层,微结构层通过胶水层连接在基底层远离准直层一侧的表面上。
[0006]进一步地,微光学器件沿基底层和准直层的排布方向上的厚度小于等于1毫米。
[0007]进一步地,准直层为高折射率树脂,准直层的折射率大于1.5且小于1.8。
[0008]进一步地,准直层远离基底层一侧的表面为凸面。
[0009]进一步地,准直层的厚度小于0.3毫米;和/或准直层的有效焦距小于2毫米。
[0010]进一步地,基底层为高折射率玻璃,基底层的折射率大于1.8。
[0011]进一步地,基底层的厚度小于0.5毫米。
[0012]进一步地,胶水层的折射率大于1.5,胶水层的厚度小于0.1毫米。
[0013]进一步地,微结构层的折射率大于1.5,微结构层的厚度小于0.1毫米。
[0014]根据本技术的另一方面,提供了一种成像装置,包括:上述的微光学器件;Vcsel光源,Vcsel光源设置在微光学器件的准直层的一侧。
[0015]应用本技术的技术方案,微光学器件包括基底层、准直层、胶水层和微结构层,准直层与基底层的一侧表面连接,且准直层远离基底层一侧的表面为弧面;微结构层通过胶水层连接在基底层远离准直层一侧的表面上。
[0016]通过在微光学器件上设置准直层,使得准直层能够起到收缩Vcsel光源发散角的作用,进而达到准直光线的目的,保证了微光学器件的准直效果。通过将准直层与基底层的一侧表面连接,使得基底层对准直层起到了承载与保护的作用,有利于保证准直层的结构强度,进而保证准直层工作的稳定性。准直层远离基底层一侧的表面为弧面,这样设置便于准直层对Vcsel光源发散角的收缩,保证准直层的准直效果,同时便于准直层的制作。微结构层通过胶水层连接在基底层远离准直层一侧的表面上,这样设置使得胶水层起到了粘接
微结构层与基底层的作用,避免了微结构层与基底层脱离的风险,保证了微结构层、胶水层和基底层之间的连接强度,进而保证微光学器件的结构强度。
[0017]另外,通过集成基底层、准直层、胶水层和微结构层的方法,有效缩小了微光学器件的体积,使得微光学器件满足小型化的要求。同时使得微光学器件易于制作,降低了微光学器件的设计难度,缩短了制作流程,节省了制作设计时间,节约了成本,保证了微光学器件的使用可靠性。
附图说明
[0018]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解,本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术,并不构成对本技术的不当限定。在附图中:
[0019]图1示出了本技术的成像装置的一个可选实施例的结构示意图;
[0020]图2示出了图1中的微光学器件的结构示意图;
[0021]图3示出了图1中的微光学器件的光路模拟图;
[0022]图4示出了图1中的成像装置的模拟光斑图以及中心区域HV两个方向的能量曲线图;
[0023]图5示出了图1中的成像装置的实际照度图;
[0024]图6示出了图1中的成像装置的中心区域HV两个方向的能量曲线图;
[0025]图7示出了不带准直的实际照度图;
[0026]图8示出了不带准直的中心区域HV两个方向的能量曲线图。
[0027]其中,上述附图包括以下附图标记:
[0028]10、基底层;20、准直层;30、胶水层;40、微结构层;50、微光学器件;60、Vcsel光源。
具体实施方式
[0029]需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
[0030]需要指出的是,除非另有指明,本申请使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0031]在本技术中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上、下、顶、底”通常是针对附图所示的方向而言的,或者是针对部件本身在竖直、垂直或重力方向上而言的;同样地,为便于理解和描述,“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内、外,但上述方位词并不用于限制本技术。
[0032]为了解决现有技术中的微光学器件存在难以实现小型化的问题,本技术提供了一种微光学器件和成像装置。
[0033]如图1至图8所示,微光学器件50包括基底层10、准直层20、胶水层30和微结构层40,准直层20与基底层10的一侧表面连接,且准直层20远离基底层10一侧的表面为弧面;微结构层40通过胶水层30连接在基底层10远离准直层20一侧的表面上。
[0034]通过在微光学器件50上设置准直层20,使得准直层20能够起到收缩Vcsel光源60发散角的作用,进而达到准直光线的目的,保证了微光学器件50的准直效果。通过将准直层
20与基底层10的一侧表面连接,使得基底层10对准直层20起到了承载与保护的作用,有利于保证准直层20的结构强度,进而保证准直层20的工作稳定性。准直层20远离基底层10一侧的表面为弧面,这样设置便于准直层20对Vcsel光源60发散角的收缩,保证准直层20的准直效果,同时便于准直层20的制作。微结构层40通过胶水层30连接在基底层10远离准直层20一侧的表面上,这样设置使得胶水层30起到了粘接微结构层40与基底层10的作用,避免了微结构层40与基底层10脱离的风险,保证了微结构层40、胶水层30和基底层10之间的连接强度,进而保证微光学器件50的结构强度。
[0035]另外,通过集成基底层10、准直层20、胶水层30和微结构层40的方法,有效缩小了微光学器件50的体积,使得微光学器件50满足小型化的要求。同时使得微光学器件50易于制作,降低了微光学器件50的设计难度,缩短了制作流程,节省了制作设计时间,节约了成本,保证了微光学器件50的使用可靠性。
[0036]具体的,微光学器件50沿基底层10和准直层20的排布方向上的厚度小于等于1毫米。这样设本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微光学器件,其特征在于,包括:基底层(10);准直层(20),所述准直层(20)与所述基底层(10)的一侧表面连接,且所述准直层(20)远离所述基底层(10)一侧的表面为弧面;胶水层(30);微结构层(40),所述微结构层(40)通过所述胶水层(30)连接在所述基底层(10)远离所述准直层(20)一侧的表面上。2.根据权利要求1所述的微光学器件,其特征在于,所述微光学器件(50)沿所述基底层(10)和所述准直层(20)的排布方向上的厚度小于等于1毫米。3.根据权利要求1所述的微光学器件,其特征在于,所述准直层(20)为高折射率树脂,所述准直层(20)的折射率大于1.5且小于1.8。4.根据权利要求1所述的微光学器件,其特征在于,所述准直层(20)远离所述基底层(10)一侧的表面为凸面。5.根据权利要求4所述的微光学器件,其特征在于,所述准直层(20)的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪杰陈远
申请(专利权)人:宁波舜宇奥来技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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