一种芯片加速器制造技术

本申请公开了一种芯片加速器，包括底壳，底壳上端开口，中部形成容纳腔；容纳腔的内底面从下至上依次固定连接有散热器、功率放大板和顶针板；底壳背部固定有电源插座；底壳的上端开口处固定连接有中部框架，中部框架分为顶面框架和正面框架，顶面框架和正面框架均为回形的框架；顶面框架上活动连接有酶标板框，酶标板框的中部设为凹槽，用于容纳酶标板，酶标板上安装有生物芯片；酶标板框远离正面框架的一端转动连接有盖板。本申请的芯片加速器加速速度快。速度快。速度快。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片加速器


[0001]本申请涉及孵育设备
，特别涉及一种芯片加速器。

技术介绍

[0002]加速器是样品孵化、催化、混匀以及保存等反应过程理想的自动化工具，可以通过调换不同的样品模块进行快速混匀、加热、震荡、培育、孵化和反应，适用于科研机构、医学院校、卫生医疗等单位的分子生物学、病毒学、微生物学等实验室。但传统的加速器中的加速，是利用恒温装置和振荡器通过热传导方式加热，对反应物进行加速反应，虽然比正常反应有一定的加速效果，但因加速功率不足导致加速速度较慢。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本申请提供一种芯片加速器，可以提高对反应物的加速速度。
[0004]为此采用的技术方案为一种芯片加速器，其结构包括：
[0005]底壳，所述底壳，所述底壳上端开口，中部形成容纳腔；所示底壳的背部固定有电源插座；所述底壳的容纳腔的内底面固定连接有散热器；
[0006]所述散热器的上表面固定连接有水平放置的功率放大板，所述功率放大板的上表面活动连接有顶针板；所述底壳的上端开口处固定连接有中部框架，所述中部框架分为顶面框架和正面框架，所述顶面框架和正面框架为一体设置，所述顶面框架和所述正面框架均为回形的框架；
[0007]所述顶面框架上可拆卸连接有酶标板框，所述酶标板框的中部设为凹槽，用于容纳酶标板，所述酶标板上安装有生物芯片；
[0008]所述酶标板框远离所述正面框架的一端转动连接有盖板。
[0009]在本申请一较佳的实施例中可以进一步设置为，还包括自动增益放大电路，所述自动增益放大电路的输入端连接信号发生器的输出端，所述自动增益放大电路的输出端连接所述顶针板。
[0010]在本申请一较佳的实施例中可以进一步设置为，所述自动增益放大电路包括：电阻R11，电阻R12，NMOS管Q1，所述电阻R11的一端连接信号发生器，所述电阻R11的另一端连接所述NMOS管Q1的栅极，所述NMOS管Q1的源极接地，所述NMOS管Q1的漏极与所述电阻R12的一端连接。
[0011]在本申请一较佳的实施例中可以进一步设置为，所述自动增益放大电路还包括：电容器C6、二极管D1、二极管D2、电容器C10和电阻R14；所述电容器C6分别与所述二极管D1的阳极和所述二极管D2的阴极连接，所述二极管D2的阳极与所述电容器C10的一端连接，所述电容器C10的另一端与所述二极管D1的阴极连接，并且接地；所述电阻R14与所述电容器C10并联。
[0012]在本申请一较佳的实施例中可以进一步设置为，还包括：过流保护电路，所述电流保护电路模块的输入端连接电源端，输出端连接所述功率放大板的输入端。
[0013]在本申请一较佳的实施例中可以进一步设置为，所述过流保护电路包括第四二极管D4、第三二极管D3、第二十三电阻R23、第二PMOS管Q2、第三PNP三极管Q3、第四PNP三极管Q4、第二十二电阻R22、第五三极管Q5；
[0014]所述第四二极管D4的阳极连接电源端，所述第四二极管D4的阴极与所述第二十三电阻R23的一端和第二PMOS管Q2的源极，第二十三电阻R23的另一端与第二所述PMOS管Q2的栅极和所述第三PNP三极管Q3的集电极连接，所述第二PMOS管Q2的漏极与所述第二十二电阻R22的一端和第四PNP三极管Q4的发射极连接，所述第二十二电阻R22的另一端与所述第四PNP三极管Q4的基极连接，所述第四PNP三极管Q4的集电极与所述第五三极管Q5的基极连接，所述第五三极管Q5的发射极接地；所述第五三极管Q5的集电极与所述第三二极管D3的阴极和负载P3连接，所述第三二极管D3的阳极与电源端连接。
[0015]在本申请一较佳的实施例中可以进一步设置为，所述过流保护电路还包括：第十七电容器C17，所述第十七电容器C17连接所述第四PNP三极管Q4的基极，所述第十七电容器C17与第十六电容器C16和第十八极性电容器C18并联，所述第十八极性电容器C18的两端连接负载P3。
[0016]在本申请一较佳的实施例中可以进一步设置为，还包括：所述正面框架上固定连接有控制面板，所述控制面板上从左至右依次安装有电源开关键、第一调节按钮、第一指示灯、第二调节按钮、第二指示灯和启动键。
[0017]在本申请一较佳的实施例中可以进一步设置为，所述功率放大板包括3个功率放大芯片，所述3个功率放大芯片并联连接。
[0018]在本申请一较佳的实施例中可以进一步设置为，所述功率放大芯片的型号为TDA7850H。
[0019]综上所述，与现有技术相比，本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：一种芯片加速器，设有功率放大板和生物芯片，在孵育时，通过功率放大板对交流信号进行放大，通过顶针板驱动生物芯片对溶剂分子的进行高效加速；和传统孵育器相比，没有恒温装置和振荡器，在加速反应过程中没有噪声；同时设备体积小，设备轻，便于携带。
附图说明
[0020]图1为本申请一个示例性实施例提供的芯片加速器的结构示意图；
[0021]图2为本申请又一个示例性实施例提供的第一加速芯片U1的示意图；
[0022]图3为本申请又一个示例性实施例提供的第二加速芯片U2的示意图；
[0023]图4为本申请又一个示例性实施例提供的第三加速芯片U3的示意图；
[0024]图5为本申请又一个示例性实施例提供的自动增益放大电路的示意图；
[0025]图6为本申请另一个示例性实施例提供的过流保护电路的示意图。
[0026]附图标记：
[0027]1‑
底壳，2
‑
容纳腔，3
‑
电源插座，4
‑
散热器，5
‑
功率放大板，6
‑
顶针板，7
‑
中框支架，71
‑
顶面框架，72
‑
正面框架，8
‑
酶标板框，9
‑
凹槽，10
‑
酶标板，11
‑
生物芯片，12
‑
控制面板，121
‑
电源开关，122
‑
第一调节按钮，123
‑
第一指示灯，124
‑
第二调节按钮，125
‑
第二指示灯，126
‑
启动键，13
‑
通孔，14
‑
盖板。
具体实施方式
[0028]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0029]本申请的描述中，需要理解的是，属于“中心”、“纵向”、“横向”“上”“下”“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片加速器，其特征在于，包括：底壳，所述底壳上端开口，中部形成容纳腔；所示底壳的背部固定有电源插座；所述底壳的容纳腔的内底面固定连接有散热器；所述散热器的上表面固定连接有水平放置的功率放大板，所述功率放大板的上表面活动连接有顶针板；所述底壳的上端开口处固定连接有中部框架，所述中部框架分为顶面框架和正面框架，所述顶面框架和正面框架为一体设置，所述顶面框架和所述正面框架均为回形的框架；所述顶面框架上可拆卸连接有酶标板框，所述酶标板框的中部设为凹槽，用于容纳酶标板，所述酶标板上安装有生物芯片；所述酶标板框远离所述正面框架的一端转动连接有盖板。2.根据权利要求1所述的芯片加速器，其特征在于，还包括自动增益放大电路，所述自动增益放大电路的输入端连接信号发生器的输出端，所述自动增益放大电路的输出端连接所述顶针板。3.根据权利要求2所述的芯片加速器，其特征在于，所述自动增益放大电路包括：第十一电阻R11,第十二电阻R12,第一NMOS管Q1，所述第十一电阻R11的一端连接信号发生器，所述第十一电阻R11的另一端连接所述第一NMOS管Q1的栅极，所述第一NMOS管Q1的源极接地，所述第一NMOS管Q1的漏极与所述第十二电阻R12的一端连接。4.根据权利要求3所述的芯片加速器，其特征在于，所述自动增益放大电路还包括：第六电容器C6、第一二极管D1、第二二极管D2、第十电容器C10和第十四电阻R14；所述电容器C6分别与所述第一二极管D1的阳极和所述第二二极管D2的阴极连接，所述第二二极管D2的阳极与所述第十电容器C10的一端连接，所述第十电容器C10的另一端与所述第一二极管D1的阴极连接，并且接地；所述第十四电阻R14与所述第十电容器C10并联。5.根据权利要求1所述的芯片加速器，其特征在于，还包括：过流保护电路，所述过流保护电...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦盛辉，黄海琪，陶飞，徐海，刘晓竹，李俊，林杰，童立，李彦敏，马良，张志东，杨黎华，曾政，吴胜昔，曾令高，张伶俐，
申请(专利权)人：佛山微奥云生物技术有限公司，
类型：新型
国别省市：