一种集成电路半导体超纯水设备制造技术

技术编号:36826529 阅读:31 留言:0更新日期:2023-03-12 01:27
本发明专利技术涉及一种集成电路半导体超纯水设备。其技术方案包括:包括依次连接的原水箱、两个并联的原水泵、自清洗砂滤器、自清洗炭滤器、第一MF过滤器、一级高压泵、一级反渗透装置、一级RO水箱、二级高压泵、二级反渗透装置,在二级反渗透装置的输出连接有两路,一路通过不合格排放阀连接原水箱,另一路依次连接二级RO水箱、EDI泵、UV紫外线杀菌器、第二MF过滤器、EDI装置、氮封纯水箱,氮封纯水箱的输出通过变频供水泵根据用水情况变频增压至脱气膜,然后纯水再经过双级紫外线杀菌器后经过双级抛光混床,保证产水水质可达18.25MΩ.cm,供用水点用水,供水点的剩余纯水通过回流管循环回流至氮封纯水箱。本提高过滤效率。本提高过滤效率。本提高过滤效率。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路半导体超纯水设备


[0001]本专利技术涉及半导体芯片、晶圆、碳化硅晶片清洗所需的超纯水制备的
,尤其涉及一种集成电路半导体超纯水设备。

技术介绍

[0002]现有双级反渗透+EDI的工艺,适合对水质要求一般的行业,但对于半导体行业,需要更高水质的要求,而纯水中残留的金属离子、细菌、各种气体都有对器件的工艺良品率、器件性能、器件可靠性造成影响,都需要严格控制其含量。因为水中含有氧气、二氧化碳等腐蚀性气体,在清洗晶片产品时会停留在产品表面,清洗不干净,同时也会腐蚀管道和设备系统,从而影响降低其生产效率和良品率。常见的金属离子主要包括钠、钾、铁、铜、镍、铝等,这些金属离子具有较强的迁移性会在半导体内移动从而导致器件电性能失效。目前传统的超纯水设备存在以下问题:1、现有一般用水情况是,需要使用水时才启动供水,这样管道会形成死水,而且水系统内的细菌因不流动循环清洗而在表面生成的有机物,细菌一旦在器件上形成,会成为颗粒状污染物或给器件表面引入不希望见到的金属离子,容易滋生细菌;2、传统超纯水设备的水质无法达到半导体晶片用水需求;3、传统本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路半导体超纯水设备,其特征在于:包括原水箱(1),所述原水箱(1)的输出连接有两个并联的原水泵(2),原水泵(2)输送原水依次通过自清洗砂滤器(3)及自清洗炭滤器(4),再输送至自清洗软化器(5)处理后构成一套完整的前预处理系统,该前预处理系统通过第一MF过滤器(6)过滤后输送到一级反渗透单元,该一级反渗透单元依次包括相互连接的一级高压泵(7)、一级反渗透装置(8)以及一级RO水箱(9),通过一级高压泵(7)增压输送到一级反渗透装置(8),一级反渗透装置(8)后的一级反渗透产水将储存到供二级反渗透装置(11)用水的一级RO水箱(9)内,一级RO水箱(9)的输出通过二级高压泵(10)将一级RO水增压至二级反渗透装置(11),进一步滤除水中有机盐;二级反渗透装置(11)后的二级反渗透产水内设置第一在线水质检测器(12),在二级反渗透装置(11)的输出连接有两路,一路通过不合格排放阀(13)连接原水箱(1),另一路连接至二级RO水箱(14),供EDI系统用水,同时二级的浓水将回收至原水箱(1),缓解原水用水紧张;且二级RO水箱(14)的输出通过EDI泵(15)将二级RO水增压至经过UV紫外线杀菌器(16)杀菌后,再经过第二MF过滤器(17)进一步滤除水中的杂质后,进入EDI装置(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢志尧邓腊梅
申请(专利权)人:东莞市仟净环保设备有限公司
类型:发明
国别省市:

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