一种主板DDR通道极限能力测试装置、方法、终端及介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及主板DDR通道测试领域，具体公开一种主板DDR通道极限能力测试装置、方法、终端及介质，包括转接板和控制芯片，转接板上设置有转接插件和内存条插槽，转接插件与内存条插槽之间连接有多组线缆，每组线缆的长度不同，每根线缆上均设置有电子开关，电子开关与控制芯片电连接；测试时，转接插件插接到主板上的内存条插槽，转接板上的内存条插槽插接内存条；每轮测试控制芯片控制一组线缆的电子开关闭合，其他电子开关断开，进行内存条RMT测试，测试结果满足测试标准且与标准值最接近的线缆组长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力。本发明专利技术通过硬件结构对服务器DDR通道的损耗值进行补偿，探求出DDR通道的极限能力。探求出DDR通道的极限能力。探求出DDR通道的极限能力。

【技术实现步骤摘要】
一种主板DDR通道极限能力测试装置、方法、终端及介质


[0001]本专利技术涉及主板DDR通道测试领域，具体涉及一种主板DDR通道极限能力测试装置、方法、终端及介质。

技术介绍

[0002]服务器是计算机的一种，它比普通计算机运行更快、负载更高、价格更贵。服务器在网络中为其它客户机提供计算或者应用服务。服务器具有高速的CPU运算能力、长时间的可靠运行、强大的I/O外部数据吞吐能力以及更好的扩展性。
[0003]内存(Memory)是计算机的重要部件，也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成，CPU将结果传送出来。
[0004]内存条即是将内存颗粒集成在一块PCB上，也常常被称作DIMM，通常有两个或多个独立的DRAM芯片组，连接到相同的地址和数据总线；每个这样的集合称为排名。由于所有等级共享相同的总线，因此在任何给定时间只能访问一个等级；它通过激活相应的秩的芯片选择（CS）信号来指定。通过使其相应的CS信号停用，在操作期间停用所有其他等级。DIMM通常制造每个模块最多有四个等级。
[0005]若内存条发生错误则会造成整个服务器系统宕机，从而带来一些列的数据丢失问题，更甚者会带来硬件损坏。对内存条的信号完整性进行把控就显得极其重要。当前对内存条进行信号完整性检测常用的方法是RMT测试，用此来判断好坏,将内存条固定在服务器主板插槽（slot）上，相当于是一种固定损耗（loss）的链路上，整个内存条链路的loss无法改变。因为主板DDR链路本身是固定的，所以无法探求到其链路的极限能力。

技术实现思路

[0006]为解决上述问题，本专利技术提供一种主板DDR通电极限能力测试装置、方法、终端及介质，通过硬件结构对服务器DDR通道的损耗值进行补偿，从而探求出DDR通道的极限能力。
[0007]第一方面，本专利技术的技术方案提供一种主板DDR通道极限能力测试装置，包括转接板和控制芯片，转接板上设置有转接插件和内存条插槽，转接插件与内存条插槽之间连接有多组线缆，每组线缆的长度不同，每根线缆上均设置有电子开关，电子开关与控制芯片电连接；测试时，转接插件插接到主板上的内存条插槽，转接板上的内存条插槽插接内存条；每轮测试，控制芯片控制一组线缆的所有电子开关闭合，其他组线缆的所有电子开关断开，进行内存条RMT测试，测试结果满足测试标准且与标准值最接近的线缆组长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力。
[0008]进一步地，转接插件为金手指。
[0009]进一步地，控制芯片接收测试终端发送的线缆组通断指令，根据线缆组通断指令控制各组线缆电子开关的通断。
[0010]进一步地，控制芯片为STM32单片机。
[0011]第二方面，本专利技术的技术方案提供一种主板DDR通道极限能力测试方法，包括以下步骤：向控制芯片发送线缆组通断指令；接收控制芯片发送的线缆组通断完成反馈；触发内存条RMT测试；收集测试结果；查找测试结果满足测试标准且与标准值最接近的线缆组长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力；其中，每轮测试控制一组线缆的所有电子开关闭合，其他组线缆的所有电子开关断开。
[0012]进一步地，该方法具体包括以下步骤：将各组线缆按照长度从短到长排序；选择排序列表的第一组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；判断测试结果是否大于标准值；若否，则发出测试异常提示；若是，则再选择排序列表的第二组线缆进行电阻开关闭合，触发内存条RMT测试；以此类推，直到首次出现测试结果小于标准值的线缆组，该线缆组的前一组线缆的长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力。
[0013]进一步地，该方法具体包括以下步骤：将各组线缆按照长度从短到长排序，记共有N组线缆；选择第i组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；其中，i=向上取整（N/2）;判断第i组线缆对应的测试结果是否大于标准值；若是，则根据以下公式计算下一次进行电子开关闭合的线缆组，n=向下取整（（Ui
‑
U）/k），其中k为步长，Ui为第i组线缆对应的测试结果，U为标准值；若n<1，则第i组线缆的长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力；若n≥1，则下一次选择第i+n组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；以此类推，直到首次出现测试结果小于标准值的线缆组，该线缆组记为第k+n组线缆；选择第k+n
‑
1组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；判断第k+n
‑
1组线缆对应的测试结果是否小于标准值；若否，则第k+n
‑
1组线缆的长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力；若是，则选择第k+n
‑
2组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；以此类推，直到首次出现测试结果大于标准值的线缆组，记为第k+j组线缆，则第k+j组线缆的长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力；其中，j=1、
…
、n
‑
1。
[0014]进一步地，该方法具体还包括：
若第i组线缆对应的测试结果小于标准值，则根据以下公式计算下一次进行电子开关闭合的线缆组，n=向下取整（（U
‑
Ui）/k）；若n<1，则第i组线缆的长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力；若n≥1，则下一次选择第i
‑
n组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；以此类推，直到首次出现测试结果大于标准值的线缆组，该线缆组记为第k
‑
n组线缆；选择第k
‑
n+1组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；判断第k
‑
n+1组线缆对应的测试结果是否小于标准值；若否，则第k
‑
n+1组线缆的长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力；若是，则选择第k
‑
n+2组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；以此类推，直到首次出现测试结果大于标准值的线缆组，记为第k
‑
j组线缆，则第k
‑
j组线缆的长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力；其中，j=1、
…
、n+1。
[0015]第三方面，本专利技术的技术方案提供一种终端，包括：存储器，用于存储主板DDR通道极限能力测试程序；处理器，用于执行所述主板DDR通道极限能力测试程序时实现如上述任一项所述主板DDR通道极限能力测试方法的步骤。
[0016]第四方面，本专利技术的技术方案提供一种计算机可读存储介质，所述可读存储介质上存储有主板DDR通道极限能力测试程序，所述主板DDR通道极限能力测试程序被处理器执行时实现如上述任一项所述主板DDR通道极限本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种主板DDR通道极限能力测试装置，其特征在于，包括转接板和控制芯片，转接板上设置有转接插件和内存条插槽，转接插件与内存条插槽之间连接有多组线缆，每组线缆的长度不同，每根线缆上均设置有电子开关，电子开关与控制芯片电连接；测试时，转接插件插接到主板上的内存条插槽，转接板上的内存条插槽插接内存条；每轮测试，控制芯片控制一组线缆的所有电子开关闭合，其他组线缆的所有电子开关断开，进行内存条RMT测试，测试结果满足测试标准且与标准值最接近的线缆组长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力。2.根据权利要求1所述的主板DDR通道极限能力测试装置，其特征在于，转接插件为金手指。3.根据权利要求2所述的主板DDR通道极限能力测试装置，其特征在于，控制芯片接收测试终端发送的线缆组通断指令，根据线缆组通断指令控制各组线缆电子开关的通断。4.根据权利要求3所述的主板DDR通道极限能力测试装置，其特征在于，控制芯片为STM32单片机。5.一种主板DDR通道极限能力测试方法，其特征在于，包括以下步骤：向控制芯片发送线缆组通断指令；接收控制芯片发送的线缆组通断完成反馈；触发内存条RMT测试；收集测试结果；查找测试结果满足测试标准且与标准值最接近的线缆组长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力；其中，每轮测试控制一组线缆的所有电子开关闭合，其他组线缆的所有电子开关断开。6.根据权利要求5所述的主板DDR通道极限能力测试方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：将各组线缆按照长度从短到长排序；选择排序列表的第一组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；判断测试结果是否大于标准值；若否，则发出测试异常提示；若是，则再选择排序列表的第二组线缆进行电阻开关闭合，触发内存条RMT测试；以此类推，直到首次出现测试结果小于标准值的线缆组，该线缆组的前一组线缆的长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力。7.根据权利要求5所述的主板DDR通道极限能力测试方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：将各组线缆按照长度从短到长排序，记共有N组线缆；选择第i组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；其中，i=向上取整（N/2）;判断第i组线缆对应的测试结果是否大于标准值；若是，则根据以下公式计算下一次进行电子开关闭合的线缆组，n=向下取整（（Ui
‑
U）/k），其中k为步长，Ui为第i组线缆对应的测试结果，U为标准值；若n<1，则第i组线缆的长度对应的损耗补偿值即主板DDR通道极限能力；若n≥1，则下一次选择第i+n组线缆进行电子开关闭合，触发内存条RMT测试；
以此类推，直到首次出现测试结果小于标...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，金霞，邵盟，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：