一种高保真液态金属三维微电极的制备方法技术

本发明专利技术涉及三维微电极领域，公开了一种高保真液态金属三维微电极的制备方法，包括如下步骤：S1、利用软光刻制作基于PDMS的微通道结构；S2、在玻璃基底上旋涂脱模剂并对玻璃基底进行表面硅烷化处理，在硅烷化处理后的玻璃基底上旋涂液态水凝胶并固化，将微通道结构贴合在固化后的水凝胶上；S3、用液态金属填充微通道，构建三维微电极并固化；S4、剥离三维微电极。本发明专利技术中的电极可以用快速、简便、低成本的方式在微通道中构建三维电场，得到的芯片集成了三维金属电极，与现有的金属电极制备方法(沉积、溅射等)相比无需复杂的设备和流程，且与传统平面电极相比，导电性能极好，在厘米尺度几乎无电压降。度几乎无电压降。

【技术实现步骤摘要】
一种高保真液态金属三维微电极的制备方法


[0001]本专利技术涉及三维微电极领域，具体涉及一种高保真液态金属三维微电极的制备方法。

技术介绍

[0002]微流控芯片技术(Microfluidics)是把生物、化学、医学分析过程的样品制备、反应、分离、检测等基本操作单元集成到一块微米尺度的芯片上，可自动完成分析全过程。微流控芯片具有液体流动可控、消耗试样和试剂极少、分析速度呈十倍上百倍地提高等特点，在生物、化学、医学等领域的巨大潜力，已经发展成为一个生物、化学、医学、流体、电子、材料、机械等学科交叉的崭新研究领域。
[0003]介电泳(dielectrophoresis or DEP)，也称双向电泳，是介电常数较低的物体在非匀强电场中受力的现象。传统的微控流芯片其介电泳力通常由集成在基底表面的平面电极提供，其中应用最为广泛的材料为ITO(氧化铟锡)，但其成本较高，制作流程复杂，需要光刻及刻蚀才能在芯片内部形成微通道，而且制备而成的电极为平面电极，且电阻率高，短距离内电压降较大，通常需要高电压才能提供足够的电场强度。此外，在形成微通道后，为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高保真液态金属三维微电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、利用软光刻制作基于PDMS的微通道结构；S2、在玻璃基底上旋涂脱模剂并对玻璃基底进行表面硅烷化处理，在硅烷化处理后的玻璃基底上旋涂液态水凝胶并固化，将微通道结构贴合在固化后的水凝胶上；S3、用液态金属填充微通道，构建三维微电极并固化；S4、剥离三维微电极。2.根据权利要求1所述的一种高保真液态金属三维微电极的制备方法，其特征在于：S2中，水凝胶为温敏水凝胶。3.根据权利要求2所述的一种高保真液态金属三维微电极的制备方法，其特征在于：S2中，固化温度＞30℃，固化时间≥30s。4.根据权利要求3所述的一种高保真液态金属三维微电极的制备方法，其特征在于：S2中，硅烷化处理的方式为在玻璃基底表面旋涂硅烷处理剂。5.根据权利要求4所述的一种高保真液态金属三维微电极的制备方法，其特征在于：S1中，制作微通道结构的具体操作为：在玻璃基底上旋涂光刻胶，而后加热烘干、显影后二次烘干，得到微通道结构。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘星，郑嘉辉，胡宁，胡俊杰，郑小林，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：