改善陶瓷盘洗净能力的工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种改善陶瓷盘洗净能力的工艺方法，所属硅片加工设备技术领域，陶瓷盘洗净依次通过1槽NKH

【技术实现步骤摘要】
改善陶瓷盘洗净能力的工艺方法


[0001]本专利技术涉及硅片加工设备
，具体涉及一种改善陶瓷盘洗净能力的工艺方法。

技术介绍

[0002]硅片作为电路芯片及传感器的衬底材料，其表面状态直接影响了IC器件的性能和寿命，随着硅片的不断发展，市场对表面精度和形貌提出了更高的要求，特别是平坦度。
[0003]化学机械抛光（CMP）技术作为最常用的抛光技术，通过化学反应和机械作用的结合，广泛应用于大硅片的抛光来平坦化硅片。在抛光时将硅片和陶瓷盘之间固定，通过向陶瓷盘施加压力然后得到指定去除量的硅片，固定这一过程通常采用蜡将硅片粘贴于陶瓷盘上。所以在硅片剥离时，需要使用陶瓷盘洗净机将残余蜡清理干净。
[0004]从陶瓷盘洗净机出来的陶瓷盘直接用于贴附硅片，需要保证清洁的盘面，否则非常容易产生平坦度缺陷。

技术实现思路

[0005]本专利技术主要解决现有技术中存在陶瓷盘洗净机无法确保换液后内部空气洁净度的不足，提供了一种改善陶瓷盘洗净能力的工艺方法，其具有结构紧凑、效果好和运行稳定性好的特点。解决了陶瓷盘洗净机内部悬浮微小颗粒排除的问题。
[0006]本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种改善陶瓷盘洗净能力的工艺方法，陶瓷盘洗净依次通过1槽NKH
‑
001溶液、2槽NKH
‑
001溶液、3槽纯水槽、4槽纯水槽，包括如下操作步骤：第一步：陶瓷盘在1槽NKH
‑
001溶液中洗净时，温度为70℃，清洗时间为120s，其中前20s机械手臂夹持陶瓷盘做上下垂直摆动，频率2s，行程80mm，后100s浸泡清洗；当加工枚数最大值达到800枚后更换洗净液，换液前将洗净液温度降低至50℃，更换完成后重新升温到70℃。
[0007]第二步：陶瓷盘在2槽NKH
‑
001溶液中洗净时，温度为70℃，浸泡清洗时间为120s；当加工枚数达到800枚时更换洗净液，换液前将洗净液温度降低至50℃，更换完成后重新升温到70℃。
[0008]第三步：陶瓷盘在3槽纯水采用溢流清洗方式，清洗时间100s，溢流流量2L/min，纯水温度为75℃；当加工枚数达到800枚时更换整槽纯水，换液过程温度保持75℃不变。
[0009]第四步：陶瓷盘在4槽纯水同样采用溢流清洗方式，清洗时间100s，溢流纯水流量2L/min，纯水温度为85℃；加工枚数达到800枚时更换整槽纯水，换液过程温度维持85℃不变。
[0010]在陶瓷盘洗净液在药液周期内，只开启陶瓷盘洗净机中的排风一，排风一由悬浮式排风管和若干与悬浮式排风管相连通的风机过滤机组Ⅰ组成，风机过滤机组Ⅰ位于陶瓷盘洗净机顶部。
[0011]在陶瓷盘洗净液换液后，同时开启排风一和排风二，排风二由下沉式排风管和若干与下沉式排风管连通的风机过滤机组Ⅱ组成，风机过滤机组Ⅱ位于陶瓷盘洗净机下部侧边。
[0012]作为优选，陶瓷盘在1槽NKH
‑
001溶液、2槽NKH
‑
001溶液中洗净和3槽纯水时，以超声波辅助，超声功率3600W，频率36kHz，洗净液循环回收。
[0013]作为优选，NKH
‑
001洗净液成分中偏硅酸钠体积分数占比10%，氢氧化钾体积分数3%。
[0014]作为优选，在陶瓷盘洗净液在药液周期内，排风一的风压为200Pa，风机过滤机组Ⅰ的风速为0.5m/s。
[0015]作为优选，在陶瓷盘洗净液换液后，风机过滤机组Ⅰ和风机过滤机组Ⅱ风速为0.8m/s，排风一和排风二的风压均为200Pa，保持运行15min。
[0016]本专利技术能够达到如下效果：本专利技术提供了一种改善陶瓷盘洗净能力的工艺方法，与现有技术相比较，具有结构紧凑、效果好和运行稳定性好的特点。解决了陶瓷盘洗净机内部悬浮微小颗粒排除的问题。
附图说明
[0017]图1是本专利技术的结构示意图。
[0018]图2是本专利技术的两种排风系统下颗粒测量结果图。
[0019]图中：下沉式排风管1，悬浮式排风管2，风机过滤机组Ⅰ3，陶瓷盘洗净机4，风机过滤机组Ⅱ5。
具体实施方式
[0020]下面通过实施例，并结合附图，对专利技术的技术方案作进一步具体的说明。
[0021]实施例：如图1和图2所示，一种改善陶瓷盘洗净能力的工艺方法，包括如下操作步骤：陶瓷盘洗净依次通过1槽NKH
‑
001溶液、2槽NKH
‑
001溶液、3槽纯水槽、4槽纯水槽，包括如下操作步骤：第一步：陶瓷盘在1槽NKH
‑
001溶液中洗净时，NKH
‑
001洗净液成分中偏硅酸钠体积分数占比10%，氢氧化钾体积分数3%。温度为70℃，清洗时间为120s，其中前20s机械手臂夹持陶瓷盘做上下垂直摆动，频率2s，行程80mm，后100s浸泡清洗，以超声波辅助，超声功率3600W，频率36kHz，洗净液循环回收。当加工枚数最大值达到800枚后更换洗净液，换液前将洗净液温度降低至50℃，更换完成后重新升温到70℃。
[0022]第二步：陶瓷盘在2槽NKH
‑
001溶液中洗净时，NKH
‑
001洗净液成分中偏硅酸钠体积分数占比10%，氢氧化钾体积分数3%。温度为70℃，浸泡清洗时间为120s，以超声波辅助，超声功率3600W，频率36kHz，洗净液循环回收。当加工枚数达到800枚时更换洗净液，换液前将洗净液温度降低至50℃，更换完成后重新升温到70℃。
[0023]第三步：陶瓷盘在3槽纯水采用溢流清洗方式，清洗时间100s，溢流流量2L/min，纯水温度为75℃，以超声波辅助，超声功率3600W，频率36kHz，洗净液循环回收。当加工枚数达
到800枚时更换整槽纯水，换液过程温度保持75℃不变。
[0024]第四步：陶瓷盘在4槽纯水同样采用溢流清洗方式，清洗时间100s，溢流纯水流量2L/min，纯水温度为85℃；加工枚数达到800枚时更换整槽纯水，换液过程温度维持85℃不变。
[0025]在陶瓷盘洗净液在药液周期内，只开启陶瓷盘洗净机4中的排风一，排风一由悬浮式排风管2和3个与悬浮式排风管2相连通的风机过滤机组Ⅰ3组成，风机过滤机组Ⅰ3位于陶瓷盘洗净机4顶部。排风一的风压为200Pa，风机过滤机组Ⅰ3的风速为0.5m/s。
[0026]在陶瓷盘洗净液换液后，同时开启排风一和排风二，排风二由下沉式排风管1和3个与下沉式排风管1连通的风机过滤机组Ⅱ5组成，风机过滤机组Ⅱ5位于陶瓷盘洗净机4下部侧边。风机过滤机组Ⅰ3和风机过滤机组Ⅱ5风速为0.8m/s，排风一和排风二的风压均为200Pa，保持运行15min。
[0027]对陶瓷盘洗净机出口位置的颗粒数据进行监测，各尺寸微粒个数如附图2所示。结果表明双排风系统各尺寸微粒数量都显著减少，尤其0.3和0.5 μm颗粒，较之前下降最高达到91.8%。经AD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善陶瓷盘洗净能力的工艺方法，其特征在于：陶瓷盘洗净依次通过1槽NKH
‑
001溶液、2槽NKH
‑
001溶液、3槽纯水槽、4槽纯水槽，包括如下操作步骤：第一步：陶瓷盘在1槽NKH
‑
001溶液中洗净时，温度为70℃，清洗时间为120s，其中前20s机械手臂夹持陶瓷盘做上下垂直摆动，频率2s，行程80mm，后100s浸泡清洗；当加工枚数最大值达到800枚后更换洗净液，换液前将洗净液温度降低至50℃，更换完成后重新升温到70℃；第二步：陶瓷盘在2槽NKH
‑
001溶液中洗净时，温度为70℃，浸泡清洗时间为120s；当加工枚数达到800枚时更换洗净液，换液前将洗净液温度降低至50℃，更换完成后重新升温到70℃；第三步：陶瓷盘在3槽纯水采用溢流清洗方式，清洗时间100s，溢流流量2L/min，纯水温度为75℃；当加工枚数达到800枚时更换整槽纯水，换液过程温度保持75℃不变；第四步：陶瓷盘在4槽纯水同样采用溢流清洗方式，清洗时间100s，溢流纯水流量2L/min，纯水温度为85℃；加工枚数达到800枚时更换整槽纯水，换液过程温度维持85℃不变；在陶瓷盘洗净液在药液周期内，只开启陶瓷盘洗净机（4）中的排风一，排...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡来强，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：