一种监控晶圆化学镀层质量的方法技术

本发明专利技术涉及一种监控晶圆化学镀层质量的方法，包括：提供表面已形成化学镀层的晶圆，化学镀层包括第一金属层及位于第一金属层表面的第二金属层，第二金属层与第一金属层采用不同的金属元素形成；在晶圆的第二金属层表面贴膜，对贴膜后的晶圆在预设时间内持续加热，加热一段时间后将膜剥离，然后利用显微镜观察第二金属层表面，若观察到有局部色差，则表明第一金属层的镀层质量异常。若第一金属层表面产生了尖刺状缺陷，则第二金属层镀液会沿尖刺状缺陷缝隙渗入其中，晶圆受热后缝隙内镀液挥发出来的气体受到膜的阻挡无法逃逸并不断腐蚀膜表面的胶层以及第二金属层表面，显微镜下可观察到第二金属层表面形成局部色差。观察到第二金属层表面形成局部色差。观察到第二金属层表面形成局部色差。

【技术实现步骤摘要】
一种监控晶圆化学镀层质量的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种监控晶圆化学镀层质量的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件在制造过程中，芯片表面的金属化层时常采用化学镀方式形成，例如芯片表面的镍层大多数通过化学镀镍方式形成。采用化学镀工艺时，化学镀液的温度及反应速率对于镀层的质量存在显著的影响，当晶圆被放入化学镀液中时，若晶圆表面出现明显的化学镀速率差，则会在晶圆的晶格交接处发生镀层沉积不均匀而形成尖刺状的镀层缺陷（如图1所示），该尖刺状缺陷影响镀层的质量，对于半导体器件的可靠性造成隐患。这种尖刺状缺陷在宏观和微观下均很难被发现，给实际生产中监控化学镀层质量带来困难。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开一种监控晶圆化学镀层质量的方法，能够用于实际生产中检验化学镀层是否有尖刺状缺陷，通过该方法控制化学镀层的质量，可有助于提升半导体器件的可靠性。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案为：一种监控晶圆化学镀层质量的方法，包括：提供表面已形成化学镀层的晶圆，所述化学镀层包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种监控晶圆化学镀层质量的方法，包括：提供表面已形成化学镀层的晶圆，所述化学镀层包括采用化学镀方式形成的第一金属层以及采用化学镀方式在所述第一金属层的表面形成的第二金属层，所述第二金属层与所述第一金属层采用不同的金属元素形成，其特征在于：在所述晶圆的所述第二金属层的表面贴膜；对贴膜后的所述晶圆在预设时间内持续加热；将加热后的所述晶圆表面的所述膜进行剥离；将剥膜后的所述晶圆放置于显微镜下观察所述第二金属层的表面是否有颜色异常，若观察到有局部色差，则表明所述第一金属层的镀层质量异常。2.根据权利要求1所述的一种监控晶圆化学镀层质量的方法，其特征在于：所述第一金属层所采用金属元素的活动性大于所述第二金属层所采用金属元素的活动性。3.根据权利要求2所述的一种监控晶圆化学镀层质量的方法，其特征在于：所述第一金属层为镍层，所述第二金属层为金层。4.根据权利要求1所述的一种监控晶圆化学镀层质量的方法，其特征在于：所述加热的温度为50℃～90℃。5.根据权利要求1或4所述的一种监控晶圆化学镀层质量的方法，其特征在于：所述预设时间为30min～60min。6.一种监控晶圆化学镀层质量的方法，其特征在于，包括：提供多片同时被放入同一...

【专利技术属性】
技术研发人员：高冰玲，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：