一种碳化硅器件结终端结构的制备方法及结终端结构技术

本发明专利技术提供一种碳化硅器件结终端结构的制备方法及结终端结构，包括：在碳化硅衬底层上形成外延层，并在所述外延层上沉积介质层；对所述介质层进行多次光刻和多次刻蚀处理，形成具有多种厚度的掩膜台阶；通过所述具有多种厚度的掩膜台阶向所述外延层进行离子注入，形成具有多种离子深度的结终端结构。通过具有多种厚度的掩膜台阶向外延层进行离子注入，形成具有多种离子深度的结终端结构，可以避免离子注入对碳化硅表面损伤，消除表面不可控的低浓度注入区域，提高了器件终端结构的可靠性和稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅器件结终端结构的制备方法及结终端结构


[0001]本专利技术属于碳化硅器件终端制备
，具体涉及一种碳化硅器件结终端结构的制备方法及结终端结构。

技术介绍

[0002]在碳化硅功率器件制备上常用的终端技术有场限环终端(FLR)和结终端扩展(JTE)。相比场限环终端，结终端扩展结构易于掩膜设计和工艺制作，且可以明显的提高器件击穿电压，JTE终端结构耐压能力强烈依赖于注入区域的负电荷浓度，目前为了获得对表面电荷的控制，从单独注入区域的结终端扩展技术发展成为了多注入区域的结终端扩展技术，然而该技术增加了注入以及掩膜制备步骤，对于半导体器件的批量化制备是不利的。

技术实现思路

[0003]为克服上述现有技术的不足，本专利技术提出一种碳化硅器件结终端结构的制备方法，包括：
[0004]在碳化硅衬底层上形成外延层，并在所述外延层上沉积介质层；
[0005]对所述介质层进行多次光刻和多次刻蚀处理，形成具有多种厚度的掩膜台阶；
[0006]通过所述具有多种厚度的掩膜台阶向所述外延层进行离子注入，形成具有多种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅器件结终端结构的制备方法，其特征在于，包括：在碳化硅衬底层上形成外延层，并在所述外延层上沉积介质层；对所述介质层进行多次光刻和多次刻蚀处理，形成具有多种厚度的掩膜台阶；通过所述具有多种厚度的掩膜台阶向所述外延层进行离子注入，形成具有多种离子深度的结终端结构。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在碳化硅衬底层上形成外延层，并在所述外延层上沉积介质层，包括：在碳化硅衬底层上生长一层N+型轻掺杂的N+缓冲层，并在所述N+缓冲层上生长一层N
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型的N
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漂移层形成外延层；在所述N
‑
漂移层上沉积介质层。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料至少包括下述中的一种或多种：二氧化硅、氮化铝和氧化铝。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述介质层进行多次光刻和多次刻蚀处理，形成具有多种厚度的掩膜台阶，包括：步骤S1：以最靠近元胞区域的终端区域为进行光刻和刻蚀的当前终端区域；步骤S2：对当前终端区域所对应的介质层进行刻蚀，在介质层背离外延层的一侧表面旋涂光刻胶膜；步骤S3：在当前终端区域对所述光刻胶膜进行图形化光刻和显影处理，并以处理后的所述光刻胶膜为刻蚀阻挡层对所述介质层进行刻蚀，之后去除光刻胶膜；步骤S4：判断介质层的剩余厚度是否小于等于n阈值，当大于时，将与当前终端区域相邻的具有一定步长宽度的终端区域加入当前终端区域继续执行步骤S2
‑
步骤S4；当小于时，形成具有多种厚度的掩膜台阶，结束处理；其中，所述n阈值不小于200nm。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对当前终端区域所对应的介质层进行刻蚀的每次刻蚀深度为：10nm～2μm。6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述具有一定步长宽度的终端区域的宽度为1μm～1mm...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文婷，牛喜平，魏晓光，杨霏，朱涛，安运来，刘瑞，杜泽晨，桑玲，李晨萌，
申请(专利权)人：国网安徽省电力有限公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：