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本发明提供一种碳化硅器件结终端结构的制备方法及结终端结构，包括：在碳化硅衬底层上形成外延层，并在所述外延层上沉积介质层；对所述介质层进行多次光刻和多次刻蚀处理，形成具有多种厚度的掩膜台阶；通过所述具有多种厚度的掩膜台阶向所述外延层进行离子注...
该专利属于国网安徽省电力有限公司电力科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过国网安徽省电力有限公司电力科学研究院授权不得商用。

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