多层电极、包括该多层电极的发光二极管和显示设备制造技术

本公开涉及多层电极、包括该多层电极的发光二极管和显示设备。所述显示设备包括在基板上的第一电极、面向所述第一电极的第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中所述第二电极包括：包括第一基础金属和不同于所述第一基础金属的第一添加剂金属的第一导电层、在所述第一导电层上且包括单一金属材料的第二导电层和在所述第二导电层上且包括第二基础金属和不同于所述第二基础金属的第二添加剂金属的第三导电层。属的第二添加剂金属的第三导电层。属的第二添加剂金属的第三导电层。

【技术实现步骤摘要】
多层电极、包括该多层电极的发光二极管和显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年9月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2021
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0117201号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]实施例涉及具有低驱动电压、高效率和长寿命的多层电极、包括该多层电极的发光二极管和包括该发光二极管的显示设备。

技术介绍

[0004]在显示设备中，有机发光显示设备是下一代显示设备，这不仅仅是由于其宽视角和优异的对比度，而且由于其快速的响应速度。
[0005]在有机发光显示设备中，薄膜晶体管和发光二极管(例如，有机发光元件)布置在基板上，并且发光二极管自身发光。有机发光显示设备用作诸如移动电话的小型产品的显示单元，并且还用作诸如电视机的大型产品的显示单元。
[0006]发光二极管可具有如下结构：其中第一电极(例如，阳极)布置在基板上，并且空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极(例如，阴极)依次形成在第一电极上。从第一电极注入的空穴经由空穴传输区域移动到发射层，并且从第二电极注入的电子经由电子传输区域移动到发射层。诸如空穴和电子的载流子在发射层区域中复合以生成激子。随着这些激子从激发态变为基态，生成光。
[0007]应当理解，该
技术介绍
部分部分地旨在提供用于理解该技术的有用的背景。然而，该
技术介绍
部分也可包括在本文中公开的主题的对应有效申请日之前并非相关领域的技术人员已知或理解的一部分的想法、构思或认知。

技术实现思路

[0008]实施例包括具有低驱动电压、高效率和长寿命的发光二极管以及包括该发光二极管的显示设备。然而，实施例不限制本公开的范围。
[0009]另外的方面将部分地在随后的描述中陈述，并且部分地将从描述而显而易见的，或可通过本公开的实施例的实践而得知。
[0010]根据实施例，一种显示设备可包括在基板上的第一电极、面向所述第一电极的第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中所述第二电极可包括：包括第一基础金属和不同于所述第一基础金属的第一添加剂金属的第一导电层、在所述第一导电层上且包括单一金属材料的第二导电层和在所述第二导电层上且包括第二基础金属和不同于所述第二基础金属的第二添加剂金属的第三导电层。
[0011]在一实施例中，所述第一基础金属可包括Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一种。在一实施例中，所述第一基础金属可包括具有等于或大于约1
×
107S/m的电导率的金属中的至少一种。
[0012]在一实施例中，所述第一添加剂金属可包括Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu和Sm中的至少一种。在一实施例中，所述第一添加剂金属可包括具有等于或小于约3eV的功函数的金属中的至少一种。
[0013]在一实施例中，所述单一金属材料可包括Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一种。在一实施例中，所述单一金属材料可包括具有等于或大于约1
×
107S/m的电导率的金属中的至少一种。
[0014]在一实施例中，所述第一导电层的厚度可小于所述第二导电层的厚度。
[0015]在一实施例中，所述第一导电层的厚度可在约至约的范围内。
[0016]在一实施例中，所述第二导电层的厚度可在约至约的范围内。
[0017]在一实施例中，所述第二电极可具有均包括所述第一导电层和所述第二导电层的多个堆叠结构。
[0018]在一实施例中，所述第一基础金属与所述第一添加剂金属的体积比可在约99:1至约1:1的范围内。
[0019]在一实施例中，所述第二基础金属可包括Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一种。在一实施例中，所述第二基础金属可包括具有等于或大于约1
×
107S/m的电导率的金属中的至少一种。
[0020]在一实施例中，所述第二添加剂金属可包括Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu和Sm中的至少一种。在一实施例中，所述第二添加剂金属可包括具有等于或小于约3eV的功函数的金属中的至少一种。
[0021]在一实施例中，所述第三导电层可包括与所述第一导电层相同的材料。
[0022]在一实施例中，所述第一导电层的厚度可小于所述第三导电层的厚度。
[0023]在一实施例中，所述第三导电层的厚度可在约至约的范围内。
[0024]在一实施例中，所述第二基础金属与所述第二添加剂金属的体积比可在约99:1至约1:1的范围内。
[0025]在一实施例中，所述第一导电层与所述第二导电层与所述第三导电层的厚度比可为约1:6:1。
[0026]根据实施例，一种发光二极管可包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中所述第二电极可包括：包括第一基础金属和不同于所述第一基础金属的第一添加剂金属的第一导电层、在所述第一导电层上且包括单一金属材料的第二导电层和在所述第二导电层上且包括第二基础金属和不同于所述第二基础金属的第二添加剂金属的第三导电层。
[0027]在一实施例中，所述第一基础金属可包括Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一种。在一实施例中，所述第一基础金属可包括具有等于或大于约1
×
107S/m的电导率的其它金属中的至少一种。
[0028]在一实施例中，所述第一添加剂金属可包括Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu和Sm中的至少一种。在一实施例中，所述第一添加剂金属可包括具有等于或小于约3eV的功函数的金属中的至少一种。
[0029]在一实施例中，所述第一导电层的厚度可小于所述第二导电层的厚度。
[0030]在一实施例中，所述第一基础金属与所述第一添加剂金属的体积比可在约99:1至约1:1的范围内。
[0031]在一实施例中，所述第二基础金属可包括Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一种。在一实施例中，所述第二基础金属可包括具有等于或大于约1
×
107S/m的电导率的金属中的至少一种。
[0032]在一实施例中，所述第二添加剂金属可包括Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu和Sm中的至少一种。在一实施例中，所述第二添加剂金属可包括具有等于或小于约3eV的功函数的金属中的至少一种。
[0033]在一实施例中，所述第一导电层的厚度可小于所述第三导电层的厚度。
[0034]在一实施例中，所述第二基础金属与所述第二添加剂金属的体积比可在约99:1至约1:1的范围内。
[0035]在一实施例中，所述单一金属材料可包括Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一种。在一实施例中，所述单一金属材料可包括具有等于或大于约1
×
107S/m的电导率的其它金属中的至少一种。
[0036]在一实施例中，所述第一导电层与所述第二导电层与所述第三导电层的厚度比可为约1:6:1。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：在基板上的第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中所述第二电极包括：包括第一基础金属和不同于所述第一基础金属的第一添加剂金属的第一导电层；在所述第一导电层上且包括单一金属材料的第二导电层；和在所述第二导电层上且包括第二基础金属和不同于所述第二基础金属的第二添加剂金属的第三导电层。2.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一基础金属包括Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一种。3.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一基础金属包括具有等于或大于1
×
107S/m的电导率的金属中的至少一种。4.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一添加剂金属包括Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu和Sm中的至少一种。5.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一添加剂金属包括具有等于或小于3eV的功函数的金属中的至少一种。6.如权利要求1所述的显示设备，其中所述单一金属材料包括Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一种。7.如权利要求1所述的显示设备，其中所述单一金属材料包括具有等于或大于1
×
107S/m的电导率的金属中的至少一种。8.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一导电层的厚度小于所述第二导电层的厚度。9.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一导电层的厚度在至的范围内。10.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第二导电层的厚度在至的范围内。11.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第二电极具有均包括所述第一导电层和所述第二导电层的多个堆叠结构。12.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一基础金属与所述第一添加剂金属的体积比在99:1至1:1的范围内。13.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第二基础金属包括Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一种。14.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第二基础金属包括具有等于或大于1
×
107S/m的电导率的金属中的至少一种。15.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第二添加剂金属包括Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu和Sm中的至少一种。16.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第二添加剂金属包括具有等于或小于3eV的功函数的金属中的至少一种。
17.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第三导电层包括与所述第一导电层相同的材料。18.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第三导电层的厚度小于所述第二导电层的厚度。19.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第三导电层的厚度在至的范围内。20.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第二基础金属与所述第二添加剂金属的体积比在99:1至1:1的范围内。21.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一导电层与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李学忠，贾允硕，金东赞，文智永，宋河珍，尹智焕，黄载熏，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：