薄膜晶体管阵列、其制造方法以及包括该薄膜晶体管阵列的显示设备技术

公开了一种薄膜晶体管阵列，包括：基板、位于基板上的第一薄膜晶体管以及位于基板上的第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管包括位于基板上的包括氧化物半导体的第一有源层，第一有源层包括第一沟道部分、第一导体部分以及位于第一沟道部分和第一导体部分之间的第一中间部分，第二薄膜晶体管包括位于基板上的包括氧化物半导体的第二有源层，第二有源层包括第二沟道部分、第二导体部分以及位于第二沟道部分和第二导体部分之间的第二中间部分，并且第一薄膜晶体管的第一导体部分的电阻率高于第二薄膜晶体管的第二导体部分的电阻率。第二薄膜晶体管的第二导体部分的电阻率。第二薄膜晶体管的第二导体部分的电阻率。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列、其制造方法以及包括该薄膜晶体管阵列的显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年9月3日提交的第10
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2021
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0117838号韩国专利申请和2021年12月31日提交的第10
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2021
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0194810号韩国专利申请的权益，上述专利申请通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述其内容。


[0003]本公开涉及薄膜晶体管阵列、其制造方法以及包括该薄膜晶体管阵列的显示设备。

技术介绍

[0004]根据构成有源层的材料，薄膜晶体管可以被划分为使用由非晶硅构成的有源层的非晶硅薄膜晶体管、使用由多晶硅构成的有源层的多晶硅薄膜晶体管、以及使用由氧化物半导体构成的有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。
[0005]由于氧化物半导体薄膜晶体管TFT根据氧的含量具有大的电阻变化，因而有利于获得期望的物理性质。此外，对于氧化物半导体薄膜晶体管的制造工艺，由于构成有源层的氧化物在相对低的温度下变成薄膜，所以制造成本低。由于氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列，包括：基板；位于所述基板上的第一薄膜晶体管；以及位于所述基板上的第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括位于所述基板上的包括氧化物半导体的第一有源层，所述第一有源层包括第一沟道部分、第一导体部分以及位于所述第一沟道部分和所述第一导体部分之间的第一中间部分，所述第二薄膜晶体管包括位于所述基板上的包括氧化物半导体的第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道部分、第二导体部分以及位于所述第二沟道部分和所述第二导体部分之间的第二中间部分，并且所述第一薄膜晶体管的所述第一导体部分的电阻率高于所述第二薄膜晶体管的所述第二导体部分的电阻率。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述第一薄膜晶体管还包括与所述第一有源层间隔开并且与所述第一有源层的至少一部分重叠的第一栅电极，所述第一沟道部分与所述第一栅电极重叠，并且所述第一导体部分与所述第一栅电极不重叠，所述第二薄膜晶体管还包括与所述第二有源层间隔开并且与所述第二有源层的至少一部分重叠的第二栅电极，并且所述第二沟道部分与所述第二栅电极重叠，并且所述第二导体部分与所述第二栅电极不重叠。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一中间部分与所述第一薄膜晶体管的所述第一栅电极重叠，并且所述第二薄膜晶体管的所述第二中间部分与所述第二薄膜晶体管的所述第二栅电极重叠。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一中间部分的长度短于所述第二薄膜晶体管的所述第二中间部分的长度。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的所述第一导体部分和所述第一中间部分被掺杂剂掺杂，并且所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的所述第二导体部分和所述第二中间部分被掺杂剂掺杂。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一导体部分具有第一掺杂浓度，并且所述第一沟道部分具有低于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，并且所述第二薄膜晶体管的所述第二导体部分具有第三掺杂浓度，并且所述第二沟道部分具有低于所述第三掺杂浓度的第四掺杂浓度。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列，
其中，在从所述第一沟道部分变得靠近所述第一导体部分时，所述第一薄膜晶体管的所述第一中间部分的掺杂浓度从所述第二掺杂浓度向所述第一掺杂浓度变化，并且在从所述第二沟道部分变得靠近所述第二导体部分时，所述第二薄膜晶体管的所述第二中间部分的掺杂浓度从所述第四掺杂浓度向所述第三掺杂浓度变化。8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述第一中间部分的掺杂浓度低于所述第二中间部分的掺杂浓度。9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述第一导体部分的所述第一掺杂浓度低于所述第二导体部分的所述第二掺杂浓度。10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述掺杂剂包括硼B、磷P、氟F和氢H中的至少一种。11.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一导体部分的掺杂剂浓度相对于所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层是大约0.01至0.8at％。12.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述第二薄膜晶体管的所述第二导体部分的掺杂剂浓度相对于所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层是大约0.1至0.8at％。13.一种显示设备，包括薄膜晶体管阵列，其中，所述薄膜晶体管阵列包括：基板；位于所述基板上的第一薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：文庆周，卢韶颖，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：