薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置制造方法及图纸

技术编号:36799712 阅读:34 留言:0更新日期:2023-03-08 23:32
提供了一种薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置。该薄膜晶体管基板包括:在基底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中第一薄膜晶体管包括:在基底基板上的第一有源层;和与第一有源层分隔开的第一栅极电极,第二薄膜晶体管包括:在基底基板上的第二有源层;和与第二有源层分隔开的第二栅极电极,并且第一有源层具有比第二有源层的迁移率高的迁移率。由于根据使用目的一起使用具有高迁移率和高电流特性的薄膜晶体管和具有优异稳定性的薄膜晶体管,因此可以提高显示装置中的薄膜晶体管的布置效率。置中的薄膜晶体管的布置效率。置中的薄膜晶体管的布置效率。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月3日提交的韩国专利申请第10

2021

0117992号以及于2021年12月29日提交的韩国专利申请第10

2021

0190668号的优先权和权益,通过引用将这些韩国专利申请并入本文,如同在此完全阐述一样。


[0003]本公开内容涉及一种薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置,更具体地,涉及一种包括具有各自彼此不同的电流特性的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置。

技术介绍

[0004]随着多媒体的发展,显示装置变得更加重要,诸如液晶显示装置、等离子体显示装置、有机发光显示装置之类的平板显示装置已得到商业化。
[0005]平板显示装置可以包括用于将扫描信号顺序地提供给多个像素的栅极驱动器。栅极驱动器包括多个级,多个级包括多个晶体管,并且这些级以级联方式连接以顺序地输出扫描信本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板,包括:在基底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中所述第一薄膜晶体管包括:在所述基底基板上的第一有源层;和与所述第一有源层分隔开的第一栅极电极,所述第二薄膜晶体管包括:在所述基底基板上的第二有源层;和与所述第二有源层分隔开的第二栅极电极,并且所述第一有源层具有比所述第二有源层的迁移率高的迁移率。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述第一有源层具有比所述第二有源层的迁移率高5至45cm2/V
·
s的迁移率。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,进一步包括第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层在所述第一有源层和所述第一栅极电极之间以及所述第二有源层和所述第二栅极电极之间。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板,进一步包括第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层在所述第二有源层和所述第二栅极电极之间。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其中所述第二栅极绝缘层设置在所述第一有源层和所述基底基板之间。6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板,进一步包括第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层在所述第一有源层和所述第一栅极电极之间。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板,其中所述第二栅极绝缘层设置在所述第二有源层和所述基底基板之间。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述第一有源层包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层,并且所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层的迁移率高的迁移率。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板,其中所述第一氧化物半导体层设置为比所述第二氧化物半导体层靠近所述第一栅极电极。10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板,其中所述第二氧化物半导体层设置为比所述第一氧化物半导体层靠近所述第一栅极电极。11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板,其中所述第二氧化物半导体层覆盖所述第一氧化物半导体层的上表面和侧表面。12.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板,其中所述第一有源层进一步包括第三氧化物半导体层。13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管基板,其中所述第三氧化物半导体层与所述第一氧化物半导体层接触。14.根据权利要求12所述的薄膜晶体管基板,其中所述第三氧化物半导体层覆盖所述第一氧化物半导体层的上表面和侧表面以及所述第二氧化物半导体层的上表面和侧表面。15.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述第二有源层设置在与所述第一有源层相同的层,
所述第一有源层包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层,并且所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层的迁移率高的迁移率,并且所述第二有源层具有与所述第一有源层的所述第二氧化物半导体层的组成相同的...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵光敏洪基相
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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