保护电路制造技术

本发明专利技术提供动作精度高且防止向被保护电路的过电压的保护电路。本发明专利技术是保护与外部输出端子连接的被保护电路免受过电压影响的保护电路，具备：电流路径部，与所述外部输出端子连接，包含至少一个第一元件；基准电压生成部，生成并输出基准电压；放大电路，基于第一输入电压与第二输入电压之差输出目标电压。所述放大电路将所述基准电压设为所述第一输入电压，将基于所述目标电压的反馈电压设为第二输入电压进行动作，向所述电流路径部输出所述目标电压。所述基准电压生成部包含具有与所述电流路径部的所述至少一个第一元件的动作特性对应的动作特性的至少一个第二元件，基于由所述至少一个第二元件引起的电压降生成所述基准电压。电压。电压。

【技术实现步骤摘要】
保护电路


[0001]本专利技术涉及一种保护电路，特别是涉及一种保护被保护电路免受过电压的影响的保护电路。

技术介绍

[0002]在电流输出型放大器的动作中，如果对该放大器的输出施加比设想的负载大的负载，则成为过电压的状态，有时该放大器会损坏。因此，为了保护放大器免受这样的过电压的影响，通常为了防止产生这样的过电压而使用保护电路。钳位电路作为以不向应该保护的电路(被保护电路)输入过电压的方式，固定在恒定的电压范围内来保护被保护电路的电路而为人所知。
[0003]例如，下述专利文献1公开了能够设定钳位电压的钳位电路。具体而言，专利文献1公开了一种钳位电路，其使用恒流源和多个二极管，提取以基准电压为中心的正负的钳位电压，并使用由全反馈放大器构成的两个缓冲电路输出稳定的钳位电压。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特公平8
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23784号公报

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]然而，如果保护电路的动作精度因工艺变化、温度特性的影响而降低，则需要设定保护电压的电平以补偿该情况，因此，存在牺牲被保护电路的动态范围这样的问题。特别是，在由外置部件构成保护电路的情况下，存在如下问题：由于具有与构成保护电路的元件不同的工艺偏差，并且温度特性不稳定，所以动作精度显著地降低，如果要应对该情况，则不必要地变成高成本。
[0009]另外，专利文献1所公开的钳位电路在其动作中需要保护电压以上的电源电压。而且，该钳位电路仅使用将二极管元件串联连接而成的串联结构来设定正负的钳位电压，因此，钳位电压容易依赖于每个二极管元件的工艺偏差、温度特性，动作精度还不够。
[0010]因此，本专利技术的目的在于提供一种不易受到工艺偏差和/或温度特性的影响，且动作精度高，并防止针对被保护电路的过电压的保护电路。
[0011]另外，本专利技术的目的在于提供一种能够将保护电压设定为电源电压以上的电压，而且能够任意地进行调整的保护电路。
[0012]技术方案
[0013]用于解决上述问题的本专利技术被构成为包含以下所示的专利技术特定事项或技术特征。
[0014]按照某个观点的本专利技术是一种保护与外部输出端子连接的被保护电路免受过电压的影响的保护电路。所述保护电路具备：电流路径部，其与所述外部输出端子连接，并包含至少一个第一元件；基准电压生成部，其生成并输出基准电压；以及放大电路，其基于第
一输入电压与第二输入电压之差来输出目标电压。所述放大电路将所述基准电压设为所述第一输入电压，并将基于所述目标电压的反馈电压设为第二输入电压而进行动作，向所述电流路径部输出所述目标电压。另外，所述基准电压生成部包含至少一个第二元件，所述至少一个第二元件具有与所述电流路径部的所述至少一个第一元件的动作特性对应的动作特性，所述基准电压生成部基于由所述至少一个第二元件所引起的电压降来生成所述基准电压。
[0015]所述电流路径部可以基于所述目标电压和与由所述至少一个第一元件所引起的电压降对应的电压，确定所述外部输出端子处的保护电压。
[0016]另外，所述基准电压生成部可以被构成为确定用于生成所述基准电压的预定的电压。
[0017]另外，所述基准电压生成部可以将从所述预定的电压起基于流过所述至少一个第二元件的第二电流而进行所述电压降而得的电压作为所述基准电压而输出。
[0018]另外，所述基准电压生成部可以还包括输出所述第二电流的第二电流源。
[0019]另外，所述基准电压生成部可以包括：电阻元件；以及第一电流源，其输出第一电流。
[0020]另外，所述电阻元件可以是能够调整电阻值的可变电阻元件。
[0021]另外，所述基准电压生成部可以基于从所述第一电流源输出的所述第一电流的值和所述电阻元件的所述电阻值来确定所述预定的电压。
[0022]另外，所述第一电流源可以被构成为生成与所述电阻值成反比的所述第一电流。
[0023]另外，所述保护电路可以还具备增益设定部，所述增益设定部基于所述目标电压来生成所述反馈电压。
[0024]另外，所述增益设定部可以包括分压电阻器，并通过所述分压电阻器来生成所述反馈电压。
[0025]另外，所述电流路径部可以包含将m1个所述第一元件并联连接而成的第一并联连接块，所述电流路径部可以是将n1个所述第一并联连接块串联连接而构成的。
[0026]另外，所述基准电压生成部可以包含将m2个所述第一元件并联连接而成的第二并联连接块，所述基准电压生成部可以是将n2个所述第二并联连接块串联连接而构成的。
[0027]另外，所述保护电路可以依赖于所述电流路径部中的所述第一元件的个数m1与所述基准电压生成部中的所述第二元件的个数m2之比，确定向所述外部输出端子引入的电流的值。
[0028]另外，所述保护电路可以依赖于所述电流路径部中的所述第一并联连接块的级数n1与所述基准电压生成部中的所述第二并联连接块的级数n2之比，确定所述外部输出端子处的保护电压。
[0029]进一步地，按照另一观点的本专利技术是一种保护与外部输出端子连接的被保护电路免受过电压的影响的保护电路，所述保护电路具备：第一保护电路块，其用于保护所述被保护电路免受正侧的所述过电压的影响；以及第二保护电路块，其用于保护所述被保护电路免受负侧的所述过电压的影响。所述第一保护电路块和所述第二保护电路块分别具备：电流路径部，其与所述外部输出端子连接，并包含至少一个第一元件；基准电压生成部，其生成并输出基准电压；以及放大电路，其基于第一输入电压与第二输入电压之差来输出目标
电压。所述放大电路将所述基准电压设为所述第一输入电压，并将基于所述目标电压的反馈电压设为第二输入电压而进行动作，向所述电流路径部输出所述目标电压。另外，所述基准电压生成部包含至少一个第二元件，所述至少一个第二元件具有与所述电流路径部的所述至少一个第一元件的动作特性对应的动作特性，所述基准电压生成部基于由所述至少一个第二元件所引起的电压降来生成所述基准电压。
[0030]应予说明，在本说明书等中，单元不仅仅是指物理单元，也包括通过软件实现该单元所具有的功能的情况。另外，可以通过两个以上的物理单元来实现一个单元所具有的功能，也可以通过一个物理单元来实现两个以上的单元的功能。另外，“系统”是指多个装置(或实现特定的功能的功能模块)的逻辑集合，且没有特别限制各装置和/或功能模块是否在单个框体内。
[0031]专利技术效果
[0032]根据本专利技术，能够得到不易受到工艺偏差、温度特性的影响，且动作精度高，并防止相对于被保护电路的过电压的保护电路。进一步地，根据本专利技术，能够得到能够将保护电压设定为电源电压以上的电压，进而能够任意地调整的保护电路。
[0033]本专利技术的其他技术特征、目的以及作用效果或优点通过参照附图进行说明的以下的实施方式而变得明确。本说明书所记载的效果仅为例示且并不限定于此，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保护电路，其特征在于，保护与外部输出端子连接的被保护电路免受过电压的影响，所述保护电路具备：电流路径部，其与所述外部输出端子连接，并包含至少一个第一元件；基准电压生成部，其生成并输出基准电压；以及放大电路，其基于第一输入电压与第二输入电压之差来输出目标电压，所述放大电路将所述基准电压设为所述第一输入电压，并将基于所述目标电压的反馈电压设为第二输入电压而进行动作，向所述电流路径部输出所述目标电压，所述基准电压生成部包含至少一个第二元件，所述至少一个第二元件具有与所述电流路径部的所述至少一个第一元件的动作特性对应的动作特性，所述基准电压生成部基于由所述至少一个第二元件所引起的电压降来生成所述基准电压。2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述电流路径部基于所述目标电压和与由所述至少一个第一元件所引起的电压降对应的电压，确定所述外部输出端子处的保护电压。3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述基准电压生成部被构成为确定用于生成所述基准电压的预定的电压。4.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述基准电压生成部将从所述预定的电压起基于流过所述至少一个第二元件的第二电流而进行所述电压降而得的电压作为所述基准电压而输出。5.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述基准电压生成部还包括输出所述第二电流的第二电流源。6.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述基准电压生成部包括：电阻元件；以及第一电流源，其输出第一电流。7.根据权利要求6所述的保护电路，其特征在于，所述电阻元件是能够调整电阻值的可变电阻元件。8.根据权利要求7所述的保护电路，其特征在于，所述基准电压生成部基于从所述第一电流源输出的所述第一电流的值和所述电阻元件的所述电阻值来确定所述预定的电压。9.根据权利要求7所述的保护电路，其特征在于，所述第一电流源被构成为生成与所述电阻值成反比的所述第一电流。10.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述保护电路还具备增益设定部，所述增益设定部基于所述目标电压来生成所述反馈电压。11....

【专利技术属性】
技术研发人员：山田悠太，池田卓史，
申请(专利权)人：株式会社巨晶片，
类型：发明
国别省市：