磁性组件及功率变换组件制造技术

本案为一种磁性组件，其特征在于，包含：磁芯组件，包含：上磁盖；下磁盖，与上磁盖相对设置；第一磁柱，位于上磁盖及下磁盖之间；第二磁柱，位于上磁盖及下磁盖之间；以及通道，设置于第一磁柱和第二磁柱之间；其中下磁盖更包含第一孔洞跟第二孔洞，分别位于第一磁柱和第二磁柱的两个相对外侧，且贯穿下磁盖，当上磁盖及下磁盖扣合于电路板上时，上磁盖朝下磁盖方向的投影覆盖第一磁柱及第二磁柱。本案还涉及一种功率变换组件。种功率变换组件。种功率变换组件。

【技术实现步骤摘要】
磁性组件及功率变换组件


[0001]本案关于一种磁性组件及功率变换组件，尤指一种磁芯组件上具有孔洞，以供绕组穿设的磁性组件及功率变换组件。

技术介绍

[0002]随着互联网、云端运算、电动车及工业自动化等技术的提升，CPU、GPU、ASIC等电力的消耗越来越大，因此为其供电的电源的需求也越来越大，使得功率变换组件必须朝高功率密度及高效率的方向发展。为了满足高效率和高功率密度的电源需求，目前业界做法为将12V的母线电压提高到48V，来减少功率变换组件的损耗。针对输入电压为48V的功率变换组件，第一种方式为采用两级变换器(即比例变换器及buck变换器)，以达到功率变换的效果，然而上述采用两级变换器的功率变换组件的效率较低，且应用较为复杂。
[0003]第二种方式则采用单级变换器，例如具有分立磁件的半桥倍流整流电路或具有集成磁件的半桥倍流整流电路，而采用单级变换器的功率变换组件的变换效率较高且功率密度较高，然而，所述功率变换组件的输出电感的感量较大，进而使功率变换组件的输出动态特性较差。
[0004]因此，如何发展一种磁性组件及功率变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁性组件，其特征在于，包含：一磁芯组件，包含：一上磁盖；一下磁盖，与所述上磁盖相对设置；一第一磁柱，位于所述上磁盖及所述下磁盖之间；一第二磁柱，位于所述上磁盖及所述下磁盖之间；以及一通道，设置于所述第一磁柱和所述第二磁柱之间；其中所述下磁盖更包含一第一孔洞跟一第二孔洞，分别位于所述第一磁柱和所述第二磁柱的两个相对外侧，且贯穿所述下磁盖，当所述上磁盖及所述下磁盖扣合于一电路板上时，所述上磁盖朝所述下磁盖方向的投影覆盖所述第一磁柱及所述第二磁柱。2.如权利要求1所述的磁性组件，其中所述磁性组件更包含：一第一绕组组件，包含一第一副边绕组及一第二副边绕组，所述第一副边绕组沿一第一方向绕制于所述第一磁柱上，且沿一第二方向绕制于所述第二磁柱上，所述第二副边绕组沿所述第二方向绕制于所述第一磁柱上，且沿所述第一方向绕制于所述第二磁柱上，所述第一方向与所述第二方向相反；以及一第二绕组组件，至少部分穿设于所述第一孔洞内，且电性连接所述第一副边绕组及所述第二副边绕组，构成一第一电感的一绕组。3.如权利要求2所述的磁性组件，其中所述第一副边绕组及所述第二副边绕组分别包含一第一端及一第二端，所述第一副边绕组的所述第二端与所述第二副边绕组的所述第二端相互电性连接以构成一第一绕组中点，所述第二绕组组件的一端电性连接于所述第一绕组中点，所述第二绕组组件的另一端穿过所述第一孔洞而曝露于所述下磁盖。4.如权利要求3所述的磁性组件，其中所述第一副边绕组及所述第二副边绕组分别为0.5匝，且所述第一副边绕组的所述第一端相邻于所述磁芯组件的一第一侧，所述第一副边绕组的所述第二端相邻于与所述第一侧相对的所述磁芯组件的一第二侧，所述第一副边绕组自其所述第一端至所述第二端依次通过所述磁芯组件的所述第一侧、正向通过所述通道至所述磁芯组件的所述第二侧，所述第二副边绕组的所述第一端相邻于所述磁芯组件的所述第一侧，所述第二副边绕组的所述第二端相邻于所述磁芯组件的所述第二侧，所述第二副边绕组自其所述第一端至所述第二端依次通过所述磁芯组件的所述第一侧、反向通过所述通道至所述磁芯组件的所述第二侧。5.如权利要求4所述的磁性组件，其中所述第一绕组组件更包含一第三副边绕组及一第四副边绕组，所述第三副边绕组沿所述第一方向绕制于所述磁芯组件的所述第二磁柱上，且沿所述第二方向绕制于所述第一磁柱上，所述第四副边绕组沿所述第二方向绕制于所述磁芯组件的所述第二磁柱上，且沿所述第一方向绕制于所述第一磁柱上；所述磁性组件包含一第三绕组组件，至少部分穿设于所述第二孔洞内，且电性连接所述第三副边绕组及所述第四副边绕组，并构成一第二电感的一绕组。6.如权利要求5所述的磁性组件，其中所述第三副边绕组及所述第四副边绕组分别包含一第一端及一第二端，所述第三副边绕组的所述第二端与所述第四副边绕组的所述第二端相互电性连接以构成一第二绕组中点，所述第三绕组组件的一端电性连接于所述第二绕组中点，所述第三绕组组件的另一端穿过所述第二孔洞而曝露于所述下磁盖。
7.如权利要求6所述的磁性组件，其中所述第三副边绕组及所述第四副边绕组分别为0.5匝，且所述第三副边绕组的所述第一端相邻于所述磁芯组件的所述第二侧，所述第三副边绕组的所述第二端相邻于与所述磁芯组件的所述第二侧，所述第三副边绕组自其所述第一端至所述第二端依次通过所述磁芯组件的所述第二侧、反向通过所述通道以及所述磁芯组件的所述第一侧，所述第四副边绕组的所述第一端相邻于所述磁芯组件的所述第二侧，所述第四副边绕组的所述第二端相邻于所述磁芯组件的所述第一侧，所述第四副边绕组自其所述第一端至所述第二端依次通过所述磁芯组件的所述第二侧、正向通过所述通道以及所述磁芯组件的所述第一侧。8.如权利要求2所述的磁性组件，其中所述第一绕组组件更包含一原边绕组，所述原边绕组包含一第一端及一第二端，所述原边绕组的所述第一端及所述第二端分别相邻于所述磁芯组件的所述第二侧，且所述原边绕组从所述第一端至所述第二端依序通过所述磁芯组件的所述第二侧、反向通过所述通道、所述磁芯组件的所述第一侧、...

【专利技术属性】
技术研发人员：金达，钱黎涛，李袁媛，翟宏宇，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：