【技术实现步骤摘要】
一种低成本碳化硼陶瓷复合材料的制备方法
[0001]本专利技术涉及一种低成本碳化硼陶瓷复合材料的制备方法,属于材料制备
技术介绍
[0002]碳化硼(B4C)因具有高硬度和低密度,可应用于军工防护和航天航空等领域。但因碳化硼原料粉体和陶瓷材料制备工艺成本较高,限制了其广泛应用。
[0003]目前,碳化硼陶瓷及其复合材料的制备,主要有无压烧结、热压烧结、放电等离子烧结等方法,这些制备方法的成本较高,其原因主要源于两方面:一方面,这些制备方法都需要昂贵的设备,且烧结温度也较高(2000℃左右),这就使烧结工艺的成本较高。另一方面,这些制备方法对碳化硼原料粉体的纯度、粒度要求都比较高,碳化硼原料粉体的纯度需高于98%,碳化硼原料粉体的粒度需低于2μm,由于主要是通过碳热还原法制备的,其中存在游离碳和颗粒团聚体,就需要经过破碎和提纯,提纯和破碎处理成本比较高,这就使碳化硼原料粉体的成本较高。采用渗Si反应烧结制备碳化硼复合材料,虽可解决陶瓷材料制备工艺成本较高的问题,但仍存在碳化硼原料粉体成本较高的问题。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低成本碳化硼陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,其包括如下步骤:S1、将硼酸粉体与炭黑混合均匀,模压成型后进行预脱水;S2、将预脱水后的粉体进行碳热还原反应,合成碳化硼或碳化硼
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C粉体;S3、将步骤S2合成的粉体与粘结剂混合均匀,模压成型,干燥后获得多孔陶瓷素坯;S4、将素坯作为骨架,以硅作为熔渗剂,进行真空熔渗,获得碳化硼陶瓷复合材料。2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,所述硼酸粉体重量纯度>99.9%;采用的炭黑粉体重量纯度>99%,中位粒径为20nm。3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,所述硼酸粉体与炭黑按重量比为70~80:30~20进行。4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述混合均匀采用机械混合。5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,所述模压成型的压力为120~180MPa,预脱水的条件为550℃条件下保温1h,使H3BO3脱水形成B2O3,得到B2O3‑
C素坯。6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述碳热还原反应的条件为在1700℃的真空状态下,高温烧制30min。7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S3中,所述粘结剂为质量浓度为5%的聚乙...
【专利技术属性】
技术研发人员:张翠萍,郑雅雯,夏乾,孙是昊,茹红强,
申请(专利权)人:东北大学,
类型:发明
国别省市:
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