一种晶须增强碳化硼复合陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种晶须增强碳化硼复合陶瓷，包括如下重量份的组分：碳化硼粉体50~99.5份、晶须0.5~20份、烧结助剂0

【技术实现步骤摘要】
一种晶须增强碳化硼复合陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术属于陶瓷材料的
，具体涉及一种晶须增强碳化硼复合陶瓷及其制备方法。

技术介绍

[0002]碳化硼陶瓷有极高的硬度和低密度特点，是公认最优秀的防弹材料之一，尤其在单兵防弹、航空装甲等对重量敏感的领域，有绝对优势。
[0003]碳化硼防弹陶瓷的主要制备工艺有：反应烧结、无压烧结和热压烧结。其中，反应烧结和无压烧结制备碳化硼陶瓷，具有力学性能较差、性能不稳定等缺点，整体防弹性能较差，应用较少。市场上碳化硼陶瓷生产方法基本上是热压烧结。热压烧结碳化硼防弹陶瓷致密度、力学性能稳定，但其韧性依然较差，防多弹、重弹性能不够。
[0004]中国专利技术专利200610042047.X中公开了一种“碳化硼基复合防弹陶瓷及其制备方法”，该陶瓷由碳化硼粉体、碳化硅晶须、硅粉、硼化物（硼矸、硼酸、金属硼）组成，采用热压烧结，经过高温反应后，得到碳化硼—六硼化硅—碳化硅复合陶瓷。很明显，此类技术面临着反应不完全，微观结构不均匀，从而导致材料硬度低、可靠性低等问题，很难应用在防弹等高要求领本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶须增强碳化硼复合陶瓷，其特征在于：包括如下重量份的组分：碳化硼粉体：50~99.5份晶须：0.5~20份烧结助剂：0
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10份增强剂：0
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20份其中：所述碳化硼粉体的平均粒径为0.3~1.5μm，所述烧结助剂的平均粒径为0.2~3μm，所述增强剂的平均粒径为0.2~3μm。2.根据权利要求1所述的晶须增强碳化硼复合陶瓷，其特征在于：包括如下重量份的组分：碳化硼粉体：70~95份晶须：5~10份烧结助剂：0
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10份增强剂：0
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20份。3.根据权利要求1所述的晶须增强碳化硼复合陶瓷，其特征在于：所述晶须为SiC、BN和SiBCN中的至少一种，所述晶须的直径为0.3~1.5μm，长径比为5~100。4.根据权利要求1所述的晶须增强碳化硼复合陶瓷，其特征在于：所述烧结助剂为硼粉、碳粉、TiO2、MgO、Al2O3、Y2O3、Ce2O3、Sm2O3中的至少一种。5.根据权利要求1所述的晶须增强碳化硼复合陶瓷，其特征在于：所述增强剂为TiB2、TiN、TiC、Ti（C,N）、ZrB2、WC、SiC和硼化钨中的至少一种。6.一种用于制备权利要求1
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5中任意一项所述的晶须增强碳化硼复合陶瓷的方法，其特征在于：包括下述步骤：S1：混料：将碳化硼粉体、晶须、烧结助剂和...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋国强，杨海东，刘朋飞，崔岩，
申请(专利权)人：广东融加科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：