陶瓷部件及包括该陶瓷部件的等离子体蚀刻装置制造方法及图纸

实施方式涉及一种陶瓷部件及包括其的等离子体蚀刻装置等。一实施方式涉及一种陶瓷部件，其为应用于等离子体蚀刻装置的陶瓷部件，上述陶瓷部件的特征在于，上述陶瓷部件包括复合材料以及与上述复合材料相接填充的基质，上述复合材料包括选自由碳化硼基材料和碳基材料中的一种，上述基质包括碳化硼基材料，上述复合材料的碳化硼基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中，在481cm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷部件及包括该陶瓷部件的等离子体蚀刻装置


[0001]实施方式涉及一种陶瓷部件及包括该陶瓷部件的等离子体蚀刻装置。

技术介绍

[0002]在等离子体处理装置中，上电极和下电极设置在腔室中，如半导体晶片或玻璃基板等的基板被安装在下电极上，并在两个电极之间施加电力。由两个电极之间的电场加速的电子、从电极发射的电子或加热的电子引起与处理气体分子之间的电离碰撞，从而产生处理气体的等离子体。等离子体中的如自由基或离子等活性物质在基板表面上进行所需的微加工，例如蚀刻加工。近年来，微电子器件等的制造中的设计规则变得越来越精细，尤其，对于等离子体蚀刻需要更高的尺寸精度，因此使用比现有技术显著高的电力。在上述的等离子体处理装置中内装有受等离子体影响的作为陶瓷部件的聚焦环。聚焦环也称为边缘环或冷环等。
[0003]就上述聚焦环而言，当电力增加时，由于形成驻波的波长效应和电场集中在电极表面中心部的集肤效应等，大体上基板中心部最大化，边缘变得最低，因此基板上的等离子体分布的不均匀性加深。若基板上的等离子体分布不均匀，则等离子体处理变得不均匀，导致微电子器件的质量劣化。
[0004]因此，需要确保高功能性聚焦环，以期待使用晶片的微电子器件的收率提高。
[0005]上述
技术介绍
是专利技术人拥有的用于导出实施方式的技术信息，或者是在导出过程中获取的技术信息，而不一定是在本专利技术的申请之前向公众公开的已知技术。
[0006]作为相关现有专利文献，有韩国授权专利第10
‑
2128595号公开的“聚焦环及包括其的等离子体装置”等。

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]实施方式的目的在于提供作为具有进一步改善的物理性能的陶瓷部件的聚焦环。
[0009]实施方式的另一目的在于提供可通过应用作为具有进一步改善的物理性能的陶瓷部件的聚焦环来更有效地制备半导体器件的方法。
[0010]解决问题的方案
[0011]为了达到上述目的，根据实施方式的陶瓷部件可以为应用于等离子体蚀刻装置的陶瓷部件，上述陶瓷部件的特征在于，上述陶瓷部件的表面可以包括基质和在上述基质中与上述基质相接设置的复合材料，上述陶瓷部件的比电阻可以为10
‑1Ω
·
cm至20Ω
·
cm，上述基质可以包括碳化硼基材料，上述复合材料可以包括选自由碳化硼基材料、碳基材料及其组合组成的组中的一种，上述复合材料的尺寸可以为40μm以下，上述复合材料的碳化硼基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中，在481cm
‑1附近的峰的强度Ia与在534cm
‑1附近的峰的强度Ib之总和Iab和在270cm
‑1附近的峰的强度Ic与在320cm
‑1附近的峰的强度Id之总和Icd的比Iab/Icd可以为1至1.8，上述复合材料的碳基材料在通过拉曼光谱学测定
的拉曼位移光谱中，G带峰的强度Ie与D带峰的强度If的比Ie/If可以为0.2至2。
[0012]在一实施方式中，上述基质的碳化硼基材料在通过拉曼光谱学测定的强度光谱中，在481cm
‑1附近的峰的强度Ia与在534cm
‑1附近的峰的强度Ib之总和强度Iab和在270cm
‑1附近的峰的强度Ic与在320cm
‑1附近的峰的强度Id之总和强度Icd的比Iab/Icd可以为1.1至2.3。
[0013]在一实施方式中，在上述陶瓷部件的表面或截面观察到的气孔的平均直径可以为5μm以下。
[0014]在一实施方式中，上述陶瓷部件可以包括：安置部，距基准表面具有第一高度，以及主体部，距上述基准表面具有第二高度；上述安置部可以包括供蚀刻对象安置的安置部上表面，上述主体部可以包括通过等离子直接蚀刻的主体部上表面。
[0015]在一实施方式中，在上述安置部与上述主体部之间还可以包括倾斜部，上述倾斜部可以包括连接上述安置部上表面和上述主体部上表面的倾斜部上表面。
[0016]在一实施方式中，上述陶瓷部件的弯曲强度可以为300MPa以上。
[0017]在一实施方式中，上述碳基材料的含量相对于陶瓷部件的总含量可以为0.5重量％以上。
[0018]为了达到上述目的，根据另一实施方式的陶瓷部件可以为应用于等离子体蚀刻装置的陶瓷部件，上述陶瓷部件的特征在于，上述陶瓷部件的表面可以包括基质和在上述基质中与上述基质相接设置的复合材料，上述陶瓷部件的比电阻可以为10
‑2Ω
·
cm至10
‑1Ω
·
cm，上述基质可以包括碳化硼基材料，上述复合材料可以包括选自由碳化硼基材料、氧化硼及其组合组成的组中的一种，上述复合材料的尺寸可以为40μm以下，上述复合材料的碳化硼基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中，在481cm
‑1附近的峰的强度Ia与在534cm
‑1附近的峰的强度Ib之总和Iab和在270cm
‑1附近的峰的强度Ic与在320cm
‑1附近的峰的强度Id之总和Icd的比Iab/Icd可以为1至1.8。
[0019]为了达到上述目的，根据实施方式的半导体制造用陶瓷部件，在表面可以包括基质和在上述基质中与上述基质相接设置的复合材料，上述陶瓷部件的比电阻可以为10
‑1Ω
·
cm至20Ω
·
cm，上述基质可以包括碳化硼基材料，上述复合材料可以包括选自由碳化硼基材料、碳基材料及其组合组成的组中的一种，上述复合材料的尺寸可以为40μm以下，上述复合材料的碳化硼基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中，在481cm
‑1附近的峰的强度Ia与在534cm
‑1附近的峰的强度Ib之总和Iab和在270cm
‑1附近的峰的强度Ic与在320cm
‑1附近的峰的强度Id之总和Icd的比Iab/Icd可以为1至1.8，上述复合材料的碳基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中，G带峰的强度Ie与D带峰的强度If的比Ie/If可以为0.2至2。
[0020]为了达到上述目的，根据实施方式的半导体制造用陶瓷部件，在表面可以包括基质和在上述基质中与上述基质相接设置的复合材料，上述陶瓷部件的比电阻可以为10
‑2Ω
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cm至10
‑1Ω
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cm，上述基质可以包括碳化硼基材料，上述复合材料可以包括选自由碳化硼基材料、氧化硼及其组合组成的组中的一种，上述复合材料的尺寸可以为40μm以下，上述复合材料的碳化硼基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中，在481cm
‑1附近的峰的强度Ia与在534cm
‑1附近的峰的强度Ib之总和Iab和在270cm
‑1附近的峰的强度Ic与在320cm
‑1附近的峰的强度Id之总和Icd的比Iab/Icd可以为1至1.8。
[0021]为了达到上述目的，根据实施方式的陶瓷部件的制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种陶瓷部件，是用于等离子体蚀刻装置的陶瓷部件，其特征在于，上述陶瓷部件的表面包括：基质，复合材料，在上述基质中与上述基质相接设置；上述陶瓷部件的比电阻为10
‑1Ω
·
cm至20Ω
·
cm，上述基质包括碳化硼基材料，上述复合材料包括选自由碳化硼基材料、碳基材料及其组合组成的组中的一种，上述复合材料的尺寸为40μm以下，上述复合材料的碳化硼基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中，Iab和Icd之比Iab/Icd为1至1.8，上述Iab为在481cm
‑1附近的峰的强度Ia与在534cm
‑1附近的峰的强度Ib之和，上述Icd为在270cm
‑1附近的峰的强度Ic与在320cm
‑1附近的峰的强度Id之和，上述复合材料的碳基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中，Ie和If之比Ie/If为0.2至2，上述Ie为G带峰的强度，上述If为D带峰的强度。2.根据权利要求1所述的陶瓷部件，其特征在于，上述基质的碳化硼基材料在通过拉曼光谱学测定的强度光谱中，Iab和Icd之比Iab/Icd为1.1至2.3，上述Iab为在481cm
‑1附近的峰的强度Ia与在534cm
‑1附近的峰的强度Ib之和，上述Icd为在270cm
‑1附近的峰的强度Ic与在320cm
‑1附近的峰的强度Id之和。3.根据权利要求1所述的陶瓷部件，其特征在于，在上述陶瓷部件的表面或截面观察到的气孔的平均直径为5μm以下。4.根据权利要求1所述的陶瓷部件，其特征在于，上述陶瓷部件包括：安置部，距基准表面具有第一高度，以及主体部，距上述基准表面具有第二高度，上述安置部包括供蚀刻对象安置的安置部上表面，上述主体部包括通过等离子直接蚀刻的主体部上表面。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄成植，吴浚禄，闵庚烈，金京仁，姜仲根，韩荣煜，
申请(专利权)人：SKC索密思株式会社，
类型：发明
国别省市：