含填料膜制造技术

一种在树脂层中分散有填料的含填料膜，在含填料膜与物品的压接时抑制因树脂层的不必要的流动引起的填料的不必要流动。含填料膜10A具有于树脂层2中分散有填料1的填料分散层3。在填料分散层3中，填料1附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面2p具有倾斜2b或者起伏2c。该填料1的粒径的CV值为20%以下。为20%以下。为20%以下。

【技术实现步骤摘要】
含填料膜
[0001]本申请的原案申请日为2017年10月12日、原案申请号为201780061886.2(国际申 请号为PCT/JP2017/036993)、专利技术名称为“含填料膜”的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及含填料膜。

技术介绍

[0003]在树脂层中分散有填料的含填料膜被用于消光膜、电容器用膜、光学膜、标签用 膜、抗静电用膜、各向异性导电膜等多种多样的用途(专利文献1、专利文献2、专利文献 3、专利文献4)。从光学特性、机械特性或电气特性的角度考虑，期望在将含填料膜热压接 于作为该含填料膜的被粘体的物品时，抑制会形成含填料膜的树脂的不必要的树脂流动，从 而抑制填料的偏集存在。特别是，在含有导电粒子作为填料，将含填料膜制成用于IC芯片 等电子部件的安装的各向异性导电膜的情况下，若以能够应对电子部件的高密度安装的方式 使导电粒子以高密度分散于绝缘性树脂层，则以高密度分散的导电粒子在电子部件的安装时 会因树脂流动而不必要地移动，从而在端子间偏集存在，成为发生短路的主要原因。
[0004]对此，为了减少短路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含填料膜，其是具有在树脂层中分散有填料的填料分散层的含填料膜，填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或起伏，在该倾斜中，填料周围的树脂层的表面相对于上述切面缺损，在该起伏中，填料正上方的树脂层的树脂量与该填料正上方的树脂层的表面位于上述切面时相比要少，树脂层的最低熔融粘度为1500Pa
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s以上，且在层叠有第二树脂层或者第二树脂层和第三树脂层的情况下的整体的最低熔融粘度为8000Pa
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s以下，填料粒径的CV值为20%以下。2.权利要求1所述的含填料膜，其中，在层叠有第二树脂层的情况下的整体的最低熔融粘度为200～7000Pa
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s。3.权利要求1所述的含填料膜，其中，在层叠有第二树脂层和第三树脂层的情况下的整体的最低熔融粘度为200～7000Pa
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s。4.权利要求1所述的含填料膜，其中，填料的最深部距上述切面的距离Lb与填料的粒径D之比Lb/D为60%以上且105%以下。5.含填料膜，其是具有填料分散层的各向异性导电膜，该填料分散层是填料分散于绝缘性树脂层而成，填料附近的绝缘性树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的绝缘性树脂层的切面具有倾斜或起伏，在该倾斜中，填料周围的绝缘性树脂层的表面相对于上述切面缺损，在该起伏中，填料正上方的绝缘性树脂层的树脂量与该填料正上方的绝缘性树脂层的表面位于上述切面时相比要少，树脂层的最低熔融粘度为1500Pa
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s以上，且在层叠有第二树脂层或者第二树脂层和第三树脂层的情况下的整体的最低熔融粘度为8000Pa
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s以下，填料粒径的CV值为20%以下。6.权利要求5所述的含填料膜，其中，在层叠有第二树脂层的情况下的整体的最低熔融粘度为200～7000Pa
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s。7.权利要求5所述的含填料膜，其中，在层叠有第二树脂层和第三树脂层的情况下的整体的最低熔融粘度为200～7000Pa
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s。8.权利要求5所述的含填料膜，其中，填料的最深部距上述切面的距离Lb与填料的粒径D之比Lb/D为60%以上且105%以下。9.含填料膜，其是具有填料分散层的含填料膜，该填料分散层是填料分散于绝缘性树脂层而成，填料附近的绝缘性树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的绝缘性树脂层的切面具有倾斜或起伏，树脂层的最低熔融粘度为1500Pa
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s以上，且在层叠有第二树脂层或者第二树脂层和第三树脂层的情况下的整体的最低熔融粘度为8000Pa
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s以下，填料粒径的CV值为20%以下，填料的最深部距上述切面的距离Lb与填料的粒径D之比Lb/D为60%以上且105%以下。
10.权利要求9所述的含填料膜，其中，在层叠有第二树脂层的情况下的整体的最低熔融粘度为200～7000Pa
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s。11.权利要求9所述的含填料膜，其中，在层叠有第二树脂层和第三树脂层的情况下的整体的最低熔融粘度为200～7000Pa
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s。12.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，填料从树脂层露出。13.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，填料没有从树脂层露出而是埋入树脂层内。14.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，上述倾斜或起伏距上述切面的深度Le与填料的粒径D之比Le/D小于50%。15.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，上述倾斜或起伏的最大直径Ld与填料的粒径D之比Ld/D为100%以上。16.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，树脂层的层厚La与填料的粒径D之比La/D为0.6～10。17.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，通过下式算出的填料的面积占有率为0.3%以上：面积占有率(%)=[俯视下的填料的个数密度]
×
[1个填料的俯视面积的平均值]
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100。18.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，填料的个数密度为30个/mm2以上。19.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，填料相互不接触地配置。20.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，最接近填料间距离为填料粒径的0.5倍以上。21.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，在与填料分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面相反侧的表面上层叠有第二树脂层。22.权利要求21所述的含填料膜，其中，第二树脂层的最低熔融粘度较填料分散层的树脂层的最低熔融粘度低。23.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，在填料分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面上层叠有第二树脂层。24.权利要求23所述的含填料膜，其中，第二树脂层的最低熔融粘度较填料分散层的树脂层的最低熔融粘度低。25.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，该含填料膜进一步设置有第三树脂层。26.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，填料为无机系填料、有机系填料、或有机系材料与无机系材料混合存在的填料。27.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，填料为导电粒子。28.权利要求27所述的含填料膜，其中，导电粒子为金属粒子或金属包覆树脂粒子。29.权利要求27所述的含填料膜，其中，导电粒子为具有经绝缘处理的表面的粒子。30.权利要求28所述的含填料膜，其中，导电粒子为具有经绝缘处理的表面的粒子。31.权利要求27所述的含填料膜，该含填料膜被用作各向异性导电膜，其中，填料分散层的树脂层为绝缘性树脂层。32.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，填料的圆球度为70～100。33.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，填料为2种以上的填料。
34.权利要求1～11中任一项所述的含填料膜，其中，俯视含填料...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚尾怜司，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：