确定纳米光刻技术工艺窗口的方法技术

本发明专利技术提供一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，所述方法包括：依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线；依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线；依据所述第一光强分布曲线和所述第二光强分布曲线，分别获取第一泊松曲线和第二泊松曲线；依据第一泊松曲线和第二泊松曲线，分别获取第一工艺窗口和第二工艺窗口；将所述第一工艺窗口和第二工艺窗口的交集部分，确定为目标工艺窗口。本发明专利技术提供的确定纳米光刻技术工艺窗口，能够通过光强曲线经过较少的计算量得到适用的工艺窗口，并有效对工艺窗口进行验证。并有效对工艺窗口进行验证。并有效对工艺窗口进行验证。

【技术实现步骤摘要】
确定纳米光刻技术工艺窗口的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及确定纳米光刻技术工艺窗口的方法。

技术介绍

[0002]针对单线条、单沟槽和平行密集线条三种关键图形，在相同的曝光成像模型条件下，平行密集线条的线宽随聚焦值的变化，较独立线条和沟槽的宽度对聚焦值的变化更敏感。各种图形的线宽随曝光能量的变化也是不一样，最佳曝光能量和聚焦值的选取必须保证所有图形都能达到目标线宽。实际工艺都存在一定的不稳定性，如曝光能量与聚焦值的范围都会有涨落，因此，难以获得准确的工艺窗口，更难以对工艺窗口的可用性进行验证。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供的确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，能够通过光强曲线经过较少的计算量得到适用的工艺窗口，并有效对工艺窗口进行验证。
[0004]本专利技术提供一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，所述方法包括：
[0005]依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线；
[0006]依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，其特征在于，所述方法包括：依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线；依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线；依据所述第一光强分布曲线和所述第二光强分布曲线，分别获取第一泊松曲线和第二泊松曲线；依据第一泊松曲线和第二泊松曲线，分别获取第一工艺窗口和第二工艺窗口；将所述第一工艺窗口和第二工艺窗口的交集部分，确定为目标工艺窗口。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线包括：依预定的步进调整聚焦值；每调节一次聚焦值，以纳米光照射所述成像模型，沿垂直于所述成像模型的线条或沟槽的方向获取当前聚焦值对应的光强分布曲线；其中，当成像模型为单线条成像模型时，当前聚焦值对应的光强分布曲线具有一个峰；当成像模型为单沟槽成像模型时，当前聚焦值对应的光强分布曲线具有两个峰；将多个聚焦值下的光强分布曲线作为第一光强分布曲线。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，依据所述第一光强分布曲线，获取第一泊松曲线包括：沿多个目标光强坐标构建垂直于光强坐标轴的直线；依据每个聚焦值对应的曲线中的峰与每个直线的交点之间的距离确定线宽值；依据所述线宽值和聚焦值，构建对应目标光强下的泊松曲线；将多个目标光强下的泊松曲线作为第一泊松曲线。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线包括：依预定的步进调整聚焦值；每调节一次聚焦值，以纳米光照射所述成像模型，沿垂直于所述成像模型的线条或沟槽的方向获取当前聚焦值对应的光强分布曲线；其中，当前聚焦值对应的光强分布曲线具有多个峰，每个峰对应于掩膜的一个线条；将多个聚焦值下的光强分布曲线作为第二光强分布曲线。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，依据所述第二光强分布曲线，获取第二泊松曲线包括：沿多个目标光强坐标构建垂直于光强坐标轴的直线；依据每个聚焦值对应的曲线中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丽红，韦亚一，董立松，张利斌，丁虎文，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：