一种简单低功耗低温漂电压基准源制造技术

本发明专利技术提供一种简单低功耗低温漂电压基准源，应用于电压基准源技术领域，包括放大电路，用于放大三极管一Q1、三极管二Q2的基极电压差；反馈电路，分别提供正反馈系数和负反馈系数；补偿模块，用于对负反馈环路进行补偿、拓展负反馈环路的带宽，提高电路稳定性；电流源I1，用于为三极管三Q3、电阻一R1和电阻二R2提供偏置电流，使三极管一Q1、三极管二Q2产生基极电压，所述电流源I1的正极与输入电压VCC连接，负极与基准电压V

【技术实现步骤摘要】
一种简单低功耗低温漂电压基准源


[0001]本专利技术属于电压基准源
，具体涉及一种简单低功耗低温漂电压基准源。

技术介绍

[0002]数控基准电压源是当代模拟集成电路极为重要的组成部分，它为串联型稳压电路、A/D和D/A转化器提供基准电压，也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。另外，电压基准源也可作为标准电池、仪器表头的刻度标准和精密电流源。
[0003]目前，随着集成电路的高集成高精度化，需要在满足外部恶劣环境的基础上，提供高精度的性能指标，这需要芯片内部提供高精度的电压基准和电流基准。专利技术专利202211074702.5提供了一种电压基准源，包括启动电路、曲率校正电路、运算放大器电路、负反馈电路和比例电阻输出电路。该电压基准源的曲率校正电路通过内部不同正温度系数电阻的差异化设计抵消掉内部目标三极管饱和压降的负温度系数，在目标三极管的基极处得到零温度系数的参考电压，仅利用多个电阻之间温度系数的差异即可对参考电压或者基准电压的一阶温度曲率和高阶温度曲率进行校正，原理简单易实现，整体电路结构简单，在对外输出低温漂的基准电压的同时，成本低且功耗低。
[0004]本专利技术希望提出一种电压基准源，相较于上述专利，其电路结构更简单，生产成本更低，输出效果更好。

技术实现思路

[0005]鉴于现有技术中存在上述问题，本专利技术的目的是提供一种简单低功耗低温漂电压基准源，能够通过简单的电路结构得到功耗低且温度系数低的电压基准源。
[0006]一种简单低功耗低温漂电压基准源，包括：放大电路，用于放大三极管一Q1、三极管二Q2的基极电压差，所述放大电路包括MOS管一MP1、MOS管二MP2、三极管一Q1、三极管二Q2和电阻三R3；
[0007]反馈电路，包括正反馈环路和负反馈环路，分别提供正反馈系数和负反馈系数，所述反馈电路包括MOS管三MP3、电阻一R1和电阻二R2；
[0008]补偿模块，用于对负反馈环路进行补偿、拓展负反馈环路的带宽，提高电路稳定性，所述补偿模块包括电容一C1和电阻四R4；
[0009]电流源I1，用于为三极管三Q3、电阻一R1和电阻二R2提供偏置电流，使三极管一Q1、三极管二Q2产生基极电压，所述电流源I1的正极与输入电压VCC连接，负极与基准电压V
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的输出端连接；
[0010]所述放大电路与反馈电路连接，所述反馈电路分别与补偿模块、基准电压V
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的输出端连接。
[0011]为了构成正反馈环路和负反馈环路，所述MOS管三MP3的源极与输入电压VCC连接，所述MOS管三MP3的栅极与MOS管二MP2的漏极、三极管二Q2的集电极连接，所述MOS管三MP3的漏极连接有依次串联的电阻二R2、电阻一R1和三极管三Q3，所述电阻一R1与三极管三Q3
的基极、集电极连接，所述三极管的发射极接地。
[0012]为了构成放大电路，所述MOS管一MP1的源极、MOS管二MP2的源极均与输入电压VCC连接，所述MOS管一MP1的漏极分别与MOS管一MP1的栅极、MOS管二MP2的栅极、三极管一Q1的集电极连接；
[0013]所述三极管一Q1的发射极分别与电阻三R3、三极管二Q2的发射极连接，电阻三R3的另一端接地，所述三极管一Q1的基极连接于电阻一R1和电阻二R2之间的电路上；
[0014]所述三极管二Q2的基极连接于电阻一R1、三极管三Q3集电极之间的电路上，所述三极管二Q2的集电极与MOS管二MP2的漏极连接。
[0015]为了对负反馈环路进行米勒补偿，拓宽带宽，提高稳定性，所述MOS管三MP3的栅极和漏极之间连接有串联的电容一C1和电阻四R4。
[0016]为了提高输出电压的稳定性，所述基准电压V
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的输出端位于电阻四R4与电阻二R2之间的电路上，所述基准电压V
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的输出端还连接有电容二C2，电容二C2的另一端接地。
[0017]本专利技术的有益效果是：该简单低功耗低温漂电压基准源，电路结构简单，三极管一Q1、三极管二Q2不仅能产生温度系数，同时还能作为放大器的输入差分对管，使三极管一Q1、三极管二Q2的基极电压差作为差分对管的输入电压差，能够减少放大器元件的使用，可以极大的简化电路，降低生产成本；此外，采用温度校正技术，通过正温度系数电压和负温度系数电压之间的相互配合，产生零温度系数电压，使该电路能够输出稳定的基准电压V
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。该电压基准源，具有功耗低、温度系数小的优点。
附图说明
[0018]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：
[0019]图1是本专利技术的电路图；
[0020]图2是本专利技术基准电压V
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温度系数的仿真图；
[0021]图3是本专利技术静态电流I
Q
的仿真图。
具体实施方式
[0022]实施例一
[0023]如图1所示，一种简单低功耗低温漂电压基准源，包括放大电路、反馈电路、补偿模块和电流源I1；放大电路与反馈电路连接，反馈电路分别与补偿模块、基准电压V
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的输出端连接。
[0024]其中，电流源I1的正极与输入电压VCC连接，负极与基准电压V
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的输出端连接；电流源I1用于为三极管三Q3、电阻一R1和电阻二R2提供偏置电流，使三极管一Q1、三极管二Q2产生基极电压。
[0025]如图1所示，放大电路包括MOS管一MP1、MOS管二MP2、三极管一Q1、三极管二Q2和电阻三R3，放大电路用于放大三极管一Q1、三极管二Q2的基极电压差，由于三极管一Q1、三极管二Q2作为放大器的差分对管，则三极管一Q1、三极管二Q2的基极电压差即差分对管的输入电压差。
[0026]具体的，MOS管一MP1的源极、MOS管二MP2的源极均与输入电压VCC连接，MOS管一
MP1的漏极分别与MOS管一MP1的栅极、MOS管二MP2的栅极、三极管一Q1的集电极连接；
[0027]三极管一Q1的发射极分别与电阻三R3、三极管二Q2的发射极连接，电阻三R3的另一端接地，三极管一Q1的基极连接于电阻一R1和电阻二R2之间的电路上；
[0028]三极管二Q2的基极连接于电阻一R1、三极管三Q3集电极之间的电路上，三极管二Q2的集电极与MOS管二MP2的漏极连接。
[0029]如图1所示，反馈电路包括MOS管三MP3、电阻一R1和电阻二R2，用于提供正反馈系数和负反馈系数。
[0030]具体的，MOS管三MP3的源极与输入电压VCC连接，MOS管三MP3的栅极与MOS管二MP2的漏极、三极管二Q2的集电极连接，MOS管三MP3的漏极连接有依次串联的电阻二R2、电阻一R1和三极管三Q3，所述电阻一R1与三极管三Q3的基极、集电极连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种简单低功耗低温漂电压基准源，其特征在于，包括：放大电路，用于放大三极管一Q1、三极管二Q2的基极电压差，所述放大电路包括MOS管一MP1、MOS管二MP2、三极管一Q1、三极管二Q2和电阻三R3；反馈电路，包括正反馈环路和负反馈环路，分别提供正反馈系数和负反馈系数，所述反馈电路包括MOS管三MP3、电阻一R1和电阻二R2；补偿模块，用于对负反馈环路进行补偿、拓展负反馈环路的带宽，提高电路稳定性，所述补偿模块包括电容一C1和电阻四R4；电流源I1，用于为三极管三Q3、电阻一R1和电阻二R2提供偏置电流，使三极管一Q1、三极管二Q2产生基极电压，所述电流源I1的正极与输入电压VCC连接，负极与基准电压V
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的输出端连接；所述放大电路与反馈电路连接，所述反馈电路分别与补偿模块、基准电压V
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的输出端连接。2.根据权利要求1所述的简单低功耗低温漂电压基准源，其特征在于，所述MOS管三MP3的源极与输入电压VCC连接，所述MOS管三MP3的栅极与MOS管二MP2的漏极、三极管二Q2的集电极连接，所述MOS管三MP3的漏极连接有依次串联的电阻二R2、电阻一...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩艳丽，马培，张洪俞，
申请(专利权)人：南京微盟电子有限公司，
类型：发明
国别省市：