反激变换器中磁场干扰的检测方法及其电路技术

一种反激变换器中磁场干扰的检测方法及其电路，通过检测原边电流占空比D与参考电压V0的乘积V0*D，无磁场干扰时的V0*D作为预设值Vref0，对Vref0进行分压，Vref0的二分之一为第一阈值Vref1，Vref0的四分之一为第二阈值Vref2，Vref0的八分之一为第三阈值Vref3；当检测的V0*D小于Vref1时，将反激变换器的工作频率提高二倍；当参考电压

【技术实现步骤摘要】
反激变换器中磁场干扰的检测方法及其电路


[0001]本专利技术涉及开关电源，具体涉及一种反激变换器中磁场干扰的检测方法及其电路。

技术介绍

[0002]开关电源中反激变换器的输入功率与其原边峰值电流、励磁电感感值及其工作频率皆成正比。开关电源中反激变换电路的拓扑结构如图1所示，其中Lm表示变压器的励磁电感，输入信号Vin为交流信号，D1、D2、D3、D4构成二极管整流桥，对输入信号Vin整流；R1、R2、R3、R4和电容C1、C2构成滤波网络，滤除输入信号中的噪声；R5、C3和D5构成RCD吸收电路，抑制电路工作过程中的尖刺电压；M1为功率管，导通时原边能量通过变压器传递给副边；R12为采样电阻，实现对原边电流的采样；副边电路中，D6为续流二极管，C4为稳压电容，TL431为可控精密稳压源，D01、R8、R6实现TL431的供电，R9和R10构成电阻分压，为TL431提供输入，R7与C5构成TL431的补偿网络；I0表示反激变换电路中的功率管栅极控制器，其内部电路结构拓扑如图2所示，VDD由输入信号通过辅助绕组提供，作为I0的供电信号，Comp本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反激变换器中磁场干扰的检测方法，其特征在于：对反激变换器进行实时监测，判断其是否受到磁场干扰，若检测到磁场干扰信号，则相应提升反激变换器的工作频率，使反激变换器维持稳定的输出功率；包括以下步骤：第一步，在反激变换器工作时，检测原边电流占空比D与参考电压V0的乘积V0*D，其中V0为受负载控制的副边反馈电压，将V0*D作为反激变换器受磁场干扰程度的量度；第二步，将存在正常磁场的情况定义为无磁场干扰，此时的V0*D作为预设值，记为Vref0并储存，对预设值Vref0通过电阻进行分压，设定相应的分压电阻值，将Vref0的二分之一定义为第一阈值Vref1，将Vref0的四分之一定义为第二阈值Vref2，将Vref0的八分之一定义为第三阈值Vref3；第三步，当检测的V0*D小于第一阈值Vref1时，将反激变换器工作频率提高至第一加载频率，即反激变换器原始工作频率的二倍；当参考电压
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占空比积V0*D小于第二阈值Vref2时，将反激变换器工作频率提高至第二加载频率，即反激变换器原始工作频率的四倍；当参考电压
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占空比积V0*D小于第三阈值Vref3时，将反激变换器工作频率提高至第三加载频率，即反激变换器原始工作频率的八倍。2.根据权利要求1所述的反激变换器中磁场干扰的检测方法，其特征在于：所述第三步中，将反激变换器工作频率提高至第一加载频率、第二加载频率、第三加载频率的方法如下：第一步，将检测的V0*D分别通过第一阈值判决电路、第二阈值判决电路和第三阈值判决电路与第一阈值Vref1、第二阈值Vref2和第三阈值Vref3对应进行比较，第一阈值判决电路输出的比较结果定义为使能信号EN1，第二阈值判决电路输出的比较结果定义为使能信号EN2，第三阈值判决电路输出的比较结果定义为使能信号EN3；第二步，将使能信号EN1、使能信号EN2和使能信号EN3作为调频电路的三个输入信号，调频电路输出频率即是反激变换器的工作频率。3.根据权利要求2所述的反激变换器中磁场干扰的检测方法，其特征在于：所述第二步中，当使能信号EN1为高电平，EN2和EN3为低电平时，调频电路输出将反激变换器的工作频率提高至第一加载频率，当使能信号EN1和EN2为高电平，EN3为低电平时，调频电路输出将反激变换器的工作频率提高至第二加载频率，当使能信号EN1、EN2和EN3均为高电平时，调频电路输出将反激变换器的工作频率提高至第三加载频率。4.根据权利要求1所述的反激变换器中磁场干扰的检测方法所设计的检测电路，其特征在于：包括V0*D产生电路、阈值...

【专利技术属性】
技术研发人员：段如玉，周臻研，张洪俞，
申请(专利权)人：南京微盟电子有限公司，
类型：发明
国别省市：