【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片测试,特别涉及ldo芯片测试,具体是指一种基于ate测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法。
技术介绍
1、目前已有的低压差线性稳压器(ldo)芯片或者此类的电源管理芯片的测试或者验证方法有些专利进行了一些介绍和说明。但总体来看,这些专利介绍的技术专利技术都不够完善和全面,有的专利的测试方法和测试内容较为简单和片面,有些专利介绍的测试方法无法大规模应用于芯片的批量化测试,有些专利介绍的测试方法面向整个电源管理类芯片无法细化到具体的如ldo芯片的批量化测试。
2、现今随着中国芯片行业的飞速发展,芯片的测试领域的技术也飞速进步。国产测试机厂商的ate机台性能也是飞快更新迭代。对于低压差线性稳压器(ldo)类芯片来说,可能以前芯片的cp和ft测试只能简单测试芯片的输出电压,工作电流等项目,而且测试的电压电流精度和准确度也有误差存在。但是随着技术的进步,现有的ate测试机台已经可以对低压差线性稳压器(ldo)类芯片进行的测试项目明显增多,可以覆盖ldo芯片的绝大多数功能测试。如电流耐压功耗测试,保护功能测试,修调
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【技术保护点】
1.一种基于ATE测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的基于ATE测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法,其特征在于,所述的步骤(22)具体包括:
3.根据权利要求2所述的基于ATE测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法,其特征在于,所述的(221)接触性测试具体为:
4.根据权利要求2所述的基于ATE测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法,其特征在于,所述的(222)开短路测试具体为:
5.根据权利要求2所述的基于ATE测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法,其特征在于
...【技术特征摘要】
1.一种基于ate测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的基于ate测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法,其特征在于,所述的步骤(22)具体包括:
3.根据权利要求2所述的基于ate测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法,其特征在于,所述的(221)接触性测试具体为:
4.根据权利要求2所述的基于ate测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法,其特征在于,所述的(222)开短路测试具体为:
5.根据权利要求2所述的基于ate测试机的低压差线性稳压器芯片批量测试方法,其特征在于,所述的(2231)电流耐压功耗测试具体为:
6.根据权利要求2所述的基于ate测试机的...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱刚俊,李梦玉,刘涛,
申请(专利权)人:南京微盟电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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