MEMS芯片与ASIC芯片集成封装的封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供MEMS芯片与ASIC芯片集成封装的封装结构，包括：转接基板；MEMS芯片，MEMS芯片与转接基板电气联通；ASIC芯片，ASIC芯片靠近MEMS芯片的表面设置有第一焊接凸起，第一焊接凸起与转接基板电连接；封装基板，封装基板与ASIC芯片贴合固定，转接基板与封装基板电气联通。本实用新型专利技术实施例通过转接基板将ASIC芯片与MEMS芯片重新布线，实现三维堆叠封装结构，极大地减小了超声波传感器的平面封装尺寸。尺寸。尺寸。

【技术实现步骤摘要】
MEMS芯片与ASIC芯片集成封装的封装结构


[0001]本说明书一个或多个实施例涉及传感器封装
，尤其涉及一种MEMS芯片与ASIC芯片集成封装的封装结构。

技术介绍

[0002]目前现有的压电陶瓷类超声波传感器是由压电陶瓷片、保护外壳、PCB电路板、填充材料组成，总体来说有以下几个问题：
[0003]1、尺寸大，压电陶瓷类超声波传感器的电路是通过在PCB板上焊接阻容等元器件，PCB板的尺寸较大；此外封装结构还包含保护外壳、填充声学材料、引线插针等，最终导致压电陶瓷超声波传感器的尺寸很大；
[0004]2、PCB电路板的功能简单，无法进行一些较为复杂的信号处理；
[0005]3、PCB电路板与压电陶瓷片的引线装配只能依赖人工，效率低下；
[0006]MEMS芯片的作用是通过压电薄膜的正逆压电效应，将激励电压转化为超声波或者将接收超声波转化为振动。ASIC芯片是为MEMS芯片提供激励电压以及处理接收到的超声波信号。
[0007]综上所述，本申请现提出一种超声波传感器来解决上述出现的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.MEMS芯片与ASIC芯片集成封装的封装结构，其特征在于，包括：转接基板(4)；MEMS芯片(2)，所述MEMS芯片(2)具有相对的正面及背面，所述背面具有背腔，所述MEMS芯片(2)与所述转接基板(4)电气联通；ASIC芯片(5)，所述ASIC芯片(5)具有相对的正面及背面，所述ASIC芯片(5)靠近所述MEMS芯片(2)的表面设置有第一焊接凸起(11)，所述第一焊接凸起(11)与所述转接基板(4)电连接；封装基板(6)，所述封装基板(6)与所述ASIC芯片(5)贴合固定，所述转接基板(4)与封装基板(6)电气联通。2.根据权利要求1所述的MEMS芯片与ASIC芯片集成封装的封装结构，其特征在于，还包括：外壳(1)，所述外壳(1)与封装基板(6)密封连接，所述外壳(1)具有声孔(a)和收容腔，所述MEMS芯片(2)、转接基板(4)和ASIC芯片(5)均位于收容腔内部。3.根据权利要求1所述的MEMS芯片与ASIC芯片集成封装的封装结构，其特征在于，所述转接基板(4)通过第一金线(10)与封装基板(6)电连接。4.根据权利要求1所述的MEMS芯片与ASIC芯片集成封装的封装结构，其特征在于，所述ASIC芯片(5)的正面具有第一焊垫，所述第一焊垫与所述第一焊接凸起...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东旭，徐涛，
申请(专利权)人：合肥领航微系统集成有限公司，
类型：新型
国别省市：