一种MXenes/AlN基深紫外探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MXenes/AlN基深紫外探测器，由下至上依次包括硅衬底、Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列，所述Ti3C2Tx层状材料上设有第一金属电极；所述AlN纳米柱阵列上设有第二金属电极，Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列之间形成的高肖特基势垒。本实用新型专利技术AlN NRs在Ti3C2Tx上的范德华异质外延，构建了无需外部电源的肖特基型深紫外光电探测器，器件表现出很高的深紫外光响应度和极快的响应速度，并且具有优异的稳定性。并且具有优异的稳定性。并且具有优异的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种MXenes/AlN基深紫外探测器


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种MXenes/AlN基深紫外探测器。

技术介绍

[0002]深紫外光电探测器在通信、成像、生物检测和化学分析等领域有广泛的应用。传统的深紫外探测器为体积巨大、工作电压高、量子效率低的硅基光电倍增管和硅基光电二极管，不能满足光电器件微型化的发展需求。近年来，一维AlN纳米材料具有高载流子迁移率、优异的光吸收/发射和宽的直接带隙，在深紫外探测领域具有巨大的应用潜力。但是，由于缺乏内部电场，光生载流子分离效率、速度低，仍然存在响应速度慢、工作电压高等问题，需要额外的电源才能进行探测，难以满足高速、微型器件和系统开发需求。
[0003]构建二维/一维集成的范德华异质结(vdWH)是解决上述问题的有效策略之一。目前，MXenes层状材料包括Ti3C2、MoC2、V3C2、Ti4N3，具有高电子迁移率、高光电转换效率和可调的功函数(1.6eV～8.0eV)，与AlN能够构建肖特基结型深紫外光电探测器。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MXenes/AlN基深紫外探测器，其特征在于，由下至上依次包括硅衬底、Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列，所述Ti3C2Tx层状材料上设有第一金属电极；所述AlN纳米柱阵列上设有第二金属电极，Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列之间形成的高肖特基势垒。2.根据权利要求1所述的MXenes/AlN基深紫外探测器，其特征在于，所述硅衬底的厚度为500～600μm，电阻为2～3MΩ。3.根据权利要求1所述的MXenes/AlN基深紫外探测器，其特征在于，所述AlN纳米柱阵列是由1*N个AlN纳米柱构成。4.根据权利要求1所述的MXenes/AlN基深紫外探测器，其特征在于，所述AlN纳米柱的长度为200～500nm，直径为40～80nm；AlN纳米柱的密度为6.0
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109～10.0
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【专利技术属性】
技术研发人员：唐鑫，李国强，郑昱林，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：