【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电弧路径形成部及包括其的直流继电器
[0001]本专利技术涉及电弧路径形成部及包括其的直流继电器,更具体而言,涉及一种具有能够有效地向外部引导所产生的电弧的结构的电弧路径形成部及包括其的直流继电器。
技术介绍
[0002]直流继电器(Direct current relay)是利用电磁体的原理来传递机械驱动或电流信号的装置。直流继电器也称作电磁开闭器(Magnetic switch),通常被分类为电气电路开闭装置。
[0003]直流继电器包括固定触点和可动触点。固定触点与外部的电源和负载可通电地连接。固定触点和可动触点可以彼此接触或分离。
[0004]基于直流继电器的通电通过固定触点和可动触点的接触和分离来被允许或禁止。所述移动通过向可动触点施加驱动力的驱动部来实现。
[0005]如果固定触点和可动触点分离,则在固定触点和可动触点之间产生电弧(arc)。电弧是高压、高温的电流的流动。因此,需要使所产生的电弧通过预先设定的路径迅速地从直流继电器排出。
[0006]电弧的排出路径由设置于直流继电器的磁体形成。所述磁体在固定触点和可动触点所接触的空间的内部形成磁场。电弧的排出路径可以由通过所形成的磁场和电流的流动而产生的电磁力来形成。
[0007]参照图1,示出了设置于现有技术的直流继电器1000的固定触点1100和可动触点1200接触的空间。如上所述,在所述空间设置有永磁体1300。
[0008]永磁体1300包括位于上侧的第一永磁体1310和位于下侧的第二永磁体1320。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电弧路径形成部,其中,包括:磁体框架,在内部形成有容纳固定触头和可动触头的空间部;以及海尔贝克阵列,位于所述磁体框架的所述空间部,在所述空间部形成磁场,所述空间部形成为其一方向的长度长于另一方向的长度,所述磁体框架包括:第一面和第二面,沿所述一方向延伸,配置成彼此相对来包围所述空间部的一部分;以及第三面和第四面,沿所述另一方向延伸,分别与所述第一面和所述第二面连续,配置成彼此相对来包围所述空间部的其余部分,所述海尔贝克阵列包括沿所述另一方向并排配置并由磁性体形成的复数个块,所述海尔贝克阵列配置成与所述第三面和所述第四面中的任意一个以上的面相邻。2.根据权利要求1所述的电弧路径形成部,其中,所述海尔贝克阵列包括:第一海尔贝克阵列,位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面相邻的位置;以及第二海尔贝克阵列,位于与所述第三面和所述第四面中的另一面相邻的位置,所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列配置成隔着所述空间部彼此相对。3.根据权利要求2所述的电弧路径形成部,其中,所述第一海尔贝克阵列包括:第一块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的任意一面的位置;第三块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置;以及第二块,位于所述第一块和所述第三块之间,所述第二海尔贝克阵列包括:第一块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的所述任意一面的位置;第三块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的所述另一面的位置;以及第二块,位于所述第一块和所述第三块之间,所述第一海尔贝克阵列的所述第一块至所述第三块分别隔着所述空间部与所述第二海尔贝克阵列的所述第一块至所述第三块相对。4.根据权利要求3所述的电弧路径形成部,其中,在所述第一海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第二块的面、所述第三块的面中朝所述第二块的面以及所述第二块的面中朝所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为相同的极性,在所述第二海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第二块的面、所述第三块的面中朝所述第二块的面以及所述第二块的面中朝所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性不同的极性。5.根据权利要求3所述的电弧路径形成部,其中,在所述第一海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第二块的面、所述第三块的面中朝所述第二块的面以及所述第二块的面中朝所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为相同的极性,在所述第二海尔贝克阵列中,
所述第一块的面中朝所述第二块的面、所述第三块的面中朝所述第二块的面以及所述第二块的面中朝所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。6.根据权利要求1所述的电弧路径形成部,其中,所述海尔贝克阵列位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面相邻的位置,在所述空间部,形成磁场的磁体部以与所述第三面和所述第四面中的另一面相邻的方式与所述海尔贝克阵列分开设置,所述海尔贝克阵列和所述磁体部配置成隔着所述空间部彼此相对。7.根据权利要求6所述的电弧路径形成部,其中,所述海尔贝克阵列包括:第一块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的任意一面的位置;第三块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置;以及第二块,位于所述第一块和所述第三块之间,所述磁体部包括:相对面,朝向所述海尔贝克阵列;以及相反面,位于与所述海尔贝克阵列相反侧。8.根据权利要求7所述的电弧路径形成部,其中,在所述海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第二块的面、所述第三块的面中朝所述第二块的面以及所述第二块的面中朝所述磁体部的面被磁化为相同的极性,所述磁体部的所述相对面被磁化为与所述极性不同的极性。9.根据权利要求7所述的电弧路径形成部,其中,在所述海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第二块的面、所述第三块的面中朝所述第二块的面以及所述第二块的面中朝所述磁体部的面被磁化为相同的极性,所述磁体部的所述相对面被磁化为与所述极性相同的极性。10.根据权利要求1所述的电弧路径形成部,其中,所述海尔贝克阵列包括:第一海尔贝克阵列,位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面相邻的位置,并位于偏向所述第一面和所述第二面中的任意一面的位置;以及第二海尔贝克阵列,位于与所述第三面和所述第四面中的另一面相邻的位置,并位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置,所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列配置成隔着所述空间部彼此相对。11.根据权利要求10所述的电弧路径形成部,其中,所述第一海尔贝克阵列包括:第一块,位于与所述第二海尔贝克阵列在所述另一方向上重叠的位置;以及第二块,位于所述第一面和所述第二面中的所述任意一面和所述第一块之间,所述第二海尔贝克阵列包括:第一块,位于与所述第一海尔贝克阵列在所述另一方向上重叠的位置;以及第二块,位于所述第一面和所述第二面中的所述另一面和所述第一块之间,
所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块彼此相对。12.根据权利要求11所述的电弧路径形成部,其中,在所述第一海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第二海尔贝克阵列的面和所述第二块的面中朝所述第一块的面被磁化为相同的极性,在所述第二海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第一海尔贝克阵列的面和所述第二块的面中朝所述第一块的面被磁化为与所述极性不同的极性。13.根据权利要求11所述的电弧路径形成部,其中,在所述第一海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第二海尔贝克阵列的面和所述第二块的面中朝所述第一块的面被磁化为相同的极性,在所述第二海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第一海尔贝克阵列的面和所述第二块的面中朝所述第一块的面被磁化为与所述极性相同的极性。14.根据权利要求1所述的电弧路径形成部,其中,所述海尔贝克阵列位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面相邻的位置,并位于偏向所述第一面和所述第二面中的任意一面的位置,在所述空间部,形成磁场的磁体部以与所述第三面和所述第四面中的另一面相邻的方式与所述海尔贝克阵列分开设置,所述海尔贝克阵列和所述磁体部配置成隔着所述空间部彼此相对。15.根据权利要求14所述的电弧路径形成部,其中,所述海尔贝克阵列包括:第一块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置;以及第二块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的所述任意一面的位置,所述磁体部包括:相对面,朝向所述海尔贝克阵列;以及相反面,位于与所述海尔贝克阵列相反侧。16.根据权利要求15所述的电弧路径形成部,其中,在所述海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述磁体部的面和所述第二块的面中朝所述第一块的面被磁化为相同的极性,所述磁体部的所述相对面被磁化为与所述极性不同的极性。17.根据权利要求15所述的电弧路径形成部,其中,在所述海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述磁体部的面和所述第二块的面中朝所述第一块的面被磁化为相同的极性,所述磁体部的所述相对面被磁化为与所述极性相同的极性。
18.根据权利要求1所述的电弧路径形成部,其中,所述海尔贝克阵列包括:第一海尔贝克阵列,位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面相邻的位置,并位于偏向所述第一面和所述第二面中任意一面的位置;以及第二海尔贝克阵列,位于与所述第三面和所述第四面中的另一面相邻的位置,所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列配置成隔着所述空间部彼此相对。19.根据权利要求18所述的电弧路径形成部,其中,所述第一海尔贝克阵列包括:第一块,在所述另一方向上与所述固定触头重叠配置;以及第二块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的所述任意一面的位置,所述第二海尔贝克阵列包括:第一块,配置成隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列的所述第一块相对;第二块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的所述任意一面的位置;以及第三块,位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置。20.根据权利要求19所述的电弧路径形成部,其中,在所述第一海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第二海尔贝克阵列的面和所述第二块的面中朝所述第一块的面被磁化为相同的极性,在所述第二海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第一海尔贝克阵列的面、所述第二块的面中朝所述第一块的面以及所述第三块的面中朝所述第一块的面被磁化为与所述极性不同的极性。21.根据权利要求19所述的电弧路径形成部,其中,在所述第一海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第二海尔贝克阵列的面和所述第二块的面中朝所述第一块的面被磁化为相同的极性,在所述第二海尔贝克阵列中,所述第一块的面中朝所述第一海尔贝克阵列的面、所述第二块的面中朝所述第一块的面以及所述第三块的面中朝所述第一块的面被磁化为与所述极性相同的极性。22.一种直流继电器,其中,包括:固定触头,设置有复数个,并沿一方向彼此隔开;可动触头,与所述固定触头接触或分离;磁体框架,在内部形成有容纳所述固定触头和所述可动触头的空间部;以及海尔贝克阵列,位于所述磁体框架的所述空间部,在所述空间部形成磁场,所述空间部形成为所述一方向的长度长于另一方向的长度,所述磁体框架包括:第一面和第二面,沿所述一方向延伸,配置成彼此相对来包围所述空间部的一部分;以及第三面和第四面,沿所述另一方向延伸,分别与所述第一面和所述第二面连续,配置成彼此相对来包围所述空间部的其余部分,
所述海尔贝克阵列包括沿所述另一方向并排配置并由磁性体形成的复数个块,所述海尔贝克阵列配置成与所述第三面和所述第四面中的任意一个以上的面相邻。23.根据权利要求22所述的直流继电器,其中,所述海尔贝克阵列包括:第一海尔贝克阵列,位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面相邻的位置;以及第二海尔贝克阵列,位于与所述第三面和所述第四面中的另一面相邻的位置,所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列配置成隔着所述空间部彼此相对。24.根据权利要求22所述的直流继电器,其中,所述海尔贝克阵列位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面相邻的位置,在所述空间部,形成磁场的磁体部以与所述第三面和所述第四面中的另一面相邻的方式与所述海尔贝克阵列分开设置,所述海尔贝克阵列和所述磁体部配置成隔着所述空间部彼此相对。25.一种电弧路径形成部,其中,包括:磁体框架,在内部形成有容纳固定触头和可动触头的空间部;海尔贝克阵列,位于所述磁体框架的所述空间部,在所述空间部形成磁场;以及磁体部,位于所述磁体框架的所述空间部,在所述空间部形成磁场,与所述海尔贝克阵列分开设置,所述空间部形成为其一方向的长度长于另一方向的长度,所述磁体框架包括:第一面和第二面,沿所述一方向延伸,配置成彼此相对来包围所述空间部的一部分;以及第三面和第四面,沿所述另一方向延伸,分别与所述第一面和所述第二面连续,配置成彼此相对来包围所述空间部的其余部分,所述海尔贝克阵列包括沿所述另一方向并排配置并由磁性体形成的复数个块,所述海尔贝克阵列位于与所述第三面和所述第四面中的任意一个以上的面相邻,所述磁体部设置有复数个,复数个所述磁体部中的任意一个以上位于与所述第一面相邻的位置,复数个所述磁体部中的其余一个以上位于与所述第二面相邻的位置。26.根据权利要求25所述的电弧路径形成部,其中,所述海尔贝克阵列包括:第一海尔贝克阵列,位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面相邻的位置;以及第二海尔贝克阵列,位于与所述第三面和所述第四面中的另一面相邻的位置,配置成隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对,所述磁体部包括:第一磁体部和第二磁体部,位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面相邻的位置,并沿所述一方向并排配置;以及第三磁体部和第四磁体部,位于与所述第一面和所述第二面中的另一面相邻的位置,沿所述一方向并排配置,并配置成分别隔着所述空间部与所述第一磁体部和所述第二磁体部相对。
27.根据权利要求26所述的电弧路径形成部,其中,所述第一磁体部和所述第二磁体部彼此相对的各个面以及所述第三磁体部和所述第四磁体部彼此相对的各个面被磁化为相同的极性,所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列彼此相对的各个面中的任意一面被磁化为与所述极性相同的极性,所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列彼此相对的各个面中的另一面被磁化为与所述极性不同的极性。28.根据权利要求26所述的电弧路径形成部,其中,所述第一磁体部和所述第二磁体部彼此...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。