采用光波导作为浮栅电极的固态器件制造技术

一种半导体器件包括可以以非易失性方式充电的浮栅。浮栅也被构造为光波导，并且可以光耦合到光子电路(如干涉仪)。光耦合到光子电路(如干涉仪)。光耦合到光子电路(如干涉仪)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】采用光波导作为浮栅电极的固态器件
相关申请的交叉引用
[0001]本专利合作条约专利申请要求2020年4月24日提交的标题为“Floating Gate Waveguide Nonvolatile Optical Switching(浮栅波导非易失性光开关)”的第63/014,806号美国临时专利申请的优先权，其内容通过引用以其整体合并于此。


[0002]本文描述的实施例涉及包括一个或多个配置为用于电荷的非易失性存储的浮栅的光波导的固态器件。

技术介绍

[0003]半导体器件可以包括浮栅，该浮栅可以通过穿过绝缘层的量子力学隧穿进行充电或放电。更具体地，设置在绝缘层上方的控制栅电极可以被驱动到指定电压，以从浮栅感应或去除电荷载流子。在这些构造中，浮栅的充电状态可以用作数字电路的非易失性存储器。
[0004]在某些应用中，可以选择光子电路来代替半导体电路，以降低功耗和/或提高性能。光子电路可以包括多个光波导，这些光波导被配置为将光引导到一个或多个无源或有源光电路、光子电路、延迟环、输入/输出面等，并在它们之间引导光。然而，传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，包括：源电极；控制电极；绝缘层；以及通过所述绝缘层与所述源电极和所述控制电极隔开的浮栅，所述浮栅光耦合到光子电路。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层包括将所述源电极与所述浮栅隔开的第一部分和将所述控制电极与所述浮栅隔开的第二部分。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述绝缘层的所述第二部分是氧化物
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氮化物
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氧化物介电层。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述浮栅包括硅光波导。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述浮栅与所述光子电路电隔离。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括通过所述绝缘层与所述浮栅隔开的漏电极。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述光子电路包括干涉仪或环形谐振器。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述干涉仪是马赫
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曾德尔干涉仪。9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述干涉仪包括：第一臂；以及包括所述浮栅的第二臂。10.一种半导体器件，包括：导电元件；设置在所述导电元件下方的层状电介质，所述层状电介质包括：形成为与所述导电元件接合的第一氧化硅层；形成为与所述第一氧化硅层接合的氮化硅层；以及形成为与所述氮化硅层接合的第二氧化硅层；形成为与所述层状电介质的所述第二氧化硅层接合的硅波导，所述硅波导：光耦合到光子电路；以及从所述导电元件电去耦；其中：响应于施加到所述导电元件的电压，所述硅波导通过量子隧穿累积电荷，所累积的电荷引起所述硅波导的折射率变化。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述硅波导是第一波导，且所述氮化硅层是第二波导。12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：布莱恩，
申请(专利权)人：振克斯通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：