电力用半导体元件的驱动调整电路、功率模块以及电力变换装置制造方法及图纸

电力用半导体元件的驱动调整电路(1000)具备：微分电路(5)，对电力用半导体元件(1)的栅极电压进行微分；电源(8)，生成比较参照电压；比较器(7)，具有与微分电路(5)连接的第1输入端子和接受比较参照电压的第2输入端子；以及电压调整电路(6)，根据比较器(7)的输出，调整电力用半导体元件(1)的栅极电压。整电力用半导体元件(1)的栅极电压。整电力用半导体元件(1)的栅极电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电力用半导体元件的驱动调整电路、功率模块以及电力变换装置


[0001]本公开涉及电力用半导体元件的驱动调整电路、功率模块以及电力变换装置。

技术介绍

[0002]控制大电力的电力用半导体元件被用于根据直流或者交流产生频率不同的交流的电源电路或者具有该电路的电力变换装置(逆变器)等。在电力用半导体元件被用于逆变器等的情况下，为了削减温室效应气体而抑制电力消耗是重要的。已知通过控制电力用半导体元件来降低在电力用半导体元件中产生的能量的方法。
[0003]例如，在专利文献1中，记载了使电力用半导体元件的功耗节省化并且使开关速度高速化的方法。专利文献1的图1的功率半导体电路以及功率模块电路装置能够通过在关断时由线具有的电感分量产生的感应电压、瞬态电压以及过冲电压等防止栅极驱动器耐压破坏，并且遏制功率晶体管的自接通来抑制开关损耗。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2019
‑
80359号公报

技术实现思路

[0007]然而，专利文献1的功率半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电力用半导体元件的驱动调整电路，具备：微分电路，对电力用半导体元件的栅极电压进行微分；电源，生成比较参照电压；比较器，具有与所述微分电路连接的第1输入端子和接受所述比较参照电压的第2输入端子；以及电压调整电路，根据所述比较器的输出，调整所述电力用半导体元件的栅极电压。2.根据权利要求1所述的电力用半导体元件的驱动调整电路，其中，所述电压调整电路具有吸入所述电力用半导体元件的栅极电流的功能。3.根据权利要求2所述的电力用半导体元件的驱动调整电路，其中，所述比较参照电压大于所述电力用半导体元件的基准电位，在所述微分电路的输出电压大于所述比较参照电压时，所述电压调整电路吸入所述电力用半导体元件的栅极电流。4.根据权利要求3所述的电力用半导体元件的驱动调整电路，其中，所述电压调整电路具备串联连接的电阻和二极管，所述电阻具有与所述电力用半导体元件的栅极端子连接的第1端和与所述二极管的阳极连接的第2端，所述二极管具有与所述电阻的第2端连接的阳极和与所述比较器的输出端子连接的阴极。5.根据权利要求3所述的电力用半导体元件的驱动调整电路，其中，所述电压调整电路具备串联连接的电阻、二极管以及NMOS晶体管，所述电阻具有与所述电力用半导体元件的栅极端子连接的第1端和与所述二极管的阳极连接的第2端，所述二极管具有与所述电阻的第2端连接的阳极和与所述NMOS晶体管的漏极连接的阴极，所述NMOS晶体管具有与所述二极管的阴极连接的漏极、与所述电力用半导体元件的基准电位连接的源极以及与所述比较器的输出端子连接的栅极。6.根据权利要求2所述的电力用半导体元件的驱动调整电路，其中，所述比较参照电压小于所述电力用半导体元件的基准电位，在所述微分电路的输出电压小于所述比较参照电压时，所述电压调整电路吸入所述电力用半导体元件的栅极电流。7.根据权利要求6所述的电力用半导体元件的驱动调整电路，其中，具备与所述比较器的输出端子连接的反转电路，所述电压调整电路具备串联连接的电阻和二极管，所述电阻具有与所述电力用半导体元件的栅极端子连接的第1端和与所述二极管的阳极连接的第2端，所述二极管具有与所述电阻的第2端连接的阳极和与所述反转电路的输出端子连接的阴极。8.根据权利要求6所述的电力用半导体元件的驱动调整电路，其中，具备与所述比较器的输出端子连接的反转电路，
所述电压调整电路具备串联连接的电阻、二极管以及NMOS晶体管，所述电阻具有与所述电力用半导体元件的栅极端子连接的第1端和与所述二极管的阳极连接的第2端，所述二极管具有与所述电阻的第2端连接的阳极和与所述NMOS晶体管的漏极连接的阴极，所述NMOS晶体管具有与所述二极管的阴极连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：诸熊健一，酒井拓也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：