具有电压切换功能的电源电路制造技术

本申请案涉及具有电压切换功能的电源电路。本文中公开设备，其包含：第一参考电压发生器，其经配置以产生第一电压；第二参考电压发生器，其经配置以产生第二电压；检测电路，其经配置以将所述第一电压与所述第二电压进行比较以产生选择信号；及选择电路，其经配置以响应于所述选择信号而选择所述第一电压及所述第二电压中的一个。所述检测电路经配置以在改变所述选择信号的状态时具有滞后性质。变所述选择信号的状态时具有滞后性质。变所述选择信号的状态时具有滞后性质。

【技术实现步骤摘要】
具有电压切换功能的电源电路


[0001]大体来说，本申请案涉及半导体装置。更具体地，本申请案涉及具有电压切换功能的电源电路。

技术介绍

[0002]许多半导体装置，例如DRAM(动态随机存取存储器)，包含电源电路，所述电源电路产生内部电源电压。此类电源电路有时经配置以产生具有温度相依性的内部电源电压。然而，当电源电路经配置以在第一温度范围内提供具有温度相依性的内部电源电压并且在第二温度范围内提供不具有温度相依性的内部电源电压时，内部电源可能在从第一温度范围切换到第二温度范围或从第二温度范围切换到第一温度范围时变得不稳定。因此，需要一种在第一温度范围与第二温度范围之间的边界处也可产生稳定的内部电源电压的电源电路。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本申请案提供一种设备，其包括：第一参考电压发生器，其经配置以产生第一电压；第二参考电压发生器，其经配置以产生第二电压；检测电路，其经配置以将所述第一电压与所述第二电压进行比较以产生选择信号；及选择电路，其经配置以响应于所述选择信号而选择所述第一电压及所述第二电压中的一个，其中所述检测电路经配置以在改变所述选择信号的状态时具有滞后性质。
[0004]在另一方面中，本申请案提供一种设备，其包括：第一参考电压发生器，其经配置以产生第一电压；第二参考电压发生器，其经配置以产生第二电压；检测电路，其经配置以将所述第一电压与所述第二电压进行比较以产生选择信号；及选择电路，其经配置以在所述选择信号处于第一状态时选择所述第一电压，且在所述选择信号处于第二状态时选择所述第二电压，其中所述第一电压及所述第二电压中的至少一个具有温度相依性，且其中所述检测电路经配置以在升高温度时将所述选择信号在第一温度下从所述第一状态改变到所述第二状态，且在温度降低时在低于所述第一温度的第二温度下将所述选择信号从所述第二状态改变到所述第一状态。
[0005]在另一方面中，本申请案提供一种设备，其包括：电流镜电路，其具有输入电流路径及输出电流路径；第一晶体管，其与所述输入电流路径串联耦合并由第一参考电压控制；第二晶体管，其与所述输出电流路径串联耦合并由第二参考电压控制；第一额外电流路径，其与所述第一晶体管及所述第二晶体管中的一个并联耦合；及输出电路，其耦合到所述输出电流路径以产生第一选择信号，其中所述第一额外电流路径包含由所述第一参考电压及所述第二参考电压中的一个控制的第三晶体管及与所述第三晶体管串联耦合的第四晶体管，且其中所第四晶体管经配置以响应于所述第一选择信号而被激活。
附图说明
[0006]图1是展示根据本公开的实施例的电源电路的基本配置的框图；
[0007]图2是根据本公开的实施例的电源电路的电路图；
[0008]图3是根据本公开的第一实施例的比较器的电路图；
[0009]图4A是展示温度与参考电压之间的关系的图表；
[0010]图4B是展示温度与选择信号之间的关系的时序图；
[0011]图5是根据本公开的第二实施例的比较器的电路图；
[0012]图6是根据本公开的第三实施例的比较器的电路图；及
[0013]图7是根据本公开的第四实施例的比较器的电路图。
具体实施方式
[0014]下文将参考附图详细解释本公开的各种实施例。以下详细描述参考附图，附图通过说明的方式展示可实践本公开的具体方面及实施例。足够详细地描述这些实施例，以使得所属领域的技术人员能够实践本公开。可利用其它实施例，且可在不背离本公开的范围的情况下做出结构、逻辑及电改变。本文中所公开的各种实施例不必相互排斥，因为一些所公开的实施例可与一或多个其它所公开的实施例组合以形成新的实施例。
[0015]图1是展示根据本公开的实施例的电源电路的基本配置的框图。图1中所展示的电源电路包含产生参考电压Vref0的参考电压产生电路10、产生参考电压Vref1的参考电压产生电路11、将参考电压Vref0与参考电压Vref1进行比较以产生选择信号Clp的检测电路12、响应于选择信号Clp而选择参考电压Vref0与Vref1中的一个的选择电路13，及基于从选择电路13输出的参考电压Vref产生内部电源电压Vout的内部电压产生电路14。
[0016]图2是根据本公开的实施例的电源电路的电路图。如在图2中所展示，参考电压产生电路10包含将电压VC1与电压Vreftmp进行比较的比较器Comp1、彼此串联耦合的电阻器Rresa1及Rresa2，以及N沟道MOS晶体管Trn2。恒定电压VAref被施加到电阻器Rresa1的一端。电压VC1出现在电阻器Rresa1与Rresa2之间的连接点处。比较器Comp1的输出信号VCO1被供应到晶体管Trn2的栅极电极，且电压VBB被供应到晶体管Trn2的源极。参考电压Vref0从晶体管Trn2的漏极输出。电压Vreftmp具有温度相依性，且其电位随着温度的升高而降低。在此配置的情况下，当电压VC1高于电压Vreftmp时，比较器Comp1的输出信号VCO1具有高电平，且晶体管Trn2接通。因此，参考电压Vref0的电平降低。相反，当电压VC1低于电压Vreftmp时，比较器Comp1的输出信号VCO1具有低电平，且晶体管Trn2关断。因此，参考电压Vref0的电平增加。以此方式，参考电压产生电路10输出与具有温度相依性的电压Vreftmp相对应的参考电压Vref0。参考电压Vref0的电平由以下表达式表示。
[0017]Vref0＝((Rresa1+Rresa2)/Rresa1)
×
Vreftmp
–
(Rresa2/Rresa1)
×
VAref
[0018]参考电压产生电路11包含：将电压VC2与电压Vreffix进行比较的比较器Comp2、彼此串联耦合的电阻器Rresb1及Rresb2，及N沟道MOS晶体管Trn6。恒定电压VAref被施加到电阻器Rresb1的一端。电压VC2出现在电阻器Rresb1与Rresa2之间的连接点处。比较器Comp2的输出信号VCO2被供应到晶体管Trn6的栅极电极，且电压VBB被供应到晶体管Trn6的源极。参考电压Vref1从晶体管Trn6的漏极输出。电压Vreffix没有温度相依性，且其电平与温度无关，是固定的。在此配置的情况下，当电压VC2高于电压Vreffix时，比较器Comp2的输出信
号VCO2具有高电平，且晶体管Trn6接通。因此，参考电压Vref1的电平降低。相反，当电压VC2低于电压Vreffix时，比较器Comp2的输出信号VCO2具有低电平，且晶体管Trn6关断。因此，参考电压Vref1的电平增加。以此方式，参考电压产生电路11输出与不具有温度相依性的电压Vreffix相对应的参考电压Vref1。参考电压Vref1的电平由以下表达式表示。
[0019]Vref1＝((Rresb1+Rresb2)/Rresb1)
×
Vreffix
–
(Rresb2/Rr本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：第一参考电压发生器，其经配置以产生第一电压；第二参考电压发生器，其经配置以产生第二电压；检测电路，其经配置以将所述第一电压与所述第二电压进行比较以产生选择信号；及选择电路，其经配置以响应于所述选择信号而选择所述第一电压及所述第二电压中的一个，其中所述检测电路经配置以在改变所述选择信号的状态时具有滞后性质。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一参考电压发生器经配置以根据温度控制所述第一电压的电平。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二参考电压发生器经配置以产生所述第二电压，所述第二电压具有固定电平而与温度无关。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述检测电路经配置以在第一温度下将所述选择信号从第一状态改变为第二状态。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述检测电路经配置以在不同于所述第一温度的第二温度下将所述选择信号从所述第二状态改变为所述第一状态。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述选择电路经配置以在所述选择信号处于所述第一状态时选择所述第一电压，且在所述选择信号处于所述第二状态时选择所述第二电压。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述检测电路包含电流镜电路，所述电流镜电路具有流过由所述第一电压及所述第二电压中的一个控制的输入电流的输入电流路径以及流过由所述第一电压及所述第二电压中的另一个控制的输出电流的输出电流路径，其中所述电流镜电路进一步包含与所述输入电流路径与所述输出电流路径中的一个并联耦合的第一额外电流路径，且其中所述第一额外电流路径经配置以响应于所述选择信号而被启用。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述输出电流路径包含与所述输入电流路径大体上相同的电流供应能力。9.根据权利要求7所述的设备，其中所述电流镜电路进一步包含与所述输入电流路径与所述输出电流路径中的另一个并联耦合的第二额外电流路径，且其中所述第一额外电流路径及所述第二额外电流路径中的一个经配置以响应于所述选择信号而排他地被启用。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述输出电流路径具有与所述输入电流路径不同的电流供应能力。11.一种设备，其包括：第一参考电压发生器，其经配置以产生第一电压；第二参考电压发生器，其经配置以产生第二电压；检测电路，其经配置以将所述第一电压与所述第二电压进行比较以产生选择信号；及选择电路，其经配置以在所述选择信号处于第一状态时选择所述第一电压，且在所述
选择信...

【专利技术属性】
技术研发人员：真野达哉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：