薄膜电容器及具备其的电子电路基板制造技术

本发明专利技术提供相对于电路基板的密合性高的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)被粗面化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，具有使金属箔(10)局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔(10)相接；第二电极层，其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接。第一及第二电极层不覆盖金属箔(10)的上表面(11)的外周区域(15)，而形成于被外周区域(15)包围的区域。这样，金属箔(10)的粗面化的上表面(11)的外周区域(15)露出，因此，与电路基板的密合性上升。与电路基板的密合性上升。与电路基板的密合性上升。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜电容器及具备其的电子电路基板


[0001]本专利技术涉及薄膜电容器及具备其的电子电路基板，特别是涉及使用了金属箔的薄膜电容器及具备其的电子电路基板。

技术介绍

[0002]在搭载IC的电路基板中，为了使向IC供给的电源的电位稳定，通常搭载去耦电容器。作为去耦电容器，通常使用层叠陶瓷片式电容器，将多个层叠陶瓷片式电容器搭载于电路基板的表面，由此，确保必要的去耦电容。
[0003]近年来，电路基板小型化，因此，有时用于搭载多个层叠陶瓷片式电容器的空间不足。因此，有时使用可埋入电路基板的薄膜电容器来代替层叠陶瓷片式电容器(参照专利文献1～4)。
[0004]专利文献1所记载的薄膜电容器具有如下结构：使用多孔金属基材，在其表面上经由电介质膜形成上部电极。专利文献2所记载的薄膜电容器具有如下结构：使用将一主面粗化的金属基材，在粗化的表面上经由电介质膜形成上部电极。专利文献3及4所记载的薄膜电容器具有如下结构：在支承部形成导电性多孔基材，在粗化的表面上经由电介质膜形成上部电极。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开WO2015－118901号
[0008]专利文献2：国际公开WO2018－092722号
[0009]专利文献3：国际公开WO2017－026247号
[0010]专利文献4：国际公开WO2017－014020号

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的问题
[0012]但是，专利文献1所记载的薄膜电容器由于具有侧面电极结构，从而电极的线路长较长，因此，存在ESR(等效串联电阻)、ESL(等效串联电感)变大这样的结构上的问题。而且，专利文献1所记载的薄膜电容器由于使用整体被多孔质化的金属基材，从而由金属基材构成的下部电极与经由电介质膜覆盖金属基材的上部电极的分离不容易，存在容易产生短路不良这样的问题。另外，专利文献2所记载的薄膜电容器由于金属基材的一主面作为上部电极、另一主面作为下部电极发挥作用，为了将一对端子电极配置于同一面上，需要经由[0]元件的侧面绕回电极，存在结构复杂这样的问题。另外，专利文献3及4所记载的薄膜电容器由于将一对端子电极分别配置于金属基材的两面，从而不能从单侧接入一对端子电极。而且，由于使用支承体，存在整体的厚度变厚这样的问题。
[0013]因此，本专利技术的目的在于，提供进行了改良的薄膜电容器及具备其的电子电路基板。
[0014]用于解决问题的技术方案
[0015]本专利技术提供一种薄膜电容器，其具备：金属箔，其一主面被粗面化；电介质膜，其覆盖金属箔的一主面，具有使金属箔局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔相接；第二电极层，其不与金属箔相接而与电介质膜相接，第一及第二电极层未覆盖金属箔的一主面的外周区域，而形成于被外周区域包围的区域。
[0016]本专利技术提供一种薄膜电容器的制造方法，将金属箔的一主面粗面化，在粗面化的金属箔的一主面上形成电介质膜，通过除去电介质膜的一部分而使金属箔的一部分露出，在未覆盖金属箔的一主面的外周区域而被外周区域包围的区域中形成与金属箔的一部分相接的第一电极层和不与金属箔的一部分相接而与电介质膜相接的第二电极层。
[0017]专利技术效果
[0018]根据本专利技术，在电介质膜的一部分设置有开口部，因此，不使用侧面电极等，就能够在同一面上配置一对端子电极。而且，金属箔的一主面的外周区域未被第一及第二电极层覆盖，因此，与电路基板的密合性上升，不易产生短路不良及开路不良。
附图说明
[0019]图1A是用于说明本专利技术一实施方式的薄膜电容器1的结构的大致剖视图，图1B是薄膜电容器1的大致俯视图。
[0020]图1B是薄膜电容器1的大致俯视图。
[0021]图1C是表示从薄膜电容器1省略导电性部件32的例子的大致剖视图。
[0022]图1D是图1C所示的薄膜电容器1的大致俯视图。
[0023]图2是用于说明薄膜电容器1的侧面13的形状的大致剖视图。
[0024]图3是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0025]图4是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0026]图5A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0027]图5B是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0028]图6是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0029]图7A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0030]图7B是图7A的大致俯视图。
[0031]图8A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0032]图8B是图8A的大致俯视图。
[0033]图9是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0034]图10是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0035]图11A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0036]图11B是图11A的大致俯视图。
[0037]图12A是表示绝缘性部件21的形成位置的一例的大致剖视图。
[0038]图12B是表示绝缘性部件21的形成位置的另一例的大致剖视图。
[0039]图13是表示绝缘性部件21的形状的一例的大致剖视图。
[0040]图14A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0041]图14B是图14A的大致俯视图。
[0042]图15A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0043]图15B是图15A的大致俯视图。
[0044]图16A是表示金属箔10的结晶粒径较大的情况的示意性的剖视图。
[0045]图16B是图16A的大致俯视图。
[0046]图17A是表示金属箔10的结晶粒径较小的情况的示意性的剖视图。
[0047]图17B是图17A的大致俯视图。
[0048]图18是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0049]图19是图18的大致俯视图。
[0050]图20A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0051]图20B是图20A的大致俯视图。
[0052]图21是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0053]图22A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0054]图22B是图22A的大致俯视图。
[0055]图23A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0056]图23B是图23A的大致俯视图。
[0057]图24A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0058]图24B是图24A的大致俯视图。
[0059]图25A是用于说明薄膜电容器1的制造方法的工序图。
[0060]图25B是图25A的大致俯视图。
[0061]图26A是用于说明薄膜电容器1的制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜电容器，其具备：金属箔，其一主面被粗面化；电介质膜，其覆盖所述金属箔的所述一主面，具有使所述金属箔局部露出的开口部；第一电极层，其经由所述开口部与所述金属箔相接；及第二电极层，其不与所述金属箔相接而与所述电介质膜相接，所述第一及第二电极层未覆盖所述金属箔的所述一主面的外周区域，而形成于被所述外周区域包围的区域。2.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，所述外周区域被所述电介质膜覆盖。3.根据权利要求2所述的薄膜电容器，其中，所述电介质膜由选自Al2O3、TiO2、Ta2O5、SiNx、TiNx、TaNx中的1种或1种以上的膜构成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜电容器，其中，所述金属箔的另一主面被粗面化。5.根据权利要求1～4中任一项所述的薄膜电容器，其中，所述第一及第二电极层被环状的狭缝分离，所述第一电极层设置于被所述狭缝包围的第一区域，所述第二电极层设置于位于所述狭缝的外侧的第二区域。6.根据权利要求5所述的薄膜电容器，其中，还具备第一绝缘性部件，该第一绝缘性部件设置于所述狭缝的内部，位于所述第一及第...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井大基，矢野义彦，山下由贵，吉田健一，高桥哲弘，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：