半导体存储器的检测方法及装置制造方法及图纸

本公开提供一种半导体存储器的检测方法及装置，所述方法包括：确定半导体存储器中的至少一个存储单元；向所述至少一个存储单元中写入第一位信息；在经过预设时间后，读取所述至少一个存储单元中的位信息，将其中第一位信息变为第二位信息的存储单元确定为不良存储单元，所述不良存储单元中存储电容与相邻位线之间存在电位影响。本公开可以检测出存储单元与位线之间的微小不良，相对于现有技术可以提高不良检测水平并减少检测费用。高不良检测水平并减少检测费用。高不良检测水平并减少检测费用。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器的检测方法及装置


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及一种半导体存储器的检测方法及装置。

技术介绍

[0002]近年来，DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)产业为了提高生产效率以及生产低耗电存储器，正在持续进行产品尺寸的缩小。在这种趋势下，DRAM中各层图形(pattern)间出现干涉现象，使DRAM的漏电流(Leakage Current)问题不断发生。不仅是存储单元(Cell)的晶体管中的漏电流，而且各个存储单元的信号线之间由于间隔变窄导致相互干涉现象的影响也越来越大。
[0003]特别是DRAM中存储单元的缩小成为了左右DRAM动作特性的重要因素。如图1所示，DRAM中由1个晶体管(Transistor)和1个电容(Capacitor)构成的单元结构称为Cell。如图2所示为DRAM中的Cell阵列。由于连接这些Cell的信号线之间的干涉，导致相关不良现象的发生正在进一步增加。Cell阵列的不良有Cell漏电流,位线之间(Bit Line to Bit li本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器的检测方法，其特征在于，包括：确定半导体存储器中的至少一个存储单元；向所述至少一个存储单元中写入第一位信息；在经过预设时间后，读取所述至少一个存储单元中的位信息，将其中第一位信息变为第二位信息的存储单元确定为不良存储单元，所述不良存储单元中存储电容与相邻位线之间存在电位影响。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体存储器包括多个存储阵列和差分感应放大器，所述至少一个存储单元构成目标存储阵列；所述读取所述至少一个存储单元中的位信息，包括：通过差分感应放大器读取所述目标存储阵列中每一个存储单元中的位信息。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述差分感应放大器的两条输入位线分别来自两个存储阵列。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述差分感应放大器的两条输入位线来自同一个存储阵列。5.一种半导体存储器的检测装...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴燦圭，杨红，杨涛，王文武，李俊杰，陈睿，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：