本申请实施例公开了一种成膜装置的基座组件，包括：基座本体，其设于成膜装置的反应腔室中；至少一个载盘，其可旋转地设于基座本体上；至少一个内轴，其轴向一端可与所述载盘直接或间接对接，以带动所述载盘相对于所述基座本体转动；管状的外轴，其环绕所述内轴的至少一部分并与所述基座本体的底部相连接，所述外轴可带动所述基座本体转动；加热件，其环绕所述外轴的至少一部分并与所述基座本体相邻设置，所述外轴包括位于所述加热件的加热区域内的外轴第一段及延伸出所述加热件的加热区域的外轴第二段；其中，基座组件至少包括一个外冷却管道和一个内冷却管道，所述外冷却管道在所述外轴第二段中延伸，所述内冷却管道在所述内轴中延伸。内轴中延伸。内轴中延伸。
【技术实现步骤摘要】
一种成膜装置的基座组件
[0001]本申请涉及机械领域，具体涉及一种成膜装置的基座组件。
技术介绍
[0002]半导体处理涉及到众多不同的化学和物理工艺，由此在基板上产生微小的集成电路。构成集成电路的材料层由包括化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长等。在集成电路的制造中，等离子体工艺经常用于各种材料层的沉积或蚀刻。用于这些工艺中的处理腔室通常包括被设置在所述处理腔室中的基板支撑件或基座，用以在处理期间支撑所述基板。
[0003]在一些工艺中，基座需要加热场控制基板的温度和/或提供可被使用在工艺中的高温。在基板处理期间，对基板适当的温度控制和均匀的加热是非常重要的(特别是当集成电路的尺寸减小时)。而驱动基座和载盘(承托基板的支撑件)旋转的旋转轴则需要通过冷却来降低旋转轴的温度，避免温度过高降低旋转轴的使用寿命。故如何避免加热区和冷却区相互影响成为难题。
技术实现思路
[0004]本申请实施例提供一种成膜装置的基座组件，可以解决现有技术中旋转轴加热区和冷却区相互影响，从而导致热利用率和冷却效果均不理想的技术问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请的实施例公开了如下技术方案：
[0006]一种成膜装置的基座组件，包括：基座本体，其设于所述成膜装置的反应腔室中；至少一个载盘，其可旋转地设于所述基座本体上；至少一个内轴，其轴向一端可与所述载盘直接或间接对接，以带动所述载盘相对于所述基座本体转动；管状的外轴，其环绕所述内轴的至少一部分并与所述基座本体的底部相连接，所述外轴可带动所述基座本体转动；加热件，其环绕所述外轴的至少一部分并与所述基座本体相邻设置，所述外轴包括位于所述加热件的加热区域内的外轴第一段及延伸出所述加热件的加热区域的外轴第二段；其中，所述基座组件至少包括一个外冷却管道和一个内冷却管道，所述外冷却管道在所述外轴第二段中延伸，所述内冷却管道在所述内轴中延伸。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述内冷却管道至少部分越过所述外轴第二段和所述外轴第一段的交界面，并沿着朝向所述外轴第一段的方向延伸。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述内轴与所述外轴的外轴第一段间隙配合，所述间隙的宽度为1～10mm。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述内冷却管道向所述外轴第一段的延伸距离不大于所述外轴第一段的轴向长度。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述外轴第一段的材质包括石英，所述外轴第二段的材质包括铝合金。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述内冷却管道包括第一通道第一入口和第一出口，所述第一通道设于所述内轴内，且与所述内轴同轴设置，或对称设于所述内轴轴线
两侧；所述第一入口和所述第一出口垂直于所述内轴轴线，且所述第一入口和所述第一出口分别连通至所述第一通道的两端。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，成膜装置的基座组件还包括旋转接头，套设于所述内轴的外侧壁上，所述旋转接头包括与所述第一入口平齐的第一流通槽、与所述第一出口平齐的第二流通槽、与所述第一流通槽连通的第二入口和与所述第二流通槽连通的第二出口；所述第一流通槽和所述第二流通槽的槽口与所述内轴的外侧壁相接，所述第一流通槽通过所述第一入口与所述第一通道连通，所述第二流通槽通过所述第一出口与所述第一通道连通，所述第一流通槽和所述第二流通槽不直接连通。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，成膜装置的基座组件还包括腔体，包括一空腔，所述空腔开设于所述基座本体下方，所述空腔设有所述加热件和热屏蔽件，所述热屏蔽件设于所述加热件和所述外轴之间。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述外冷却管道的顶端面不高于所述外轴第二段与所述外轴第一段的交界处。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述外冷却管道包括第二通道、第三入口和第三出口，所述第二通道设于所述外轴的外轴第二段内，所述第三入口和所述第三出口分别连通至所述第二通道的两端。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二通道包括第二进液通道、环形通道和第二出液通道，所述第二进液通道和所述第二出液通道关于所述外轴的轴线对称，且分别连通至所述环形通道的底端。
[0017]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：由于在内轴内部和外轴下部分别设置内冷却通道和外冷却通道，内冷却通道直接设于内轴内部，在降低内轴热量的同时不影响其整体强度，内冷却通道可以带走内轴和外轴上半部分的热量，由于加热件设于外轴的外侧，外轴第一段实质上在加热件和内轴之间形成了物理隔离，此时外轴可以起到双重热屏蔽效果，既避免内冷却通道的“降温能力”影响加热件的加热效果，又避免加热件的“加热能力”传递至内轴后影响其使用寿命，而外冷却通道可以带走外轴下半部分的热量，以提升外轴冷却能力的同时尽量减小对与外轴上部直接相连的基座本体的加热效果的影响。
[0018]上述技术方案中的另一个技术方案具有如下优点或有益效果：在外轴和加热件之间设有热屏蔽件，可以进一步减小加热件对外轴的热传递，从而大幅度提升外轴的使用寿命。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本申请实施例提供的成膜装置的基座组件的结构图；
[0021]图2是本申请实施例提供的内轴和外轴的剖视图；
[0022]图3是图2中A
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A视角下的剖面图。
[0023]附图标记说明：
[0024]基座本体1；
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内轴2；
[0025]外轴3；
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加热件4；
[0026]热屏蔽件5；
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内冷却管道6；
[0027]外冷却管道7；
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腔体8；
[0028]旋转接头9；
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装配孔11；
[0029]载盘12；
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凹槽13；
[0030]连接部14；
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空腔81；
[0031]底板82；
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密封件83；
[0032]第一进液通道61；
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第一出液通道62；
[0033]第一入口63；
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第一出口64；
[0034]第一流通槽91；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种成膜装置的基座组件，其特征在于，包括：基座本体(1)，其设于所述成膜装置的反应腔室中；至少一个载盘，其可旋转地设于所述基座本体上；至少一个内轴(2)，其轴向一端可与所述载盘直接或间接对接，以带动所述载盘相对于所述基座本体转动；管状的外轴(3)，其环绕所述内轴的至少一部分并与所述基座本体(1)的底部相连接，所述外轴可带动所述基座本体转动；加热件(4)，其环绕所述外轴(3)的至少一部分并与所述基座本体(1)相邻设置，所述外轴(3)包括位于所述加热件(4)的加热区域内的外轴第一段及延伸出所述加热件(4)的加热区域的外轴第二段；其中，所述基座组件至少包括一个外冷却管道和一个内冷却管道，所述外冷却管道(6)在所述外轴第二段中延伸，所述内冷却管道(7)在所述内轴中延伸。2.根据权利要求1所述的成膜装置的基座组件，其特征在于，所述内冷却管道至少部分越过所述外轴第二段和所述外轴第一段的交界面，并沿着朝向所述外轴第一段的方向延伸。3.根据权利要求2所述的成膜装置的基座组件，其特征在于，所述内轴与所述外轴的外轴第一段间隙配合，所述间隙的宽度为1～10mm。4.根据权利要求1所述的成膜装置的基座组件，其特征在于，所述内冷却管道向所述外轴第一段的延伸距离不大于所述外轴第一段的轴向长度。5.根据权利要求1所述的成膜装置的基座组件，其特征在于，所述外轴第一段的材质包括石英，所述外轴第二段的材质包括铝合金。6.根据权利要求1所述的成膜装置的基座组件，其特征在于，所述内冷却管道包括第一通道(61、62)、第一入口(63)和第一出口(64)，所述第一通道设于所述内轴内，且与所述内...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本晓，常青，孙正，王宏杰，
申请(专利权)人：无锡先为科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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