晶圆镀镍用的辅助装置以及晶圆镀镍设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及的晶圆镀镍用的辅助装置以及晶圆镀镍设备，该辅助装置包括辅助槽、进液管路、出液管路、镀镍液处理单元，其中镀镍液处理单元包括阳极、阴极、电源，镀镍液在进液管路、出液管路、辅助槽、镀镍槽之间循环流动，阳极和阴极同步浸没在位于辅助槽内的镀镍液中，且镀镍液中析出的杂质能够吸附于阴极上。本实用新型专利技术通过辅助槽和镀镍液处理单元构成一个独立的电解槽，将镀镍槽中的镀镍液引入辅助槽中实施电解反应以将有机污染物吸附于阴极上，这样一来，有效去除镀镍液中的杂质，优化晶圆表层镀镍质量；同时能够保持长期连续进行晶圆镀镍，从而降低停机更换和补充镀镍液的频率，简化操作，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆镀镍用的辅助装置以及晶圆镀镍设备


[0001]本技术涉及一种晶圆镀镍用的辅助装置，同时还涉及一种晶圆镀镍设备。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片。进一步地，在对晶圆的先进封装技术中，重要工艺流程包括：涂胶
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曝光
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显影
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烘烤
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电镀
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去胶
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清洗，即先在晶圆上涂覆一层光刻胶，光刻胶经过曝光发生化学反应，然后通过显影将所需要的细微图形从掩模版转移至晶圆上，最后运用电化学反应，在晶圆的金属介质层上镀出所需金属，构成金属导线。
[0003]目前，晶圆在进行表层镀镍时，常见镀镍设备包括镀镍槽、过滤器、循环管路，其中循环管路将镀镍槽中的镀镍液抽出并经过过滤器过滤后循环至镀镍槽中，以实现去除镀镍液中的杂质。
[0004]然而，在实际生产过程中，由于镍化学电镀所产生的温度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆镀镍用的辅助装置，其特征在于：其包括形成有进液口和出液口的辅助槽、连通所述进液口与镀镍槽的进液管路、连通所述出液口与镀镍槽的出液管路、设置在所述辅助槽内的镀镍液处理单元，其中所述镀镍液处理单元包括阳极、阴极、分别向所述阳极和所述阴极供电的电源，镀镍液在所述进液管路、所述出液管路、所述辅助槽、所述镀镍槽之间循环流动，所述阳极和所述阴极同步浸没在位于所述辅助槽内的所述镀镍液中，且所述阳极用于供应镍离子，所述镀镍液中析出的杂质能够吸附于所述阴极上。2.根据权利要求1所述的晶圆镀镍用的辅助装置，其特征在于：所述进液口形成于所述辅助槽的底部，所述辅助装置还包括设置在所述辅助槽内的扩散板，其中所述扩散板拦截设置在所述进液口与所述镀镍液处理单元之间，所述镀镍液自下而上穿过所述扩散板扩散后混合。3.根据权利要求2所述的晶圆镀镍用的辅助装置，其特征在于：所述扩散板靠近所述辅助槽的槽底水平放置，其中所述扩散板上形成有位于所述阴极下方的多个扩散孔。4.根据权利要求3所述的晶圆镀镍用的辅助装置，其特征在于：多个所述扩散孔划分为多个扩散孔组，其中所述多个扩散孔组沿着所述阴极的长度方向间隔分布。5.根据权利要求4所述的晶圆镀镍用的辅助装置，其特征在于：每个所述扩散孔组中的多个所述扩散孔沿着所述阴极的厚度方向间隔分布。6.根据权利要求2所述的晶圆镀镍...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙文杰，孙雪峰，谭笑，肖凌峰，
申请(专利权)人：晟盈半导体设备江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：