量子限域色转换层、其制备方法及应用技术

本发明专利技术提供了一种量子限域色转换层、其制备方法及应用。该量子限域色转换层包括填充体和封装材料，封装材料封装在填充体表面；其中，填充体包括多孔骨架基质和色转换材料，色转换材料填充在多孔骨架基质的孔隙中；其中，多孔骨架基质的孔隙中，至少一个维度的尺寸≤10nm。本发明专利技术通过使用多孔骨架基质构建量子限域空间，结合生长填充于其上的色转换材料和包覆于其外的封装材料，来实现原有量子点的高光致发光效率，光子转换效率高、稳定性好、普适性强，可以少用甚至不用传统的量子点发光材料，从根本上克服了量子点自身稳定性差的问题，在保证较高发光效率的前提下，稳定性相对于量子点色转换层有极大改善。点色转换层有极大改善。点色转换层有极大改善。

【技术实现步骤摘要】
量子限域色转换层、其制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及LED
，具体而言，涉及一种量子限域色转换层、其制备方法及应用。

技术介绍

[0002]基于色转换层的Mini/Micro
‑
LED器件是目前Mini/Micro
‑
LED超清显示技术实现的主要路径之一。目前，量子点色转换层是最为主流的色转换层，其成本低、色域广，已成功应用于显示市场。
[0003]量子点色转换层主要的优势在于量子点超高的光致发光效率，最高可达到接近100％的荧光量子产率，从而保证经过色转换后其发光效率不发生明显的衰减。这主要得益于发光半导体在制备成为三维尺寸小于10nm的量子点后会拥有量子限域效应，其光致激发产生的电子空穴对/激子会被限制在非常小的空间当中，大大增加了辐射复合的几率，从而增强了发光效率。
[0004]将量子点材料直接涂覆于Mini/Micro
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LED发光芯片之上效果不佳，可能的原因是量子点直接与工作的芯片接触会有一定的热量传导，且直接向外暴露也会受到外界水氧影响，从而共同降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子限域色转换层，其特征在于，包括填充体和封装材料，所述封装材料封装在所述填充体表面；其中，所述填充体包括多孔骨架基质和色转换材料，所述色转换材料填充在所述多孔骨架基质的孔隙中；其中，所述多孔骨架基质的孔隙中，至少一个维度的尺寸≤10nm。2.根据权利要求1所述的量子限域色转换层，其特征在于，所述多孔骨架基质的材料包括氧化物、
Ⅲ‑Ⅴ
族无机化合物和有机聚合物的一种或多种；优选地，所述氧化物包括Al2O3和/或TiO2；优选地，所述
Ⅲ‑Ⅴ
族无机化合物包括GaN和/或AlGaN；优选地，所述有机聚合物包括PMMA和/或PDMS。3.根据权利要求1或2所述的量子限域色转换层，其特征在于，所述多孔骨架基质的材料包括Al2O3、TiO2、SiO2、CaO和GaN的一种或多种。4.根据权利要求1至3中任一项所述的量子限域色转换层，其特征在于，所述色转换材料包括
Ⅱ‑Ⅵ
族半导体材料、
Ⅲ‑Ⅴ
族半导体材料、有机无机杂化钙钛矿材料、荧光粉材料、有机发光材料、有机染料和金属骨架复合材料的一种或多种；优选地，所述
Ⅱ‑Ⅵ
族半导体材料包括CdSe、CdS和InP的一种或多种；优选地，所述
Ⅲ‑Ⅴ
族半导体材料包括GaN、InGaN和AlGaInP的一种或多种；优选地，所述有机无机杂化钙钛矿材料包括CH3NH3PbI3和/或CsPbBr3；优选地，所述荧光粉材料包括锰掺杂卤磷酸钙、铕掺杂氧化钇和铽掺杂铝酸盐的一种或多种；优选地，所述有机发光材料包括联吡啶钌、TFB和TPBi的一种或多种；优选地，所述有机染料包括靛蓝、海昌蓝和钛菁的一种或多种；优选地，所述金属骨架复合材料包括ZIF
‑
67@C3N4、ZIF
‑
8@C3N4和ZIF
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67@CsPbBr3的一种或多种。5.根据权利要求1至4中任一项所述的量子限域色转换层，其特征在于，所述色转换材料的吸收系数≥1

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓宇，马莉，卢长军，
申请(专利权)人：利亚德光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：