【技术实现步骤摘要】
一种三维光电封装结构和封装方法
[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种三维光电封装结构和封装方法。
技术介绍
[0002]随着当前半导体技术发展，半导体器件包括多种种类，已经应用在多种领域，例如光通信领域中的电光(EO)调制器。电光调制器是光通信系统中的关键功能器件之一，利用电光调制器可以在光载波上转换驱动电信号，并在光域中传输。
[0003]但是当前的电光调制器在进行封装时，存在集成度较低的问题，不能满足实际应用需求。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种三维光电封装结构和封装方法，能够提高集成度，满足实际应用的需求。
[0005]本申请实施例提供了一种三维光电封装结构，所述三维光电封装结构包括：
[0006]封装基板以及设置在封装基板一侧的电芯片；
[0007]第一电极，所述第一电极设置于所述电芯片远离所述封装基板的一侧；
[0008]电光调制器，所述电光调制器设置在所述第一电极远离所述封装基板的一侧，所述电光调制器和所述电芯片利...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种三维光电封装结构，其特征在于，所述三维光电封装结构包括：封装基板以及设置在封装基板一侧的电芯片；第一电极，所述第一电极设置于所述电芯片远离所述封装基板的一侧；电光调制器，所述电光调制器设置在所述第一电极远离所述封装基板的一侧，所述电光调制器和所述电芯片利用所述第一电极实现电连接；第二电极，所述第二电极设置于所述电光调制器远离所述封装基板的一侧；所述第一电极和所述第二电极用于提供所述电光调制器进行电光调制的电场。2.根据权利要求1所述的三维光电封装结构，其特征在于，所述电光调制器包括异质波导结构，所述异质脊型波导结构包括铌酸锂薄膜和硅上图形结构，所述硅上图形结构设置于所述铌酸锂薄膜远离所述封装基板的一侧表面。3.根据权利要求2所述的三维光电封装结构，其特征在于，所述电光调制器包括第一埋氧层和第二埋氧层；所述第一埋氧层设置于所述第一电极和所述铌酸锂薄膜之间，所述第二埋氧层设置于所述硅上图形结构和所述第二电极之间。4.根据权利要求3所述的三维光电封装结构，其特征在于，所述第二埋氧层和所述铌酸锂薄膜之间除所述硅上图形结构以外的部分为树脂胶。5.根据权利要求1
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4任意一项所述的三维光电封装结构，其特征在于，所述三维光电封装结构包括导电结构和引脚，所述导电结构用于连接所述第二电极和所述引脚。6.一种三维光电封装方法，其特征在于，所述方法包括：形成电光调制器；在所述电光调制器的一侧形成第一电极；在所述第一电极上设置电芯片；所述电光调制器和所述电芯片利用所述第一电极实现电连接；...
【专利技术属性】
技术研发人员：何慧敏，阳鹏，刘丰满，薛海韵，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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