【技术实现步骤摘要】
KrF树脂及其制备方法和化学放大型光致抗蚀剂
[0001]本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种KrF树脂及其制备方法和化学放大型光致抗蚀剂。
技术介绍
[0002]半导体相关的先进光刻材料及工艺技术(KrF,ArF,EUV等)一直是各个国家正在发展的重要方向，同时也代表了当前最先进的微纳米器件构筑水平。随着微纳米器件对更高电路密度的需求，降低基本结构单元的最小特征尺寸是直接有效的方法。而降低最小特征尺寸通常需要更加精细化，分辨率更高的工艺制程及材料，通常做法是开发波长更小的光刻材料及工艺技术(例如由i线
‑
365nm到KrF
‑
248nm的过渡)。但当曝光波长越来越短带来明显的实际问题：一是相同能量剂量实际光子数减少，因此需要更高的曝光量来获得相当的光化学响应；二是深紫外区光刻机的输出效率由于波长变短、仪器结构更复杂变得更低。
[0003]为了提高短波长下曝光灵敏度，提升光化学相应效率，解决方法是引入化学放大概念(Chemical Amplification)：美国专利US44916...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种KrF树脂，其特征在于，其结构通式为：其中，R1、R2、R3各自独立的为H原子、卤素原子、1
‑
6个碳原子的烷基或烷氧基；R1为羟基，R2为高紫外吸收基团，R3为低活化能脱保护酸性基团；x、y、z分别代表不同种类单体在KrF树脂当中的比例，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1,且x+y+z＝1。2.根据权利要求1所述的KrF树脂，其特征在于，所述高紫外吸收基团包括以下结构所示基团中的任一种：所述低活化能脱保护酸性基团包括以下结构所示基团中的任一种：3.根据权利要求1或2所述的KrF树脂，其特征在于，所述KrF树脂的重均分子量为1000
‑
100000；优选地，所述KrF树脂的重均分子量为2000
‑
50000。4.一种权利要求1
‑
3任一项所述的KrF树脂的制备方法，其特征在于，包括：将包括4
‑
乙酰氧基苯乙烯、第一单体化合物、第二单体化合物和引发剂在内的原料混合，进行第一反应；然后向体系内加入醋酸铵
‑
水混悬液，进行第二反应，得到所述KrF树脂；所述第一单体化合物为包括高紫外吸收基团的化合物，所述第二单体化合物为包括低活化能脱保护酸性基团的化合物。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一单体化合物包括以下化合物中的任一种：
所述第二单体化合物包括以下化合物中的任一种：6.一种化学放大型光致抗蚀剂，其特征在于，包括权利要求1或2所述的KrF树脂；优选地，所述KrF树脂占所述光致抗蚀剂的总质量的5％
‑
...
【专利技术属性】
技术研发人员：王旭，黄常刚，李琳，张路，
申请(专利权)人：阜阳欣奕华材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。