【技术实现步骤摘要】
IGBT器件及其制备方法
[0001]本专利技术属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种IGBT器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT器件具有饱和压降低、电流密度大、驱动功率很小、开关速度快的优点，适用于耐压600V以上的电源管理系统。
[0003]IGBT器件的损耗通常包括导通损耗与开关损耗，在器件设计时，通常需要在导通损耗与开关损耗之间要进行折中，为了优化器件的开关损耗，通常会使用虚设栅极的方式来降低了器件开关损耗，但虚设栅极的设置会增加IGBT器件的导通损耗。
[0004]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括：衬底，所述衬底上形成有IGBT器件的IGBT发射极、IGBT栅极和IGBT集电极；虚设栅极，设置于所述栅极和所述IGBT发射极之间；NMOS管，所述NMOS管设置于所述衬底上，且设置于所述IGBT栅极和所述虚设栅极之间，所述NMOS管的源极和栅极与所述IGBT栅极电连接，漏极与所述虚设栅极电连接；PNP三极管，所述PNP三极管设置于所述衬底上，且设置于所述虚设栅极和所述IGBT发射极之间，所述PNP三极管的集电极与所述虚设栅极电连接，发射极与所述IGBT发射极电连接，基极通过电感与所述IGBT发射极电连接。2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：当所述IGBT器件导通时，所述IGBT栅极施加阈值电压，所述阈值电压同时施加于所述NMOS管的栅极以使所述NMOS管导通，从而使所述IGBT栅极与所述虚设栅极连接，虚设栅极下方形成沟道以降低所述IGBT器件的导通损耗。3.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：当所述IGBT器件开通时，所述IGBT发射极的电流上升，所述PNP三极管与所述IGBT发射极之间的电感存在电压变化，从而使所述PNP三极管处于放大状态而导通，使得所述虚设栅极与所述IGBT发射极连接，从而降低所述IGBT器件的开通损耗。4.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：所述NMOS管的阈值电压小于或等于所述IGBT栅极的阈值电压，且所述IGBT栅极的阈值电压与所述NMOS管的阈值电压只差小于或等于5V。5.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：所述IGBT栅极和所述虚设栅极设置为环形，所述虚设栅极环绕于所述IGBT发射极外围，所述IGBT栅极环绕于所述虚设栅极外围。6.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述IGBT发射极和IGBT栅极设置于所述衬底的第一面，所述IGBT集电极设置于所述衬底的第二面，或/及所述IGBT器件还包括场截止层，设置于所述衬底中，并靠近所述IGBT集电极设置。7.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：所述电感的电感值为10nH～20nH。8.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：提供一衬底，于所述衬底上形成IGBT器件的IGBT发射极、IGBT栅极、IGBT集电极和虚设栅极，所述虚设栅极设置于所述IGBT栅极和所述IGBT发射极之间；于所述衬底上设置NMOS管，所述NMOS管置于所述IGBT栅极和所述虚设栅极之间，所述NMOS管的源极和栅极与所述IGBT栅极电连接，漏极与所述虚设栅极电连接；于所述衬底上设置PNP三极管，所述P...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯晓伟，郭依腾，罗杰馨，柴展，
申请(专利权)人：上海功成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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