薄膜传感器及其制备方法、触控面板及可折叠显示装置制造方法及图纸

本公开涉及一种薄膜传感器及其制备方法、触控面板及可折叠显示装置，该薄膜传感器，包括：基板；金属层，设置于基板上，金属层包括图案化的第一导电线路；导电层，设置于金属层背离基板的一侧，导电层为纳米级银丝，导电层包括图案化的第二导电线路，且第二导电线路与第一导电线路之间能够导通形成透明导电膜；以及第一保护层，覆盖于导电层上。本公开技术方案有效解决了传统薄膜传感器中的透明导电薄膜图案品质差的技术问题，有效规避了透明导电膜中线路短路问题，提高了薄膜传感器的导电性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
薄膜传感器及其制备方法、触控面板及可折叠显示装置


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种薄膜传感器及其制备方法、触控面板及可折叠显示装置。

技术介绍

[0002]在显示屏装置中，常用透明导电膜来形成布线、像素电极、端子的一部分。此时，必须在透明导电膜上蚀刻形成一定形状的图案。
[0003]传统智能手机或者平板电脑的透明导电膜多采用氧化铟锡(简称ITO)薄膜，但是ITO薄膜在折叠后电阻率会上升。相关技术中，折叠屏手机或者平板电脑多采用纳米银线薄膜替代ITO薄膜，以使显示屏具有良好折叠性能。但是，在纳米银透明导电膜图案的形成过程中，由于银离子极其活泼的性质，在高温高湿条件下，尤其在通交流电的条件下，纳米银极易长出晶体枝，使蚀刻后的线路短路，造成透明导电膜图案的品质差。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种薄膜传感器及其制备方法、触控面板及可折叠显示装置，以解决传统薄膜传感器中的透明导电薄膜图案品质差的技术问题。
[0005]为此，第一方面，本公开提供了一种薄膜传感器，包括：基板、金属层、导电层以及第一保护层；
[0006]金属层，设置于基板上，金属层包括图案化的第一导电线路；
[0007]导电层，设置于金属层背离基板的一侧，导电层为纳米级银丝，导电层包括图案化的第二导电线路，且第二导电线路与第一导电线路之间能够导通形成透明导电膜；以及
[0008]第一保护层，覆盖于导电层上。
[0009]在一种可能的实施方式中，导电层的纳米级银丝的直径为20nm～40nm，长度为10μm～40μm，线径比为500～1000；
[0010]和/或，导电层的厚度为0.03μm～0.1μm；
[0011]和/或，金属层的材质为银或者铜，图案化的第一导电线路的线宽和/或线距为15μm；
[0012]和/或，金属层的厚度为0.1μm～0.5μm。
[0013]在一种可能的实施方式中，第一保护层的厚度为0.5μm～10μm。
[0014]在一种可能的实施方式中，还包括第二保护层，第二保护层覆盖第一保护层和导电层。
[0015]在一种可能的实施方式中，第一保护层的厚度为0.05μm～0.5μm，第二保护层的厚度为0.5μm～10μm。
[0016]在一种可能的实施方式中，基板包括柔性基材和位于柔性基材上的硬质涂层，柔性基材的材质为塑胶类聚酰亚胺、热塑性聚氨酯弹性体橡胶、超薄玻璃、热塑性聚酯、聚酰亚胺和环烯烃聚合物中的任一者。
[0017]第二方面，本公开还提供了一种如上所述的薄膜传感器的制备方法，包括：
[0018]提供基板；
[0019]通过真空溅镀工艺在基板上形成金属层；
[0020]将金属层通过压膜、曝光、显影、蚀刻形成图案化的第一导电线路；
[0021]在第一导电线路上整面涂覆导电层，导电层为纳米级银丝；
[0022]在导电层上辊压或者涂覆第一保护层干膜压膜，通过曝光、显影形成图案化的第二导电线路，且第二导电线路与第一导电线路之间能够导通形成透明导电膜；
[0023]通过高压冲刷去除显影后的第一保护层及其下方的导电层，以形成不导电通道，未显影的第一保护层通过紫外线固化及热固化覆盖于导电层上。
[0024]在一种可能的实施方式中，还包括：
[0025]在第一保护层上辊压或者涂覆第二保护层干膜压膜，通过曝光、显影、紫外线固化及热固化形成第二保护层，第二保护层覆盖第一保护层和不导电通道。
[0026]第三方面，本公开还提供了一种触控面板，包括衬底基板和位于衬底基板的至少一侧且阵列分布的多个薄膜传感器，其中，薄膜传感器为如上所述的薄膜传感器。
[0027]第四方面，本公开还提供了一种可折叠显示装置，包括显示面板和位于显示面板的出光侧的触控面板，其中，触控面板为如上所述的触控面板。
[0028]根据本公开提供的薄膜传感器及其制备方法、触控面板及可折叠显示装置，该薄膜传感器，包括：基板；金属层，设置于基板上，金属层包括图案化的第一导电线路；导电层，设置于金属层背离基板的一侧，导电层为纳米级银丝，导电层包括图案化的第二导电线路，且第二导电线路与第一导电线路之间能够导通形成透明导电膜；以及第一保护层，覆盖于导电层上。本公开技术方案，通过优化薄膜传感器的具体结构，以规避传统薄膜传感器中纳米银透明导电膜图案的形成过程中，由于银迁移而造成蚀刻后的线路断点、线路短路等问题，有效提高了两层导电线路的电导通性，提高了薄膜传感器的质量。具体而言，将薄膜传感器配置为至少包括基板、金属层、导电层及第一保护层的组合构件。该金属层设置在基板上，由于基板上的粗糙度较高，使得金属层和基板之间的附着力高、结合性好，金属层不易从基板上脱落。该导电层设置在金属层上，该导电层为纳米级银丝，由于导电层直接设置在金属层上，中间并未设置OC固定层，极大提高了导电层与金属层的接触面积，提高了导电层的导电能力，使得设置在导电层上的第二导电线路与设置在金属层上的第一导电线路之间的导电性能良好，规避了线路区容易发生线路断点、电阻偏高、线路接触不良的制作问题，提高了透明导电膜图案的品质。该第一保护层设置在导电层上，一方面该第一保护层可用于固定纳米级银丝，另一方面还可直接通过第一保护层在导电层上制备第二导电线路，解决了传统导电层蚀刻慢、蚀刻不干净、蚀刻难和银离子环境污染问题，提高了薄膜传感器的可持续发展性；同时，该第一保护层还具有隔绝水汽、稳定性高的特点，可有效保护薄膜传感器的线路区。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。另外，在附图
中，相同的部件使用相同的附图标记，且附图并未按照实际的比例绘制。
[0030]图1至图3为传统纳米银线传感器的侧视图；
[0031]图4为本公开第一实施例提供的薄膜传感器侧视图；
[0032]图5为本公开第一实施例提供的图案化制程后的薄膜传感器的侧视图；
[0033]图6为本公开第一实施例提供的纳米级银线的电镜图；
[0034]图7为本公开第一实施例提供的薄膜传感器的制备流程图；
[0035]图8为本公开第二实施例提供的薄膜传感器侧视图；
[0036]图9为本公开第二实施例提供的图案化制程后的薄膜传感器的侧视图；
[0037]图10为本公开第二实施例提供的薄膜传感器的制备流程图；
[0038]图11为本公开第三实施例提供的触控面板俯视图；
[0039]图12为本公开第三实施例提供的触控面板侧视图；
[0040]图13为本公开第三实施例提供的另一触控面板侧视图；
[0041]图14为本公开第四实施例提供的可折叠显示装置的侧视图。
[0042]附图标记说明：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜传感器，其特征在于，包括：基板；金属层，设置于所述基板上，所述金属层包括图案化的第一导电线路；导电层，设置于所述金属层背离所述基板的一侧，所述导电层为纳米级银丝，所述导电层包括图案化的第二导电线路，且所述第二导电线路与所述第一导电线路之间能够导通形成透明导电膜；以及第一保护层，覆盖于所述导电层上。2.根据权利要求1所述的薄膜传感器，其特征在于，所述导电层的纳米级银丝的直径为20nm～40nm，长度为10μm～40μm，线径比为500～1000；和/或，所述导电层的厚度为0.03μm～0.1μm。3.根据权利要求1所述的薄膜传感器，其特征在于，所述金属层的材质为银或者铜，所述图案化的第一导电线路的线宽和/或线距为15μm；和/或，所述金属层的厚度为0.1μm～0.5μm；和/或，所述第一保护层的厚度为0.5μm～10μm。4.根据权利要求1所述的薄膜传感器，其特征在于，还包括第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第一保护层和所述导电层。5.根据权利要求4所述的薄膜传感器，其特征在于，所述第一保护层的厚度为0.05μm～0.5μm，所述第二保护层的厚度为0.5μm～10μm。6.根据权利要求1所述的薄膜传感器，其特征在于，所述基板包括柔性基材和位于所述柔性基材上的硬质涂层，所述柔性基材的材质为塑胶类聚酰亚...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾榆钧，余孝贵，许建勇，张礼冠，
申请(专利权)人：蓝思智控长沙有限公司，
类型：发明
国别省市：