【技术实现步骤摘要】
信号转换电路、芯片及电子设备
[0001]本专利技术涉及芯片
,尤其涉及一种信号转换电路、芯片及电子设备。
技术介绍
[0002]随着集成电路制造工艺的小型化,电路中的MOS器件的栅耐压值在逐渐降低,而芯片设计中,在需要将正负高电平转换为CMOS或TTL类型的逻辑电平信号时,一般使用高栅耐压的MOS器件构成转换电路来实现,例如,当需要将当需要将
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25V的电平转换为逻辑电平时,需使用栅耐压超过25V的MOS器件来构成转换电路,这会限制了芯片工艺链的可选择性。对此,相关技术中提出了一种转换电路,如图1所示,先通过电阻对输入电压进行分压,然后由比较器电路进行信号转换,实现了用低栅耐压的MOS器件实现将正负高电平转换为逻辑电平的功能。
[0003]上述相关技术的弊端在于,在电路中使用分压电阻会占用大量芯片面积,同时由于比较器在待机时也存在待机电流,因此也会产生较高的待机功耗。
技术实现思路
[0004]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本专利技术的第一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种信号转换电路,其特征在于,包括:第一二极管和第二二极管,所述第一二极管的阳极与信号输入端相连,所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连且形成有第一连接点,所述第二二极管的阳极接地,其中,通过所述第一二极管和所述第二二极管将所述信号输入端的第一正负电压信号转换为第二正负电压信号,并通过所述第一连接点输出;反相器,所述反相器的输入端与所述第一连接点相连,所述反相器的输出端与信号输出端相连,其中,通过所述反相器将所述第二正负电压信号转换为CMOS/TTL电平信号,并通过所述信号输出端输出。2.根据权利要求1所述的信号转换电路,其特征在于,当所述信号输入端的电压为第一正电压且高于所述第一二极管的正向导通电压,所述第一二极管正向导通,所述第一连接点的电压跟随所述信号输入端的电压变化且被钳位在所述第二二极管的反向击穿电压以下,并且当所述信号输入端的电压为第一负电压,所述第一二极管反向截止,所述第二二极管正向导通,所述第一连接点的电压被钳位在所述第二二极管的正向导通电压,以将所述信号输入端的第一正负电压信号转换为第二正负电压信号。3.根据权利要求1所述的信号转换电路,其特征在于,所述第一二极管为肖特基二极管,所述第二二极管为齐纳二极管。4.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员:周世聪,原义栋,沈红伟,金荣,刘晓艳,伍苹,施景超,
申请(专利权)人:北京智芯微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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