【技术实现步骤摘要】
一种双芳胺类结构的化合物及包含其的有机电致发光器件
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其是涉及一种双芳胺类结构的化合物及包含其的有机电致发光器件。
技术介绍
[0002]有机电致发光器件(OLED)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到器件中,并在有机发光层中相遇复合发光。高性能的有机电致发光器件,要求各种有机功能材料具备良好的光电特性。譬如,作为电荷传输材料,要求具有良好的载流子迁移率。现有的有机电致发光器件中使用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱,空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配,导致复合区域偏移较大,不利于器件的稳定性。另外,空穴注入层材料和空穴传输层材料合理的能级匹配是提高器件效率和器件寿命的重要因素,因此如何调节空穴和电子的平衡度、调节复合区域,一直是本领域的一项重要课题。
[0003]蓝色有机电致发光器件一直是全色OLED发展中的软肋,截止目前蓝光器件的效率和寿命等性能一直难以得到全面提高,因此,如何提高该类器件性能仍然是该领域面临的至关重要的问题和挑战。目前市场上所使用的蓝光主体材料多为偏电子性主体,因此为了调节发光层的载流子平衡,需要空穴传输材料具有优异的空穴传输性能。空穴注入和传输越好,调节复合区域会向远离电子阻挡层侧偏移,从而远离界面发光,使得器件性能提高。目前,随着电子传输材料传输速率的提升,对空穴传输材料要求越来越高,然而目前产业化的空穴传输材料已无法满足需求,严重阻碍了蓝光器件综合性能的提升,因此亟需空穴传输速率 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双芳胺类结构的化合物,其特征在于,所述化合物结构如通式(1)所示:通式(1)中,所述R1至R4分别独立的表示为取代或未取代的C6‑
30
芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的C2‑
C
30
杂芳基;所述L1至L4分别独立的表示为直链键、取代或未取代的C6‑
30
亚芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的C2‑
C
30
亚杂芳基;“取代或未取代的”基团的取代基选自氘原子、C1‑
10
烷基、C6‑
30
芳基、含有一个或多个杂原子的C2‑
C
30
杂芳基中的一种或多种;通式(1)中
‑‑‑‑‑‑
表示两侧基团之间有单键连接或无单键连接;所述杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一种或多种。2.根据权利要求1所述双芳胺类结构的化合物,其特征在于,所述化合物结构如通式(1
‑
1)或通式(1
‑
2)所示:通式(1
‑
1)和通式(1
‑
2)中,所述R1至R4分别独立的表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基;所述L1至L4分别独立的表示为直链键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚二联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚萘基;“取代或未取代的”基团的取代基选自氘原子、甲基、乙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基中的一种或多种。3.根据权利要求1所述双芳胺类结构的化合物,其特征在于,所述化合物结构如通式(2
‑
1)、通式(2
‑
2)、通式(2
‑
3)、通式(2
‑
4)或通式(2
‑
5)所示:
通式(2
‑
1)至通式(2
‑
5)中,所述R1至R4分别独立的表示为取代或未取代的C6‑
30
芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的C2‑
C
30
杂芳基;所述L1至L4分别独立的表示为直链键、取代或未取代的C6‑
30
亚芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的C2‑
C
30
亚杂芳基;“取代或未取代的”基团的取代基选自氘原子、甲基、乙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基中的一种或多种;所述杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一种或多种。4.根据权利要求1所述双芳胺类结构的化合物,其特征在于,所述化合物结构如通式(3
‑
1)、通式(3
‑
2)、通式(3
‑
3)、通式(3
‑
4)、通式(3
‑
5)或通式(3
‑
6)所示:
通式(3
‑
1)至通式(3
‑
6)中,
‑‑‑‑‑‑
表示两侧基团之间有单键连接或无单键连接;所述R1、R2、R3、R4分别独立的表示为取代或未取代的C6‑
30
芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的C2‑
C
30
杂芳基;所述L1至L4分别独立的表示为直链键、取代或未取代的C6‑
30
亚芳基、取代或未取代的含有一个或多个...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐浩杰,尚书夏,崔明,
申请(专利权)人:江苏三月科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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