【技术实现步骤摘要】
基于有效存取计数的媒体管理
[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及基于有效存取计数的媒体管理。
技术介绍
[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。所述存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可使用存储器子系统以在存储器装置处存储数据并且从存储器装置检索数据。
技术实现思路
[0003]在一个方面中，本申请提供一种用于基于有效存取计数的媒体管理的方法，其包括：确定非易失性存储器装置中的非易失性存储器单元的块的相应运行状况特性值；基于所述相应运行状况特性值和所述非易失性存储器单元的所述块的至少一个有效运行状况因子而确定非易失性存储器单元的所述块的有效相应运行状况特性值；以及基于所述有效相应运行状况特性值，执行涉及非易失性存储器单元的所述块中的非易失性存储器单元的具有符合运行状况标准的有效相应运行状况特性值的块的媒体管理操作。
[0004]在另一方面中，本申请提供一种用于基于有效存取计数的媒体管理的设备，其包括：有效存取计数媒体管理组件，其被配置成：确定非易失性存储器装置中的非易失性存储器单元的多个块的相应存取计数；确定非易失性存储器单元的所述多个块中的每个块的至少一个有效运行状况因子；基于所述至少一个有效运行状况因子而修改所述相应存取计数以确定非易失性存储器单元的所述多个块的有效相应存取计数；并且基于所述有效相应存取计数，执行涉及非易失性存储器单元的具有符合运行状况标准的有效相应存取计数的块的媒体管理操作。>[0005]在又一方面中，本申请提供一种用于基于有效存取计数的媒体管理的系统，其包括：多个存储器组件，其被布置成形成包括非易失性存储器单元的多个块的可堆叠交叉网格化阵列；以及处理装置，其耦合到所述多个存储器组件，所述处理装置执行包括以下各项的操作：确定非易失性存储器单元的所述多个块的存取计数；确定非易失性存储器单元的所述多个块的有效运行状况因子；基于所述有效运行状况因子而修改所述存取计数以获得非易失性存储器单元的所述多个块的有效相应存取计数；确定非易失性存储器单元的特定块的有效存取计数符合运行状况标准；以及执行涉及非易失性存储器单元的具有符合所述运行状况标准的所述有效存取计数的所述特定块的媒体管理操作。
附图说明
[0006]根据下文给出的具体实施方式并且根据本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。
[0007]图1示出了根据本公开的一些实施例包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2示出了根据本公开的一些实施例的对应于基于有效存取计数的媒体管理的流程图。
[0009]图3示出了根据本公开的一些实施例的对应于基于有效存取计数的媒体管理的另一流程图。
[0010]图4示出了根据本公开的一些实施例的对应于用于基于有效存取计数的媒体管理的方法的流程图。
[0011]图5为本公开的实施例可以在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0012]本公开的方面涉及基于有效存取计数的媒体管理，具体地说，涉及包含基于有效存取计数的媒体管理组件的存储器子系统。存储器子系统可为存储系统、存储装置、存储器模块或这些的组合。存储器子系统的实例为例如固态驱动器(SSD)等存储系统。下文结合图1以及其它图描述存储装置和存储器模块的实例。通常，主机系统可使用包含例如存储数据的存储器装置之类的一或多个组件的存储器子系统。主机系统可提供将存储在存储器子系统处的数据并且可请求将从存储器子系统检索的数据。
[0013]存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的一个实例为与非(NAND)存储器装置(也被称为闪存技术)。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置为一或多个裸片的封装。每个裸片可以由一或多个平面组成。平面可分组为逻辑单元(LUN)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每个平面由物理块集组成。每个块由页集合组成。每个页由存储器单元的集合(“单元”)组成。所述单元为存储信息的电子电路。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，且可包含存储器单元群组、字线群组、字线或个别存储器单元。对于一些存储器装置，块(在下文中也被称为“存储器块”)为比可擦除的最小区域。无法单独地擦除页，且只能擦除整个块。
[0014]每个存储器装置可包含一或多个存储器单元阵列。取决于单元类型，可写入到单元以存储二进制信息的一或多个位，且具有与正存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(例如“0”和“1”)或此类值的组合表示。存在各种类型的单元，例如单层级单元(SLC)、多层级单元(MLC)、三层级单元(TLC)和四层级单元(QLC)。例如，SLC可存储一个信息位且具有两种逻辑状态。
[0015]一些存储器装置采用浮动栅极架构，其中基于位线与字线之间的相对电压改变来控制存储器存取。存储器装置的其它实例可采用可包含使用字线布局的替换栅极架构，所述替换栅极架构可允许基于用于构造字线的材料的特性而在存储器单元内捕获对应于数据值的电荷。
[0016]归因于存储器装置(例如，NAND存储器装置)中固有的特性，存储器装置的存储器单元中的数据质量可能会随着时间而降级。例如，随着存储器单元的块(为简单起见，可在本文中称为“块”)的编程擦除循环(PEC)计数的增加，块中的数据质量可能降低。数据质量降级可能导致存储器单元容易出现故障。例如，随着时间的推移，阈值电压(V
T
)电平可能会发生偏移。由于V
T
电平偏移，在经历V
T
电平偏移的存储器单元上执行的读取操作可能会失败或返回损坏或不正确的数据值。
[0017]为了缓解数据退化问题，一些方法随机选择块或基于块的给定PEC计数选择块，并
且接着执行涉及所选块的块刷新。执行涉及所选块的块刷新可以缓解与数据降级相关联的一些问题。然而，这种块选择可能不会考虑块之间的可能改变块的实际性能的其它固有差异。例如，块通常物理上位于裸片上和/或存储器装置中的不同位置处。物理位置中的这种差异可能导致在块的制造和/或使用期间产生不同的数据路径、不同的温度分布，和/或可能以其它方式影响块的性能，例如影响块上数据的降级倾向。类似地，不同的块可以具有不同的基本性能特性(例如，在制造时间之后)和/或具有不同的实际性能特性(例如，当块在块的操作寿命内使用时)。基本性能特性和/或实际性能特性中的这种差异也会影响块的性能，例如影响块上数据的降级倾向。
[0018]此外，如所提及，一些方法在选择块时采用PEC计数，以缓解数据降级。例如，这种方法可以选择PEC计数相对最大的块。然而，因此，尽管未选块的PEC计数比所选块低，但未选块(例如，具有较低的PEC计数)将不会被刷新，并且因此，未选块中的数据可能会以比所选块更快的速率继续降级(例如，由于物理块位置的差异、由于与对块进行存取相关联的数据路径而存取块、块在操作期间可能经受的温度变化等)，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于基于有效存取计数的媒体管理的方法(450)，其包括：确定非易失性存储器装置(130)中的非易失性存储器单元的块的相应运行状况特性值；基于所述相应运行状况特性值和所述非易失性存储器单元的所述块的至少一个有效运行状况因子而确定非易失性存储器单元的所述块的有效相应运行状况特性值；以及基于所述有效相应运行状况特性值，执行涉及非易失性存储器单元的所述块中的非易失性存储器单元的具有符合运行状况标准的有效相应运行状况特性值的块的媒体管理操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个有效运行状况因子进一步包括指示非易失性存储器单元的所述块是否已经历特定制造工艺的制造工艺因子。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述制造工艺因子指示非易失性存储器单元的所述块是否已在执行与非易失性存储器单元的所述块相关联的存储器操作之后经历所述特定制造工艺。4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括响应于确定非易失性存储器单元的所述块已在执行与非易失性存储器单元的所述块相关联的存储器操作之后经历所述特定制造工艺，确定相对于非易失性存储器单元的所述块的相应运行状况特性值增加的有效相应运行状况特性值。5.根据权利要求3所述的方法，其中所述特定制造工艺进一步包括焊接工艺，并且其中所述焊接工艺进一步包括红外(IR)回流焊接工艺。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述运行状况特性值是编程擦除循环PEC计数。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个有效运行状况因子进一步包括指示非易失性存储器单元的所述块的物理位置的拓扑因子。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述拓扑因子指示从非易失性存储器单元的块到包含非易失性存储器单元的所述块的裸片的物理边缘的距离。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述有效运行状况因子进一步包括测试因子、运行时因子或这两者。10.一种用于基于有效存取计数的媒体管理的设备，其包括：有效存取计数的媒体管理组件(113)，其被配置成：确定非易失性存储器装置(130)中的非易失性存储器单元的多个块的相应存取计数；确定非易失性存储器单元的所述多个块中的每个块的至少一个有效运行状况因子；基于所述至少一个有效运行状况因子而修改所述相应存取计数以确定非易失性存储器单元的所述多个块的有效相应存取计数；并且基于所述有效相应存取计数，执行...
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