发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:36738692 阅读:8 留言:0更新日期:2023-03-04 10:12
本公开提供一种发光显示装置和一种用于制造发光显示装置的方法。所述发光显示装置包括:基底、晶体管、绝缘层、像素电极、延伸电极和像素限定层。所述晶体管与所述基底重叠。所述绝缘层与所述晶体管重叠。所述像素电极设置在所述绝缘层的上表面上。所述延伸电极从所述像素电极延伸。所述像素电极通过所述延伸电极电连接到所述晶体管。所述像素限定层设置在所述绝缘层上,并且包括暴露所述像素电极的开口,并且覆盖所述延伸电极。所述延伸电极的一部分平行于所述绝缘层的所述上表面纵向延伸,并且在垂直于所述绝缘层的所述上表面的方向上比所述像素电极厚。所述像素电极厚。所述像素电极厚。

【技术实现步骤摘要】
发光显示装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年8月27日在韩国知识产权局提交的第10

2021

0114163号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请通过引用包含于此。


[0003]本
涉及一种发光显示装置和一种用于制造发光显示装置的方法。

技术介绍

[0004]发光显示装置包括发光二极管并且可以通过控制发光二极管的亮度水平来显示图像。发光显示装置不需要背光,并且因此可以理想地薄且轻。
[0005]发光显示装置可以被包括在各种电子装置中,诸如智能电话、平板计算机、监视器、电视和用于汽车的用户界面。

技术实现思路

[0006]一种发光显示装置可以包括用于限定像素区域的像素限定层。像素限定层可以包括黑色颜料,用于改善显示装置的光学特性(诸如对比度)。在形成黑色像素限定层的工艺和/或后续工艺中,如果不需要的黑色颜料或与黑色像素限定层相关的不需要的材料残留在显示装置中,则通过显示装置显示的图像中可能出现诸如暗点的缺陷。实施例可以涉及可以防止或最小化缺陷使得可以获得令人满意的图像质量的发光显示装置和相关的制造方法。
[0007]根据实施例的发光显示装置包括以下元件:基底;晶体管,设置在所述基底上;绝缘层,设置在所述晶体管上;像素电极,设置在所述绝缘层上;延伸电极,从所述像素电极延伸并且电连接到所述晶体管;以及像素限定层,设置在所述绝缘层上,并且所述像素限定层包括与所述像素电极重叠的开口。所述像素限定层与所述延伸电极重叠,并且所述延伸电极比所述像素电极厚。
[0008]所述延伸电极包括多个层,并且所述多个层的最上层包括氧化物半导体。
[0009]所述最上层可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化锌锡(ZTO)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
[0010]所述延伸电极的所述多个层可以包括从所述像素电极连续延伸的一层或多层、以及所述最上层。
[0011]从所述像素电极连续延伸的所述一层或多层可以包括包含透明导电氧化物的第一导电层、包含金属的第二导电层和包含透明导电氧化物的第三导电层。
[0012]所述延伸电极可以比所述像素电极厚所述延伸电极的最上层的厚度。
[0013]所述像素限定层可以在限定所述开口的边缘处具有双台阶结构。
[0014]所述像素限定层的所述边缘可以具有在截面图中上表面的斜率朝向所述开口增加并且随后减小的拐点。
[0015]所述延伸电极可以穿过形成在所述绝缘层中的接触孔连接到所述晶体管或者连接到与所述晶体管连接的连接构件。
[0016]所述像素限定层可以是包含黑色颜料的黑色像素限定层。
[0017]根据实施例的一种发光显示装置包括以下元件:基底;晶体管,设置在所述基底上;一个或多个绝缘层,设置在所述晶体管上;像素电极,设置在是一个或多个绝缘层上并且包括多个导电层;延伸电极,从所述像素电极延伸并且电连接到所述晶体管;像素限定层,设置在所述绝缘层上,所述像素限定层包括与所述像素电极重叠的开口并且覆盖所述像素电极的边缘和所述延伸电极;发射层,设置在所述像素电极上并且与所述开口重叠;以及公共电极,设置在所述发射层上。所述延伸电极包括多个导电层和设置在所述多个导电层上的氧化物半导体层。
[0018]所述氧化物半导体层可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化锌锡(ZTO)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
[0019]所述延伸电极的所述多个导电层可以从所述像素电极的多个导电层连续延伸。
[0020]所述延伸电极的厚度可以大于所述像素电极的厚度。
[0021]所述像素限定层可以是包含黑色颜料的黑色像素限定层。所述发光显示装置还可以包括设置在所述像素限定层上并且包含与所述像素限定层的材料不同的材料的间隔物。
[0022]所述一个或多个绝缘层可以包括钝化层、设置在所述钝化层上的第一平坦化层和设置在所述第一平坦化层上的第二平坦化层。所述发光显示装置还可以包括设置在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间的连接构件。所述连接构件可以穿过形成在所述钝化层和所述第一平坦化层中的接触孔连接到所述晶体管。所述延伸电极可以穿过形成在所述第二平坦化层中的接触孔连接到所述连接构件。
[0023]根据实施例的用于制造发光显示装置的方法包括以下步骤:在基底上形成晶体管;在所述晶体管上形成绝缘层;在所述绝缘层上形成导电材料层,并且在所述导电材料层上形成掩模层;通过将所述掩模层和所述导电材料层图案化形成像素电极,以及从所述像素电极延伸并且电连接到所述晶体管的延伸电极;通过在所述绝缘层上涂覆和图案化黑色光刻胶,形成包括与所述像素电极重叠的开口的像素限定层;去除设置在所述像素电极上的所述掩模层;并且固化所述像素限定层。
[0024]所述掩模层可以包括氧化物半导体。
[0025]所述去除所述掩模层可以包括使用所述像素限定材料层作为掩模的湿法蚀刻。
[0026]在所述去除所述掩模层期间,可以在所述像素限定层和所述像素电极之间形成间隙,并且在所述固化所述像素限定层期间,可以通过对所述像素限定层进行回流来填充所述间隙。
[0027]实施例可以涉及一种发光显示装置。所述发光显示装置可以包括基底、晶体管、绝缘层、像素电极、延伸电极和像素限定层。所述晶体管可以与所述基底重叠。所述绝缘层可以与所述晶体管重叠。所述像素电极可以设置在所述绝缘层的上表面上。所述延伸电极可以从所述像素电极延伸。所述像素电极可以通过所述延伸电极电连接到所述晶体管。所述像素限定层可以设置在所述绝缘层上,可以包括暴露所述像素电极的开口,并且可以覆盖所述延伸电极。所述延伸电极的一部分可以设置在所述绝缘层的所述上表面上,可以平行于所述绝缘层的所述上表面纵向延伸,并且可以在垂直于所述绝缘层的所述上表面的方向
上比所述像素电极厚。
[0028]所述延伸电极可以包括第一层和第二层。所述第一层可以设置在所述第二层和所述像素限定层之间,并且所述第一层可以包括氧化物半导体。
[0029]所述第一层可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化锌锡(ZTO)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
[0030]所述第二层可以直接连接到所述像素电极。
[0031]所述第二层可以包括第一透明导电氧化物层、金属层和第二透明导电氧化物层。
[0032]所述延伸电极可以比所述像素电极厚所述第一层的厚度。
[0033]所述像素限定层可以具有与所述延伸电极重叠的凹入结构。
[0034]所述像素限定层可以具有定位在所述凹入结构和所述开口之间的凸起结构。
[0035]所述绝缘层可以包括接触孔。所述延伸电极可以部分地设置在所述接触孔内。
[0036]所述像素限定层可以是包含黑色颜料的黑色像素限定层。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光显示装置,其中,所述发光显示装置包括:基底;晶体管,与所述基底重叠;绝缘层,与所述晶体管重叠;像素电极,设置在所述绝缘层的上表面上;延伸电极,从所述像素电极延伸,其中,所述像素电极通过所述延伸电极电连接到所述晶体管;以及像素限定层,设置在所述绝缘层上,所述像素限定层包括暴露所述像素电极的开口并且覆盖所述延伸电极,其中,所述延伸电极的一部分设置在所述绝缘层的所述上表面上,平行于所述绝缘层的所述上表面纵向延伸,并且在垂直于所述绝缘层的所述上表面的方向上比所述像素电极厚。2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述延伸电极包括第一层和第二层,并且其中,所述第一层设置在所述第二层和所述像素限定层之间并且包括氧化物半导体。3.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中,所述第一层包括氧化铟锌、氧化铟镓锌、氧化铟锌锡、氧化锌锡和氧化锌中的至少一种。4.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中,所述第二层直接连接到所述像素电极。5.根据权利要求4所述的发光显示装置,其中,所述第二层包括第一透明导电氧化物层、金属层和第二透明导电氧化物层。6.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中,所述延伸电极比所述像素电极厚所述第一层的厚度。7.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述像素限定层具有与所述延伸电极重叠的凹入结构。8.根据权利要求7所述的发光显示装置,其中,所述像素限定层具有定位在所述凹入结构和所述开口之间的凸起结构。9.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述绝缘层包括接触孔,并且其中,所述延伸电极部分地设置在所述接触孔内。10.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述像素限定层是包括黑色颜料的黑色像素限定层。11.一种发光显示装置,其中,所述发光显示装置包括:基底;晶体管,与所述基底重叠;绝缘层,与所述晶体管重叠;像素电极,设置在所述绝缘层的上表面上并且包括多个第一导电层;延伸电极,从所述像素电极延伸,设置在所述绝缘层的所述上表面上,包括多个第二导电层,并且包括设置在所述多个第二导电层上的氧化物半导体层,其中,所述像素电极通过所述延伸电极电连接到所述晶体管;像素限定层,设置在所述绝缘层上,暴露所述像素电极的暴露部分,覆盖所述像素电极的边缘,并且覆盖所述延伸电极;发射层,与所述像素电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员:柳春基
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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